跨多个操作模式具有基本上恒定的操作性能的静态随机存取存储器(SRAM)阵列制造技术

所公开的诸方面包括跨多种操作模式具有基本上恒定的操作收益的静态随机存取存储器(SRAM)阵列。在一个方面，提供了一种设计具有多个操作模式的SRAM阵列的方法。该方法包括确定与每个操作模式相关联的性能特性。配置成在每个操作模式中操作的SRAM位单元被提供给SRAM阵列。使用动态自适应辅助技术来偏置SRAM位单元以在一个操作模式中操作，其中该SRAM位单元跨诸模式达成基本恒定的操作收益。该SRAM位单元具有对应的类型，其中该方法中的SRAM位单元类型的数目小于操作模式的数目。由此，每个SRAM阵列可以达成特定的操作模式而不针对每个模式要求单独的SRAM位单元，藉此减小成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】跨多个操作模式具有基本上恒定的操作性能的静态随机存取存储器(SRAM)阵列优先权要求本申请要求于2015年3月17日提交且题为“STATICRANDOMACCESSMEMORY(SRAM)ARRAYSHAVINGSUBSTANTIALLYCONSTANTOPERATIONALYIELDSACROSSMULTIPLEMODESOFOPERATION(跨多个操作模式具有基本上恒定的操作收益的静态随机存取存储器(SRAM)阵列)”的美国专利申请S/N.14/659,937的优先权，其通过引用整体纳入于此。背景I.公开领域本公开的技术一般涉及静态随机存取存储器(SRAM)阵列，并且尤其涉及设计较低功率、较高性能的SRAM阵列。II.
技术介绍
移动通信设备在当今社会已变得普及。这些移动设备的流行部分是由此类设备提供的广泛的功能性所驱动的。为了达成该广泛的功能性，移动设备被设计成达成较低功率操作以延长电池寿命，同时也支持较高性能、较高功率操作。此类设备中所采用的存储器在确定成功达成较低功率和较高性能操作二者中扮演重要的角色。就此而言，存在不同类型的存储器，每种存储器处理某些独特的特征。例如，静态随机存取存储器(SRAM)是一种可在移动通信设备中采用的存储器类型。不同于例如动态随机存取存储器(DRAM)，SRAM可以存储数据而无需周期性地刷新存储器。SRAM阵列包含按行和列组织的多个SRAM位单元(也被称为“位单元”)。对于SRAM阵列中的任何给定的行，SRAM阵列的每一列包括其中存储了单个数据值的SRAM位单元。读取或写入期望的SRAM位单元行的访问是由字线控制的，而数据值是使用对应的位线从特定SRAM位单元读取或写入到特定SRAM位单元的。SRAM阵列可以被设计成以较低功耗操作，其中此类设计还以较低性能操作。替换地，SRAM阵列可以被设计成达成较高性能操作，由此要求较高的功耗。设计成特定性能度量的SRAM阵列采用对应设计的SRAM位单元。例如，较高性能的SRAM阵列采用专门设计成以较高性能水平操作的SRAM位单元。此外，较低功率SRAM阵列采用专门设计成以较低功率电平操作的SRAM位单元。为了达成SRAM位单元中的变化的功率和性能水平，包括在SRAM阵列中的SRAM位单元可以被设计成在特定的参数(诸如特定的阈值电压、引脚数目、引脚的放置和金属区域)下操作。以这种方式，在较低功率的SRAM阵列中采用的SRAM位单元根据与在较高性能的SRAM阵列中采用的SRAM位单元相关联的参数不同的特定设计参数来操作。然而，针对每种类型的SRAM阵列要求不同的SRAM位单元设计可能导致与设计和制造相关联的较高成本。因此，提供以减小的成本达成宽范围的功能性的SRAM阵列将会是有益的。公开概述详细描述中所公开的诸方面包括跨多个操作模式具有基本上恒定的操作收益的静态随机存取存储器(SRAM)阵列在一方面，提供了一种设计SRAM阵列的示例性方法，其中SRAM阵列跨多个操作模式达成基本上恒定的操作收益(例如，读/写限制收益)。为了设计此类SRAM阵列，一种示例性方法包括确定与SRAM阵列的每种操作模式相关联的一组性能特性。基于这些性能特性，配置成在每个操作模式中操作的SRAM位单元被提供给SRAM阵列。SRAM位单元可以使用动态自适应辅助技术(例如，过驱动或欠驱动字线、向位线提供偏置电压，等等)来偏置以在期望的操作模式中操作，其中SRAM位单元跨每种操作模式达成基本恒定的操作收益。换言之，动态自适应辅助技术确定SRAM阵列于其中操作的操作模式(例如，较低功率、较高性能，等等)，其中动态自适应辅助技术导致操作收益在每种操作模式中基本恒定。此外，SRAM位单元具有对应的类型，其中该类型是基于SRAM位单元在不使用动态自适应辅助技术的情况下被设计成在其中操作的操作模式来确定的。该方法提供的SRAM位单元类型的数目小于SRAM阵列的操作模式的数目。换言之，该方法提供了跨多个操作模式具有基本上恒定的操作收益的SRAM阵列，其中特定的操作模式可以在不针对每种操作模式要求不同类型的SRAM位单元的情况下达成。通过使用此类设计方法，SRAM阵列可以用与采用设计成在一种操作模式中操作的SRAM位单元的SRAM阵列相比更低的成本来提供。就此而言，在一方面，提供了一种用于设计跨多个操作模式具有基本恒定的操作收益的SRAM阵列的方法。该方法包括确定SRAM阵列的多个操作模式中的每种操作模式的性能特性。该方法进一步包括向该SRAM阵列提供多个SRAM位单元，这多个SRAM位单元配置成基于一个或多个动态自适应辅助技术来在具有基本恒定的操作收益的该多个操作模式中操作，其中该多个SRAM位单元具有对应的类型，并且SRAM位单元的类型的数目小于操作模式的数目。该方法进一步包括使用该一个或多个动态自适应辅助技术来偏置该多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元以在该多个操作模式中的一个或多个对应的操作模式中操作。在另一方面，提供了一种SRAM阵列。该SRAM阵列包括偏置电路。该SRAM阵列进一步包括多个SRAM位单元。该多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元配置成基于一个或多个动态自适应辅助技术来在具有基本恒定的操作收益的多个操作模式中操作。该多个SRAM位单元具有对应的类型，并且SRAM位单元的类型的数目小于操作模式的数目。该多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元配置成由偏置电路使用该一个或多个动态自适应辅助技术来偏置以在该多个操作模式中的一个或多个对应的操作模式中操作。在另一方面，提供了一种SRAM阵列。该SRAM阵列包括用于确定SRAM阵列的多个操作模式中的每个操作模式的性能特性的装置。该SRAM阵列进一步包括用于向该SRAM阵列提供多个SRAM位单元的装置，这多个SRAM位单元配置成基于一个或多个动态自适应辅助技术来在具有基本恒定的操作收益的该多个操作模式中操作，其中该多个SRAM位单元具有对应的类型，并且SRAM位单元的类型的数目小于操作模式的数目。该SRAM阵列进一步包括用于使用该一个或多个动态自适应辅助技术来偏置该多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元以在该多个操作模式中的一个或多个对应的操作模式中操作的装置。在另一方面，一种具有存储于其上的计算机可执行指令的非瞬态计算机可读介质，该计算机可执行指令在由处理器执行时使得该处理器确定SRAM阵列的多个操作模式中的每个操作模式的性能特性。该计算机可执行指令进一步使得该处理器向该SRAM阵列提供多个SRAM位单元，这多个SRAM位单元配置成基于一个或多个动态自适应辅助技术来在具有基本恒定的操作收益的该多个操作模式中操作，其中该多个SRAM位单元具有对应的类型，并且SRAM位单元的类型的数目小于操作模式的数目。该计算机可执行指令进一步使得该处理器使用该一个或多个动态自适应辅助技术来偏置该多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元以在该多个操作模式中的一个或多个对应的操作模式中操作。附图简述图1是解说用于使用最小电压(VMIN)设计方法体系来设计静态随机存取存储器(SRAM)阵列的示例性过程的示图；图2是解说使用VMIN设计方法体系设计的示例性标称性能SRAM阵列的未经利用的操作收益(operationa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于设计跨多个操作模式具有基本恒定的操作收益的静态随机存取存储器(SRAM)阵列的方法，包括：确定SRAM阵列的多个操作模式中的每个操作模式的性能特性；向所述SRAM阵列提供多个SRAM位单元，所述多个SRAM位单元配置成基于一个或多个动态自适应辅助技术来在具有基本恒定的操作收益的多个操作模式中操作，其中所述多个SRAM位单元具有对应的类型，并且SRAM位单元的类型的数目小于操作模式的数目；以及使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元以在所述多个操作模式中的一个或多个对应的操作模式中操作。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.17 US 14/659,9371.一种用于设计跨多个操作模式具有基本恒定的操作收益的静态随机存取存储器(SRAM)阵列的方法，包括：确定SRAM阵列的多个操作模式中的每个操作模式的性能特性；向所述SRAM阵列提供多个SRAM位单元，所述多个SRAM位单元配置成基于一个或多个动态自适应辅助技术来在具有基本恒定的操作收益的多个操作模式中操作，其中所述多个SRAM位单元具有对应的类型，并且SRAM位单元的类型的数目小于操作模式的数目；以及使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元以在所述多个操作模式中的一个或多个对应的操作模式中操作。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元包括使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元以在较高性能模式中操作。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元包括使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元以在标称性能模式中操作。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元包括使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元以在较低功率模式中操作。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元包括过驱动对应于所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元的字线。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元包括欠驱动对应于所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元的字线。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元包括向对应于所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元的位线提供偏置电压。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，偏置所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元包括向对应于所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元的多个晶体管中的一个或多个晶体管的背栅极施加偏置电压。9.一种静态随机存取存储器(SRAM)阵列，包括：偏置电路；多个SRAM位单元，其中：所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元配置成基于一个或多个动态自适应辅助技术来在具有基本恒定的操作收益的多个操作模式中操作；所述多个SRAM位单元具有对应的类型，并且SRAM位单元的类型的数目小于操作模式的数目；以及所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元配置成由所述偏置电路使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置以在所述多个操作模式中的一个或多个对应的操作模式中操作。10.如权利要求9所述的SRAM阵列，其特征在于，所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元被进一步配置成使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置以在较高性能模式中操作。11.如权利要求9所述的SRAM阵列，其特征在于，所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元被进一步配置成使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置以在标称性能模式中操作。12.如权利要求9所述的SRAM阵列，其特征在于，所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元被进一步配置成使用所述一个或多个动态自适应辅助技术来偏置以在较低功率模式中操作。13.如权利要求9所述的SRAM阵列，其特征在于，所述多个SRAM位单元中的每个SRAM位单元被进一步配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·N·莫江德，P·刘，S·S·宋，Z·王，C·F·耶普，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US