层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜
本专利技术涉及一种层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜。尤其涉及一种用于使用载体基材的晶片装置的处理的层叠体、及用于上述层叠体的临时粘接用组合物。
技术介绍
集成电路(IC)和大规模集成电路(LSI)等半导体器件的制造工艺中，在器件晶片上形成多个IC芯片，通过切割单片化。随着电子设备的进一步的小型化及高性能化的需求，也对搭载于电子设备的IC芯片要求进一步的小型化及高集成化，但是器件晶片的面方向上的集成电路的高集成化已趋于极限。作为从IC芯片内的集成电路向IC芯片的外部端子的电连接方法，在以往引线接合法被广为人知，但是为了实现IC芯片的小型化，近年来已知有在器件晶片设置贯穿孔，并以作为外部端子的金属插头贯穿在贯穿孔内的方式与集成电路连接的方法(所谓的形成硅贯穿电极(TSV)的方法)。然而，仅以形成硅贯穿电极的方法，无法迎合对上述近年来的IC芯片进一步的高集成化的需求。鉴于以上，已知有通过将IC芯片内的集成电路多层化来提高器件晶片的每单位面积的集成度的技术。然而，集成电路的多层化中会使IC芯片的厚度增加，因此需要构成IC芯片的部件...
【技术保护点】
一种层叠体，其依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材，其中，所述临时粘接膜在25℃时的以JIS K 7161:1994为基准的拉伸弹性模量E为25～2000MPa，在25℃的温度下固定所述层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度在与所述另一基材的基材面垂直的方向提拉另一基材的端部，由此可进行剥离，并且使用力传感器测定所述提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.23 JP 2015-060078;2016.02.29 JP 2016-038241.一种层叠体，其依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材，其中，所述临时粘接膜在25℃时的以JISK7161:1994为基准的拉伸弹性模量E为25～2000MPa，在25℃的温度下固定所述层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度在与所述另一基材的基材面垂直的方向提拉另一基材的端部，由此可进行剥离，并且使用力传感器测定所述提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，临时粘接膜的表面自由能为30mJ/m2以下，其中，表面自由能是指根据水、乙二醇及二碘甲烷相对于临时粘接膜的接触角由扩展Fowkes式获得的值。3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度190℃时的以JISK7244-6:1999为基准的剪切储存弹性模量G’为0.1～1MPa。4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度25℃时的以JISK7244-4:1999为基准的拉伸储存弹性模量E’为150～900MPa。5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度190℃时的以JISK7244-6:1999为基准的剪切储存弹性模量G’与临时粘接膜的25℃时的以JISK7244-4:1999为基准的拉伸储存弹性模量E’之间的比E’/G’满足E’/G’≤3500。6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠体，其中，以升温速度5℃/分钟升温至250℃并以JISK6862:1984为基准的临时粘接膜的熔融粘度为10,000Pa·s以上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度200℃、负载10kg时的以JISK7210:1999为基准的，熔体流动速率为20.0g/10分钟以下。8.根据权利要求1至7中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度60℃时的塑性变形开始压力P60为0.2MPa以上，其中，塑性变形开始压力是指将设置于硅晶片上的厚度40μm的临时粘接膜加热至60℃的同时，从与临时粘接膜的膜面垂直的方向压紧5秒钟由5mm×10mm硅构成的芯片，去除芯片之后，用光学显微镜观察接触有芯片的部位，压紧的部位的膜厚降低10μm以上时的压力。9.根据权利要求1至8中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜通过旋涂法将临时粘接用组合物形成于第一基材及第二基材的一个表面而成、或者通过刮板涂法将临时粘接用组合物形成于第一基材及第二基材的一个表面而成、或者通过施加热量及压力将薄膜状的临时粘接膜进行层压来形成于第一基材及第二基材的一个表面而成。10.根据权利要求1至9中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：加持义贵，岩井悠，泽野充，小山一郎，中村敦，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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