一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置，包括底座、支架和固定夹，所述支架安装在底座上，且支架上方通过调节螺栓安装有固定夹，固定夹上设置有石英管，石英管上方设置有堵头，堵头上开设在有进气管和排气管，本实用新型专利技术解决了现有技术中锑融化加工困难、操作不方便和生产不安全的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置
本技术涉及金属加工装置
，尤其涉及一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置。
技术介绍
目前烧锑作业运用酒精喷灯与燃气打火机进行烧制，锑融化时间较长，人员操作不方便，有可能会照成手部烫伤等情况，而且在取下石英管时，较为困难；运用酒精喷灯与燃气打火机的方式为明火作业，这样很容易引起火灾等情况，存在一定的安全隐患。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置，解决了现有技术中锑融化加工困难、操作不方便和生产不安全的技术问题。一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置，包括底座、支架和固定夹，所述支架安装在底座上，且支架上方通过调节螺栓安装有固定夹，所述固定夹上设置有石英管，所述石英管上方设置有堵头，所述堵头上开设在有进气管和排气管。在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进：进一步地，所述石英管底部套装有高频线圈，采用本步的有益效果是通过高频线圈取代明火操作，从而提高安全性。进一步地，所述支架上开设有纵向的滑动槽，所述调节螺栓设置在滑动槽内，采用本步的有益效果是通过调节螺栓可以调节固定夹的高度，也方便对烧锑情况进行观察。进一步地，所述进气管的末端低于所述排气管的末端。进一步地，所述石英管为锥形，且石英管的上端直径大于石英管的下端直径，采用本步的有益效果是通过对石英管进行设计，方便材料伸入管中，进行下一步工艺操作。进一步地，所述固定夹包括连杆和卡爪，所述连杆一端安装在支架上，另一端铰接有卡爪，所述卡爪上设置有耳螺栓。本技术的有益效果：本技术为一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置，利用高频线圈代替明火操作，这样不仅使得导体受热均匀，而且在加热过程中，无需移动，操作方便，安全性高。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术具体实施例所述的一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置的结构示意图；图2为本技术具体实施例所述的一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置的固定架结构示意图；附图标记：1-底座；2-支架；3-固定夹；4-调节螺栓；5-石英管；6-堵头；7-排气管；8-进气管；9-高频线圈；10-滑动槽；11-连杆；12-卡爪；13-耳螺栓。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。如图1-2所示，本技术所提供的一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置，包括底座1、支架2和固定夹3，所述支架2安装在底座1上，且支架2上方通过调节螺栓4安装有固定夹3，所述固定夹3上设置有石英管5，所述石英管5上方设置有堵头6，所述堵头6上开设在有进气管8和排气管7。其中，所述石英管5底部套装有高频线圈9，通过高频线圈9取代明火操作，从而提高安全性。其中，所述支架2上开设有纵向的滑动槽10，所述调节螺栓4设置在滑动槽10内，通过调节螺栓4可以调节固定夹3的高度，也方便对烧锑情况进行观察。其中，所述进气管8的末端低于所述排气管7的末端。其中，所述石英管5为锥形，且石英管5的上端直径大于石英管的下端直径，这样能够方便下一步的使用。其中，所述固定夹3包括连杆11和卡爪12，所述连杆11一端安装在支架2上，另一端铰接有卡爪12，所述卡爪12上设置有耳螺栓13，利用耳螺栓13可以调节卡爪12之间的间距，方便夹持石英管5。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置，其特征在于，包括底座、支架和固定夹，所述支架安装在底座上，且支架上方通过调节螺栓安装有固定夹，所述固定夹上设置有石英管，所述石英管上方设置有堵头，所述堵头上开设在有进气管和排气管。

【技术特征摘要】
1.一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置，其特征在于，包括底座、支架和固定夹，所述支架安装在底座上，且支架上方通过调节螺栓安装有固定夹，所述固定夹上设置有石英管，所述石英管上方设置有堵头，所述堵头上开设在有进气管和排气管。2.根据权利要求1所述的一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置，其特征在于，所述石英管底部套装有高频线圈。3.根据权利要求2所述的一种半导体长晶用高纯锑掺杂剂制备装置，其特征在于，所述支架上开设有纵向的滑动槽，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，刘亮，
申请(专利权)人：扬州合晶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32