电源异常保护装置及电磁加热系统制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
电源异常保护装置及电磁加热系统
本技术涉及电路
，具体地，涉及一种电源异常保护装置及电磁加热系统。
技术介绍
在电磁加热系统中，为了保证谐振电路的驱动信号稳定性，谐振电路中的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)驱动电压与主控芯片电源电压需要同时上电、掉电，但是由于实际应用环境存在电网波动、异常信号等干扰，导致IGBT驱动电压与主控芯片电源电压不能保证会同时上电和掉电，为了解决上述问题，现有技术中在电源模块中增加储能电容，以提高电源稳定性，但是还是无法彻底解决电源异常引起的主控芯片电源电压提前掉电或者延迟上电，从而导致电磁加热系统内其他功能模块不受控，例如，主控芯片电源电压异常时无法立即停止IGBT驱动，导致IGBT驱动电压不受控，可能引起电磁加热系统起火等严重后果。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种电源异常保护装置及电磁加热系统，解决了系统电源异常导致IGBT不受控的问题，保证了当系统电源异常时禁止IGBT开通，提高了电磁加热系统的稳定性。为了实现上述目的，本技术提供一种电源异常保护装置，包括依次连接的系统...
【技术保护点】
一种电源异常保护装置，其特征在于，包括依次连接的系统电源、比较器和执行单元，所述系统电源包括系统电源第一输出端和系统电源第二输出端，所述系统电源第一输出端和系统电源第二输出端分别接入所述比较器的输入端，所述比较器的输出端与所述执行单元连接，所述执行单元与绝缘栅双极型晶体管IGBT的G极连接，所述IGBT的G极与驱动单元连接并向所述驱动单元供电；其中，所述执行单元被配置为，根据所述系统电源异常时所述比较器的输出端的电压变化，将所述IGBT的G极电压拉低，以使得所述驱动单元停止工作。
【技术特征摘要】
1.一种电源异常保护装置，其特征在于，包括依次连接的系统电源、比较器和执行单元，所述系统电源包括系统电源第一输出端和系统电源第二输出端，所述系统电源第一输出端和系统电源第二输出端分别接入所述比较器的输入端，所述比较器的输出端与所述执行单元连接，所述执行单元与绝缘栅双极型晶体管IGBT的G极连接，所述IGBT的G极与驱动单元连接并向所述驱动单元供电；其中，所述执行单元被配置为，根据所述系统电源异常时所述比较器的输出端的电压变化，将所述IGBT的G极电压拉低，以使得所述驱动单元停止工作。2.根据权利要求1所述的电源异常保护装置，其特征在于，所述比较器的输出端的电压变化为电压由低电平翻转为高电平。3.根据权利要求2所述的电源异常保护装置，其特征在于，所述执行单元为三极管、场效应管、光耦或者可控硅中的任意一种，其中，所述三极管为NPN管，所述NPN管的基极连接所述比较器的输出端，集电极连接所述IGBT的G极，发射极接地；所述场效应管为N沟道型场效应管，所述N沟道型场效应管的栅极连接所述比较器的输出端，漏极连接所述IGBT的G极，源极接地；所述光耦的正极连接所述比较器的输出端。4.根据权利要求1所述的电源异常保护装置，其特征在于，所述比较器的输出端的电压变化为电压由高电平翻转为低电平。5.根据权利要求4所述的电源异常保护装置，其特征在于，所述执行单元为三极管、场效应管或者光耦中的任意一种，其中，所述三极管为PNP管，所述PNP管的基极连接所述比较器的输出端，发射极连接所述IGBT的G极，集电极接地；所述场效应管为P沟道型场效应管，所述P沟道型场效应管的栅极连接所述比较器的输出端，源极连接所述IGBT的G极，漏极接地；所述光耦的负极连接所述比较器的输出端。6.一种电磁加热系统，其特征在于，所述电磁加热系统包括上述权利要求1-5任一项所述的电源异常保护装置，还包括与系统电源第一输出端连接的主控芯片、与系统电源第二输出端连接的整流滤波单元、以及与所述整流滤波单元依次连接的谐振单元和驱动单元，其中，所述谐振单元中包括IGBT，所述IGB...
【专利技术属性】
技术研发人员：李睿，汪钊，王彪，宣龙健，周升，杜放，
申请(专利权)人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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