一种新型高增益Z源半桥逆变器制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种新型高增益Z源半桥逆变器
本技术涉及电力电子电路
，具体涉及一种新型高增益Z源半桥逆变器电路。
技术介绍
对于常规的半桥逆变器，其逆变桥臂是与直流电压源直接并联的。但是当逆变桥臂上下两个开关管因电磁干扰误触发而同时导通时，就会在其上流过非常大的电流而使开关损坏。而且，这类半桥逆变器的交流输出电压的幅值只有直流输入电压的一半，输出电压范围较窄，属于降压型逆变器。为了提高交流侧输出电压的幅值，传统的做法是在逆变器直流侧加入一个DC/DC升压环节，构成了一个具有DC/DC和DC/AC的两级功率变换的变换器，这在一定程度上增加了整个系统的体积和容量，也增加了能量传递中的开关损耗和控制的复杂性。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种新型高增益Z源半桥逆变器，具体技术方案如下。一种新型高增益Z源半桥逆变器，包括两个相同的第一电压源和第二电压源、第一MOS管、第二MOS管、高增益的Z源阻抗网络和负载电阻；所述高增益的Z源阻抗网络由第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容、第二电容、第三电容、第四...
【技术保护点】
一种新型高增益Z源半桥逆变器，其特征在于包括两个相同的第一电压源（Vi1）和第二电压源（Vi2）、第一MOS管（S1）、第二MOS管（S2）、高增益的Z源阻抗网络和负载电阻（
【技术特征摘要】
1.一种新型高增益Z源半桥逆变器，其特征在于包括两个相同的第一电压源（Vi1）和第二电压源（Vi2）、第一MOS管（S1）、第二MOS管（S2）、高增益的Z源阻抗网络和负载电阻（RL）；所述高增益的Z源阻抗网络由第一电感（L1）、第二电感（L2）、第三电感（L3）、第四电感（L4）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、第三二极管（D3）、第四二极管（D4）、第一电容（C1）、第二电容（C2）、第三电容（C3）、第四电容（C4）和第五二极管（Da）及第六二极管（Db）构成；所述第一电压源（Vi1）的正极与第一MOS管（S1）的漏极连接；所述第一MOS管（S1）的源极分别与第二二极管（D2）的阳极、第四电感（L4）的一端、第一电容（C1）的负极和第三电容（C3）的负极连接；所述第四电感（L4）的另一端分别与第四二极管（D4）的阳极和第四电容（C4）的负极连接；所述第四二极管（D4）的阴...
【专利技术属性】
技术研发人员：张波，朱小全，丘东元，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东,44
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