低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构，由下至上依次包括GaAs基衬底、下N型布拉格反射镜、有源区、上P型布拉格反射镜、低电阻GaAs基隧道结、氧化限制层和上N型布拉格反射镜。本实用新型专利技术采用了将低电阻GaAs基隧道结和氧化限制层相结合的小尺寸圆形台面的顶发射共面电极结构，选用BCB填充，降低器件的寄生，提高器件的调制带宽，降低器件的动态调制能耗；该结构采用不同尺寸的双台面结构提高器件热耗散能力，不需要额外的热沉和散热片，还能够实现器件的直接高速共面探针测试，且可以避免底发射的减薄倒置，降低加工难度。

【技术实现步骤摘要】
低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构
本技术属于光电子
，具体涉及一种进一步降低光通讯面发射激光器动态能耗的小台面顶发射共面电极结构。
技术介绍
自1996年Honeywell推出垂直腔面发射激光器(VCSEL)产品以来，VCSEL已经广泛应用于很多领域，如激光鼠标、激光打印、原子钟等，其中最广泛的一项应用是短距离光纤链路的数据传输。VCSEL因其高调制速度、低能耗、高光束质量、低生产成本等优势，已经取代边发射激光器成为短距离数据通信传输系统的首选光源。VCSEL被誉为数据中心与云计算“血液”，是现代数据中心、服务器集群和千万亿次规模的超级计算机的短距离光互连的关键技术，直到40G、100G，多模技术（多模光纤和VCSEL相结合的技术）一直是数据中心光互连的主要技术。随着数据分析和云端办公所需数据中心的建设，数据通信对VCSEL的需求迅猛增长，使数据中心的能耗已成为一个紧迫的生态和经济问题，基于低能耗VCSEL的绿色光互联是解决能耗问题的关键，但是VCSEL能耗的进一步降低受到调制带宽的限制。根据国际半导体技术发展路线图(ITRS)的评估和预测，通讯光源的能耗要减本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构，其特征在于，该共面电极结构由下至上依次包括GaAs基衬底（1）、下N型布拉格反射镜（2）、有源区（3）、一对上P型布拉格反射镜（4）、低电阻GaAs基隧道结（5）、氧化限制层（6）和上N型布拉格反射镜（7）；所述GaAs基衬底（1）上部镀有下电极（8），在所述上N型布拉格反射镜（7）上部镀有圆环式上电极（9），光从顶部的上N型布拉格反射镜（7）上部发出，为顶面发光结构。

【技术特征摘要】
1.一种低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构，其特征在于，该共面电极结构由下至上依次包括GaAs基衬底（1）、下N型布拉格反射镜（2）、有源区（3）、一对上P型布拉格反射镜（4）、低电阻GaAs基隧道结（5）、氧化限制层（6）和上N型布拉格反射镜（7）；所述GaAs基衬底（1）上部镀有下电极（8），在所述上N型布拉格反射镜（7）上部镀有圆环式上电极（9），光从顶部的上N型布拉格反射镜（7）上部发出，为顶面发光结构。2.如权利要求1所述的共面电极结构，其特征在于，所述上P型布拉格反射镜（4）、所述低电阻GaAs基隧道结（5）、所述氧化限制层（6）和所述上N型布拉格反射镜（7）共同构成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李惠，贾晓卫，夏丰金，郭广海，
申请(专利权)人：青岛科技大学，
类型：新型
国别省市：山东,37