底漆组合物、粘附方法和电/电子部件技术

本发明专利技术题为“底漆组合物、粘附方法和电/电子部件”。本发明专利技术的底漆组合物包含：(A)由以下平均单元式表示的有机硅氧烷嵌段共聚物：(R

Primer composition, adhesion method and electrical / electronic components

The invention is entitled \primer composition, adhesion method and electrical / electronic components\. The primer composition of the present invention includes: (A) organosiloxane block copolymers represented by the following mean unit type: (R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】底漆组合物、粘附方法和电/电子部件
本专利技术涉及底漆组合物、使用所述组合物的粘附方法和使用所述组合物的电/电子部件。
技术介绍
对于诸如光学半导体器件(LED)的电/电子部件，用有机硅固化产品密封光学半导体元件以改善其可靠性。当使用硅氢化反应中的可固化的有机硅组合物以形成该有机硅固化产物时，通过固化组合物得到的有机硅固化产物对光学半导体元件、包装材料、基板等基底材料的粘附性不足。具体地，具有较低表面粘性、较低的灰尘粘附力等和高硬度的有机硅固化产物对基底材料的粘附性不足。为了改善有机硅固化产物对基底材料的粘附性，已知基底材料已预先用底漆组合物处理。作为该底漆组合物，已知的是：例如包含丙烯酰基类聚合物、硅烷醇缩合催化剂和硅烷偶联剂的底漆组合物(参见专利文献1)；包含具有环氧基基团和硅原子键合的烷氧基基团的有机硅氧烷低聚物和有机溶剂的底漆组合物(参见专利文献2)；以及包含硅烷偶联剂、路易斯酸的有机铝化合物和有机溶剂的底漆组合物(参见专利文献3)。遗憾的是，即使这些底漆组合物也具有不足的粘附力的问题。此外，由于LED的小型化以及由LED的高亮度引起的发热量的增加，近年来，在热循环下，有机硅固化产物与基底材料之间容易发生剥离或断裂。现有技术文献专利文献专利文献1：日本未经审查的专利申请公布No.2004-339450专利文献2：日本未经审查的专利申请公布No.2006-253398专利文献3：日本未经审查的专利申请公布No.2007-246803
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提供一种改善有机硅固化产物对光学半导体元件、包装材料、基板等基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂的底漆组合物。此外，本专利技术的另一目的是提供一种改善有机硅固化产物对基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂的粘附方法。此外，本专利技术的另一目的是提供一种改善有机硅固化产物对基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂的电/电子部件。问题的解决方案本专利技术的底漆组合物包含：(A)由以下平均单元式表示的有机硅氧烷嵌段共聚物：(R12SiO2/2)a(R2SiO3/2)b其中每个R1和R2独立地为碳数为1至12的烷基基团，碳数为6至20的芳基基团或碳数为7至20的芳烷基基团，“a”为在0.40至0.90范围内的数，“b”为在0.10至0.60范围内的数，并且“a+b”＝1.00，并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物除在25℃下为固体且具有200℃或更低的软化点之外，还具有0.5摩尔％至35.0摩尔％的硅原子键合的羟基基团或硅原子键合的烷氧基基团，其中由下式表示的树脂硅氧烷嵌段：[R2SiO3/2]其中R2与上述相同，通过由下式表示的直链硅氧烷嵌段来连接：-(R12SiO2/2)n-其中R1与上述相同，并且“n”为在10至400范围内的数；(B)促进本组合物固化的量的固化催化剂；以及(C)任意量的有机溶剂。本专利技术的粘附方法包括：将上述底漆组合物施加到基底材料上；去除有机溶剂；以及随后将可固化的有机硅组合物施加到所得到的底漆层上以用于固化。本专利技术的电/电子部件包括电/电子基底材料、在基底材料上的底漆层和在底漆层上的有机硅固化产物，其中底漆层由上述底漆组合物形成。本专利技术的有利效果本专利技术的底漆组合物改善了有机硅固化产物对光学半导体元件、包装材料、基板等基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂。此外，本专利技术的粘附方法改善了有机硅固化产物对基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂。此外，本专利技术的电/电子部件改善了有机硅固化产物对基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂。附图说明图1是作为本专利技术的电/电子部件的一个示例的板上芯片(COB)型的光学半导体器件的剖视图。图2是作为本专利技术的另一电/电子部件的一个示例的板上芯片(COB)型的光学半导体器件的剖视图。具体实施方式[底漆组合物]用于组分(A)的有机硅氧烷嵌段共聚物由以下平均单元式表示：(R12SiO2/2)a(R2SiO3/2)b。在式中，每个R1和R2独立地为碳数为1至12的烷基基团、碳数为6至20的芳基基团或碳数为7至20的芳烷基基团。其具体示例可包括烷基基团，诸如甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、新戊基基团、己基基团、环己基基团、辛基基团、壬基基团和癸基基团；芳基基团，诸如苯基基团、甲苯基基团、二甲苯基基团和萘基基团；和芳烷基基团，诸如苄基基团、苯乙基基团和苯丙基基团；R1优选地为烷基基团和/或芳基基团，特别优选地为甲基基团或苯基基团。R2优选地为芳基基团，特别优选地为苯基基团。在式中，“a”为在0.40至0.90范围内的数，优选地为在0.50至0.90范围内的数，或在0.60至0.90范围内的数。在式中，“b”为在0.10至0.60范围内的数，优选地为在0.10至0.50范围内的数，或在0.10至0.40范围内的数。注意，在式中，“a+b+c”＝1.00。此外，在组分(A)中，由下式表示的树脂硅氧烷嵌段：[R2SiO3/2]与由下式表示的直链硅氧烷嵌段连接：-(R12SiO2/2)n-。在由下式表示的树脂硅氧烷嵌段中：[R2SiO3/2]，R2为碳数为1至12的烷基基团、碳数为6至20的芳基基团或碳数为7至20的芳烷基基团，以与上述相同的基团为例。此外，该树脂硅氧烷嵌段的重均分子量没有限制，并且优选地为至少500。这是指该树脂硅氧烷嵌段包含至少三个或更多个由下式表示的三硅氧烷单元：R2SiO3/2。注意，该重均分子量来源于作为原料的树脂硅氧烷，其中可经由凝胶渗透色谱法(GPC)测量原树脂硅氧烷。此外，在由下式表示的直链硅氧烷嵌段中：-(R12SiO2/2)n-，每个R1独立地为碳数为1至12的烷基基团、碳数为6至20的芳基基团或碳数为7至20的芳烷基基团，以与上述相同的基团为例。用于组分(A)的有机硅氧烷嵌段共聚物包含二硅氧基[R12SiO2/2]单元和三硅氧烷[R2SiO3/2]单元，还包含0.5摩尔％至35.0摩尔％，优选地2摩尔％至32摩尔％的硅原子键合的羟基基团[≡SiOH]或硅原子键合的烷氧基基团[≡SiOR]。该烷氧基基团的示例可包括碳数为1至4的烷氧基基团，诸如甲氧基基团、乙氧基基团、丙氧基基团、异丙氧基基团、丁氧基基团、异丁氧基基团或叔丁氧基基团。该硅原子键合的羟基基团或硅原子键合的烷氧基基团存在于在有机硅氧烷嵌段共聚物中的任意甲硅烷氧基单元上，其中该硅原子键合的羟基基团或硅原子键合的烷氧基基团能够反应以使该组合物固化。注意，在用于组分(A)的有机硅氧烷嵌段共聚物中的二硅氧基[R12SiO2/2]单元和三硅氧基[R2SiO3/2]单元的摩尔分数，以及在有机硅氧烷嵌段共聚物中的硅原子键合的羟基基团[≡SiOH]或硅原子键合的烷氧基基团[≡SiOR]的含量可通过29Si核磁共振谱(NMR)测定。组分(A)在25℃下为固体并且具有200℃或更低的软化点。软化点的优选上限为150℃或更低、或者100℃或更低，同时优选的其下限为30℃或更高、或者50℃或更高。另外，组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种底漆组合物，包含：(A)由以下平均单元式表示的有机硅氧烷嵌段共聚物：(R

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.26 JP 2015-0374521.一种底漆组合物，包含：(A)由以下平均单元式表示的有机硅氧烷嵌段共聚物：(R12SiO2/2)a(R2SiO3/2)b其中每个R1和R2独立地为碳数为1至12的烷基基团，碳数为6至20的芳基基团或碳数为7至20的芳烷基基团，“a”为在0.40至0.90范围内的数，“b”为在0.10至0.60范围内的数，并且“a+b”＝1.00，所述有机硅氧烷嵌段共聚物除在25℃下为固体且具有200℃或更低的软化点之外，还具有0.5摩尔％至35.0摩尔％的硅原子键合的羟基基团或硅原子键合的烷氧基基团，其中由下式表示的树脂硅氧烷嵌段：[R2SiO3/2]其中R2与上述相同，通过由下式表示的直链硅氧烷嵌段来连接：-(R12SiO2/2)n-其中R1与上述相同，并且“n”为在10至400范围内的数；(B)促进本组合物固化的量的固化催化剂；以及(C)任意量的有机溶剂。2.根据权利要求1所述的底漆组合物，其中组分(A)中的R1为烷基基团和/或芳基基团。3.根据权利要求1或2所述的底漆组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎亮介，吉田宏明，吉田伸，
申请(专利权)人：道康宁东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP