一种红外接收模块的I‑V电路制造技术

本发明专利技术属于模拟集成电路领域，具体为一种红外接收模块的I‑V电路，其在电路前端可以有效的减小电路的PSRR（电源抑制比），提高电路的性能，其包括运算放大器，运算放大器的反相输入端与输出端相连，运算放大器的输出端顺次连接可调电阻R1和光电二极管，可调电阻R1两端分别为电压信号输出端，其特征在于，其还包括MOS管PM0和MOS管PM1，MOS管PM0和MOS管PM1的源端相连后连接电流源一端、bulk端相连后连接电阻R2一端、栅端相连后接地，电流源另一端与电阻另一端均连接电源VDD，MOS管PM1的漏端接地，MOS管PM0的漏端连接运算放大器的正相输入端和电容C0一端，电容C0另一端接地。

An infrared receiving module I V circuit

The invention belongs to the field of analog integrated circuit, in particular to a infrared receiving module I V circuit, which can effectively reduce the circuit PSRR circuit in the front end (PSRR), improve the performance of the circuit, including operational amplifier, an inverting input terminal of the amplifier and the output end is connected in operational amplifier output the connection end of the adjustable resistor R1 and photoelectric diode, adjustable resistor R1 are respectively for the voltage signal output end, characterized in that it also includes MOS PM0 and MOS PM1 tube tube, MOS tube and MOS tube PM0 PM1 source is connected with the current source, bulk is connected with the end connected at one end of the R2, gate resistance after the end of the other end connected to the grounding resistance, current source and the other end is connected with the power supply VDD, MOS pipe PM1 drain ground, positive input end and a capacitor C0 end of the MOS PM0 tube drain connection operational amplifier, a capacitor C0 The other end is grounded.

【技术实现步骤摘要】
一种红外接收模块的I-V电路
本专利技术属于模拟集成电路领域，具体为一种红外接收模块的I-V电路。
技术介绍
现在的电子产品的功能越来越多，红外遥控也就成为了许多产品中的一个功能。红外遥控发射的信号频率为38KHz的红外光，而I-V电路是红外接收模块的最前端部分，是把光电二极管接受红外光后产生的电流信号转换成电压信号的电路，见图1所示。I-V电路的性能会直接影响红外接收模块的性能。传统的I-V电路如图2所示，产品的外围电路变多导致系统电源变的越来越复杂，电源上不同频率分量的纹波也越来越多，这些纹波会影响红外接收模块的输出波形，导致输出有杂波。
技术实现思路
针对上电路性能差的问题，本专利技术提供了一种红外接收模块的I-V电路，其在电路前端可以有效的减小电路的PSRR（电源抑制比），提高电路的性能。其技术方案是这样的：一种红外接收模块的I-V电路，其包括运算放大器，所述运算放大器的反相输入端与输出端相连，所述运算放大器的输出端顺次连接可调电阻R1和光电二极管，所述可调电阻R1两端分别为电压信号输出端，其特征在于，其还包括MOS管PM0和MOS管PM1，所述MOS管PM0和所述MOS管PM1的源端相连后连接电流源一端、bulk端相连后连接电阻R2一端、栅端相连后接地，所述电流源另一端与所述电阻另一端均连接电源VDD，所述MOS管PM1的漏端接地，所述MOS管PM0的漏端连接所述运算放大器的正相输入端和电容C0一端，所述电容C0另一端接地。其进一步特征在于，所述MOS管PM0和所述MOS管PM1均为PMOS管。采用本专利技术的电路后，MOS管PM0和MOS管PM1的bulk端通过电阻R2接到VDD上，而电阻R2和MOS管PM0、MOS管PM1的寄生电容形成一个低通滤波器，MOS管PM0和MOS管PM1的bulk端的电压比较稳定，可以有效的改善电路的PSRR，提高了电路的性能。附图说明图1为红外接收原理图；图2为传统的I-V电路原理图；图3为本专利技术的I-V电路原理图；图4为传统电路和本专利技术电路的PSRR结果对比图。具体实施方式见图3所示，一种红外接收模块的I-V电路，其包括运算放大器1、PMOS管PM0和PMOS管PM1，运算放大器1的反相输入端与输出端相连，运算放大器1的输出端顺次连接可调电阻R1和光电二极管2，这边的光电二极管为外接的，即为图1中的最左侧的光电二极管，可调电阻R1两端分别为电压信号输出端VOUTN和VOUTP，输出电压信号给后端的前置放大器，PMOS管PM0和PMOS管PM1的源端相连后连接电流源3一端、bulk端相连后连接电阻R2一端、栅端相连后接地，电流源3另一端与电阻另一端均连接电源VDD，PMOS管PM1的漏端接地，PMOS管PM0的漏端连接运算放大器的正相输入端和电容C0一端，电容C0另一端接地。工作原理如下所述：电流流过PMOS管PM1，产生一个的Vds电压，为运算放大器1提供共模电压，但是这个Vds电压会随着电源纹波变化。PMOS管PM0和PMOS管PM1的bulk端通过电阻R2接到VDD上，而电阻R2和PMOS管PM0、PMOS管PM1的寄生电容形成一个低通滤波器，PMOS管PM0和PMOS管PM1的bulk端的电压比较稳定。PMOS管PM0工作线性区，电阻值很大，与电容C0和PMOS管PM0的寄生电容形成一个带宽很窄的低通滤波器，可以有效的滤除PMOS管PM1的Vds电压38KHz以上高频噪声。这样I-V输出信号在38KHz处可以明显改善，提高了电路的性能。两种结构电路的PSRR结果如图4所示，本专利技术的电路结构简单，应用效果明显。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外接收模块的I‑V电路，其包括运算放大器，所述运算放大器的反相输入端与输出端相连，所述运算放大器的输出端顺次连接可调电阻R1和光电二极管，所述可调电阻R1两端分别为电压信号输出端，其特征在于，其还包括MOS管PM0和MOS管PM1，所述MOS管PM0和所述MOS管PM1的源端相连后连接电流源一端、bulk端相连后连接电阻R2一端、栅端相连后接地，所述电流源另一端与所述电阻另一端均连接电源VDD，所述MOS管PM1的漏端接地，所述MOS管PM0的漏端连接所述运算放大器的正相输入端和电容C0一端，所述电容C0另一端接地。

【技术特征摘要】
1.一种红外接收模块的I-V电路，其包括运算放大器，所述运算放大器的反相输入端与输出端相连，所述运算放大器的输出端顺次连接可调电阻R1和光电二极管，所述可调电阻R1两端分别为电压信号输出端，其特征在于，其还包括MOS管PM0和MOS管PM1，所述MOS管PM0和所述MOS管PM1的源端相连后连接电流源一端、bulk端相连后连...

【专利技术属性】
技术研发人员：张南阳，马辉，
申请(专利权)人：无锡思泰迪半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32