【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】配置成使用数字信号处理指令对可变长度向量进行操作的向量处理器相关申请的交叉引用本申请要求2015年2月2日提交的美国临时专利申请62/110840和2015年5月19日提交的申请号为14/716285的美国技术专利的权益,这两个申请的公开内容通过引用被全部包含于本文中。
本公开的实施方式涉及向量处理器,且特别地涉及包括使用数字信号处理指令对可变长度向量操作的一个或多个指令的向量处理器的架构和实现。
技术介绍
向量指令是使用一个指令对一组值进行执行的指令。例如,在x86架构的流式SIMD扩展(SSE)指令ADDPS$xmm0,$xmm1(对封装的单精度浮点值求和)中,两个xmm寄存器每个保存4个单精度浮点值,它们被加到一起并存储在第一寄存器中的。这个行为等效于伪码序列:for(i=0;i<4;i++)$xmm0[i]=$xmm0[i]+$xmm1[i]该组值可来自寄存器、存储器或这两者的组合。保存通常预期由向量指令使用的几组值的寄存器被称为向量寄存器。在一组中的值的数量被称为向量长度。在一些例子中,向量长度也用于描述由向量指令执行的操作的数量。通常,在向量寄存器中的值的数量和在调用向量寄存器的相应向量指令中的操作的数量是相同的,但它们在某些情况中可以是不同的。包括向量指令的指令集架构被称为向量ISA或向量架构。实现向量ISA的处理器被称为向量处理器。向量ISA——其中所有向量指令从存储器读取它们的向量输入并写到存储器而不使用任何向量寄存器——被称为存储器到存储器向量或存储器-向量架构。向量ISA——其中所有向量指令除了加载或存储以外只使用向量寄存器而不 ...
【技术保护点】
一种计算机处理器,包括:向量单元,其包括:向量寄存器文件,其包括一个或多个寄存器以保存变化数量的元素;以及处理逻辑,其被配置成使用一个或多个数字信号处理指令来对所述向量寄存器文件中的变化数量的元素进行操作。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.02 US 62/110840;2015.05.19 US 14/7162851.一种计算机处理器,包括:向量单元,其包括:向量寄存器文件,其包括一个或多个寄存器以保存变化数量的元素;以及处理逻辑,其被配置成使用一个或多个数字信号处理指令来对所述向量寄存器文件中的变化数量的元素进行操作。2.如权利要求1所述的计算机处理器,其中所述计算机处理器被实现为单片集成电路。3.如权利要求1或2所述的计算机处理器,还包括向量长度寄存器文件,其包括一个或多个向量长度寄存器,其中所述一个或多个向量长度寄存器被用于指定所述信号处理逻辑操作的元素的数量。4.如权利要求3所述的计算机处理器,其中所述一个或多个数字信号处理指令是多个向量的重复的点积,其中所述多个向量中每个向量包括具有在元素的较长向量内的各种位置的短向量,其中所述多个向量被保存在所述向量寄存器文件中的一个或多个寄存器内,以及点积的长度和点积的数量是部分地根据所述一个或多个向量长度寄存器的内容来确定的。5.如权利要求1或4所述的计算机处理器,其中所述一个或多个数字信号处理指令是在元素的较长向量内具有各种位置的短向量的重复的点积。6.如权利要求1或4至5中任一项所述的计算机处理器,其中所述一个或多个数字信号处理指令是快速傅里叶变换。7.如权利要求6所述的计算机处理器,其中所述向量寄存器文件的一个或多个寄存器包括第一向量寄存器和第二向量寄存器,所述第一向量寄存器包含所述向量寄存器文件中正在被变换的一组元素,所述第二向量寄存器保存相应的一组旋转因子。8.如权利要求7所述的计算机处理器,其中所述快速傅里叶变换小于所述第一向量寄存器中元素的数量并且所述快速傅里叶变换被重复地应用于所述第一向量寄存器中的所有元素。9.如权利要求6或8所述的计算机处理器,其中第一对向量寄存器包含正在被变换的一组元素,且第三向量寄存器包含相应的一组旋转因子。10.如权利要求9所述的计算机处理器,其中所述快速傅里叶变换小于所述第一对向量寄存器中元素的数量并且所述快速傅里叶变换被重复地应用于所述第一对向量寄存器中的所有元素。11.如权利要求3或10所述的计算机处理器,其中所述一个或多个数字信号处理指令是radix-2快速傅里叶变换。12.如权利要求11所述的计算机处理器,其中第一向量寄存器包含正在被变换的一组元素,并且第二向量寄存器包含相应的一组旋转因子,其中正在被变换的元素的数量是部分地根据至少一个向量长度寄存器的内容来确定的。13.如权利要求12所述的计算机处理器,其中所述radix-2快速傅里叶变换小于所述第一向量寄存器中元素的数量并且所述radix-2快速傅里叶变换被重复地应用于所述第一向量寄存器的所有元素。14.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·慕德吉尔,G·J·纳赛尔,C·J·格洛斯内尔,A·J·赫内,P·赫特利,M·森蒂尔威兰,P·鲍拉佐拉,V·卡拉什尼科夫,S·阿格拉沃尔,
申请(专利权)人:优创半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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