一种垂直腔面发射激光器制造技术
A vertical cavity surface emitting laser
The invention provides a vertical cavity surface emitting laser, includes: a substrate; a first buffer layer grown on the substrate; N type DBR mirror, growth in the first buffer layer; an active layer growth in the N type DBR mirror; P DBR mirror, growth in the active layer on the buffer layer; second, growth in the P type DBR mirror; P electrode, growth in the second buffer layer, sub wavelength grating of the P electrode in non periodic growth. The growth of non periodic sub wavelength grating on P electrode, the output beam of vertical cavity surface emitting laser with very high polarization control, the output beam is more uniform and stable, the polarization of light control, increases the threshold gain of polarized light.
【技术实现步骤摘要】
一种垂直腔面发射激光器
本专利技术涉及半导体激光器
，具体涉及一种垂直腔面发射激光器。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，VCSEL)以其优良的特性在半导体激光器领域中独占头筹，具有阈值电流很低、谱线宽度窄、单纵模输出、温漂小、易集成的优势。现有技术均以面发射激光器最简易的结构为基础，通过外加偏振光反馈、外部应力以及植入非均匀增益的方式，对面发射激光器进行优化，以实现提供一种发射高偏振窄线宽光束的垂直腔面发射激光器。但是，这些垂直腔面发射激光器均存在由氧化限制孔径较大，高阶横模震动方向不确定引起输出光束不稳定的问题。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供一种垂直腔面发射激光器，通过在垂直腔面激光器的P电极中部生长非周期的亚波长光栅，实现了对光的偏振控制，增大了偏振光的阈值增益，输出高偏振窄线宽的稳定光束。为实现上述目的，本专利技术提供以下技术方案：本专利技术提供一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底；第一缓冲层，生长在所述衬底上；N型DBR反射镜，生长在所述第一缓冲层上；有源层，生长在所...
【技术保护点】
一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括：衬底；第一缓冲层，生长在所述衬底上；N型DBR反射镜，生长在所述第一缓冲层上；有源层，生长在所述N型DBR反射镜上；P型DBR反射镜，生长在所述有源层上；第二缓冲层，生长在所述P型DBR反射镜上；P电极，生长在所述第二缓冲层上，所述P电极中部生长非周期的亚波长光栅。
【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括：衬底；第一缓冲层，生长在所述衬底上；N型DBR反射镜，生长在所述第一缓冲层上；有源层，生长在所述N型DBR反射镜上；P型DBR反射镜，生长在所述有源层上；第二缓冲层，生长在所述P型DBR反射镜上；P电极，生长在所述第二缓冲层上，所述P电极中部生长非周期的亚波长光栅。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述衬底的材料为GaAs。3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的材料均为AlGaAs。4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述N型DBR反射镜包括：材料为Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As的半导体层。5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：范鑫烨，姜夕梅，白成林，房文敬，牛慧娟，
申请(专利权)人：聊城大学，
类型：发明
国别省市：山东,37
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