电源转换器电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电源转换器电路，包括：输入电压电路节点；接地电压电路节点；电感器，包括电感值；晶体管；电阻器，电感器、晶体管和电阻器串联耦接在输入电压电路节点与接地电压电路节点之间；以及控制器电路，包括：耦接至晶体管与电阻器之间的电路节点的输入端子；耦接至晶体管的控制端子的输出端子；和存储的表，包括用于电感器的潜在电感值范围的电感器的多个期望电流值，其导致电源转换器在电感器的潜在电感值范围上固定的输出功率，控制器被配置成在流过电感器的电流等于表中对应于电感器电感值的期望电流值时断开晶体管。解决的技术问题是电源转换器电路在潜在电感值范围上提供固定的输出功率，技术效果是提供改进的电源转换器电路。

【技术实现步骤摘要】
电源转换器电路要求本国优先权本申请要求AjayKarthikHARI和BryanMCCOY专利技术，并于2016年3月29日提交的名称为“LIGHTLOADOPERATIONOFHIGHFREQUENCYPOWERCONVERTER”(高频电源转换器的轻负载操作)的美国临时申请No.62/314,709的权益，且该申请以引用方式并入本文，并且据此要求其对共同主题的优先权。
本技术整体涉及半导体器件，并且更具体地讲涉及电源转换器电路。
技术介绍
半导体器件在现代电子产品中很常见。电子部件中半导体器件的数量和密度各不相同。半导体器件可执行多种多样的功能，诸如模数信号处理、传感器、电磁信号的发送和接收、电子器件控制、功率管理以及音频/视频信号处理。分立半导体器件通常包含一种类型的电子部件，例如，发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、二极管、整流器、晶闸管以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件通常包括数百至数百万的电子部件。集成半导体器件的例子包括微控制器、专用集成电路(ASIC)、功率转换、标准逻辑、放大器、时钟管理、存储器、接口电路以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源转换器电路，其特征在于包括：输入电压电路节点；接地电压电路节点；第一电感器，所述第一电感器包括电感值；第一晶体管；第一电阻器，其中所述第一电感器、所述第一晶体管和所述第一电阻器串联耦接在所述输入电压电路节点与所述接地电压电路节点之间；以及控制器电路，所述控制器电路包括：所述控制器的输入端子，所述输入端子耦接至所述第一晶体管与所述第一电阻器之间的电路节点，所述控制器的输出端子，所述输出端子耦接至所述第一晶体管的控制端子，和存储的表，所述存储的表包括用于所述第一电感器的潜在电感值范围的所述第一电感器的多个期望的电流值，所述第一电感器的多个期望的电流值导致所述电源转换器电路在所述第一电感器的...

【技术特征摘要】
2016.03.29 US 62/314,709;2016.08.03 US 15/227,8221.一种电源转换器电路，其特征在于包括：输入电压电路节点；接地电压电路节点；第一电感器，所述第一电感器包括电感值；第一晶体管；第一电阻器，其中所述第一电感器、所述第一晶体管和所述第一电阻器串联耦接在所述输入电压电路节点与所述接地电压电路节点之间；以及控制器电路，所述控制器电路包括：所述控制器的输入端子，所述输入端子耦接至所述第一晶体管与所述第一电阻器之间的电路节点，所述控制器的输出端子，所述输出端子耦接至所述第一晶体管的控制端子，和存储的表，所述存储的表包括用于所述第一电感器的潜在电感值范围的所述第一电感器的多个期望的电流值，所述第一电感器的多个期望的电流值导致所述电源转换器电路在所述第一电感器的潜在电感值范围上固定的输出功率，其中所述控制器被配置成在流过所述第一电感器的电流等于所述存储的表中对应于所述第一电感器的所述电感值的期望的电流值时，断开所述第一晶体管。2.根据权利要求1所述的电源转换器电路，还包括磁耦合至所述第一电感器的第二电感器。3.根据权利要求1所述的电源转换器电路，还包括耦接在所述控制器与所述第一晶体管之间的推晶体管和挽晶体管。4.根据权利要求1所述的电源转换器电路，还包括：电容器；以及第二晶体管，其中所述电容器和所述第二晶体管串联耦接在所述输入电压电路节点与所述第一晶体管之间。5.根据权利要求1所述的电源转换器电路，还包括：振荡器，所述振荡器耦接至所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·K·哈利，B·W·麦考伊，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US