一种数模混合控制多环路LDO电路制造技术

本发明专利技术公开了一种数模混合控制多环路LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明专利技术创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明专利技术创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明专利技术创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。

A multimode hybrid control multi loop LDO circuit

The invention discloses a mixed multi loop LDO control circuit, including power tube MP, M1, M3, M5 pMOS, nMOS, M4, M6, M2, M7, M8, AMP, INV1, operational amplifier gate INV2, INV3, INV4, INV5, INV6, AND1, and AND2. The LDO circuit of the invention utilizes three control loops to cope with the change of load voltage and provides load transient response capability. By simulation, the LDO circuit created by this invention improves the load transient response ability of 10% compared with the existing LDO circuit. The LDO circuit structure created by the invention can be widely used in the SoC chip.

【技术实现步骤摘要】
一种数模混合控制多环路LDO电路
本专利技术涉及一种调节电变量或磁变量的系统，特别涉及一种LDO(LowDropoutRegulator，LDO，低压差线性稳压器)电路。
技术介绍
几乎所有的电子电路都需要一个稳定的电压源，它维持在特定容差范围内，以确保正确运行(典型的CPU电路只允许电压源与额定电压的最大偏离不超过±3％)。该固定电压由某些种类的稳压器提供。LDO电路就是其中的一种稳压器。如图1所示，目前的LDO电路包括：基准电压Vref、误差放大器EA、功率管a1、电阻分压器a2、电流源a3。该LDO电路通过电阻分压器a2自动检测输出电压Vout，误差放大器EA不断调整电流源a3从而维持输出电压Vout稳定在额定电压上。该结构的LDO电路存在负载瞬态响应能力不高的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种负载瞬态响应能力高的LDO电路。本专利技术解决其技术问题的解决方案是：一种数模混合控制多环路LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数模混合控制多环路LDO电路，包括：功率管MP，其特征在于，还包括：pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2，所述pMOS管M1、M3、功率管MP的源极分别与电源VDD连接，所述pMOS管M1的栅极与所述非门INV3的输出端连接，所述非门INV3的输入端与所述与门AND2的输出端连接，所述与门AND2的一输入端与所述非门INV4的输出端连接，所述与门AND2的另一输入端分别与所述非门INV4的输入端、所述非门INV5的输出端连接，所述非门INV4的输入端与所述...

【技术特征摘要】
1.一种数模混合控制多环路LDO电路，包括：功率管MP，其特征在于，还包括：pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2，所述pMOS管M1、M3、功率管MP的源极分别与电源VDD连接，所述pMOS管M1的栅极与所述非门INV3的输出端连接，所述非门INV3的输入端与所述与门AND2的输出端连接，所述与门AND2的一输入端与所述非门INV4的输出端连接，所述与门AND2的另一输入端分别与所述非门INV4的输入端、所述非门INV5的输出端连接，所述非门INV4的输入端与所述非门INV5的输出端连接，所述非门INV5的输入端与所述非门INV6的输出端连接，所述非门INV6的输入端、所述nMOS管M4的源极、所述nMOS管M6的漏极、所述pMOS管M5的漏极均连接于第二节点，所述nMOS管M2、M4的漏极、所述功率管MP的栅极、所述pMOS管M1、M3的漏极、所述非门INV2的输入端均连接于第一节点，所述非门INV2的输出端分别与所述非门I...

【专利技术属性】
技术研发人员：段志奎，王志敏，陈建文，于昕梅，樊耘，李学夔，朱珍，王东，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：发明
国别省市：广东,44