一种N型双面太阳能电池片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种N型双面太阳能电池片及其制作方法，包括：提供一N型多晶硅片；在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层；在所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面钝化层、及在所述N型多晶硅片的背面形成背面钝化层；在所述正面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面栅线电极、及在所述背面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成背面栅线电极。由上述内容可知，本发明专利技术提供的技术方案，采用N型多晶硅片制作太阳能电池片，能够大大降低太阳能电池片的制作成本；以及，将太阳能电池片制作N型双面太阳能电池片，使得太阳能电池片的双面均能够发电，进而有效的提高太阳能电池片的光电转换效率。

A N type double sided solar cell sheet and its manufacturing method

The invention discloses a N type double sided solar cell and manufacturing method thereof, comprising: providing a N type polysilicon film; in front of the N type diffusion polysilicon film of a P type diffusion layer; in the P type diffusion layer from the side of the N type polysilicon film forming a passivation layer, and in the front the back of the N type polysilicon film is formed on the back of the passivation layer; the front passivation layer away from the side of the N type polysilicon film is formed in the front gate line electrode, and the passivation layer from the back side of the N type polysilicon gate electrode formed on the back of the line. From the above result, the technical scheme of the invention, the production of N type polycrystalline silicon solar battery, which can greatly reduce the production cost of solar cell; and, the solar cell production of N type double-sided film solar cells, the solar cells are able to double the power, and improve the efficiency of solar cells the efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种N型双面太阳能电池片及其制作方法
本专利技术涉及太阳能电池片
，更为具体的说，涉及一种N型双面太阳能电池片及其制作方法。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源，并受到了广泛的关注。在太阳能电池所使用的基底材料中，N型硅比P型硅具有更长的少子寿命，N型硅的光衰减性能则更为稳定，因此，在N型硅片上进行电池制作形成的N型太阳能电池片的相比P型太阳能电池片优势较大。但是，现有的N型太阳能电池的成本较高，并且N型太阳能电池片的光电转换效率有待提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种N型双面太阳能电池片及其制作方法，采用N型多晶硅片制作太阳能电池片，能够大大降低太阳能电池片的制作成本；以及，将太阳能电池片制作N型双面太阳能电池片，使得太阳能电池片的双面均能够发电，进而有效的提高太阳能电池片的光电转换效率。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种N型双面太阳能电池片的制作方法，包括：提供一N型多晶硅片；在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层；在所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面钝化层、及在所述N型多晶硅片的背面形成背面钝化层；在所述正面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面栅线电极、及在所述背面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成背面栅线电极。可选的，在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层包括：采用热扩散工艺在所述N型多晶硅片的正面扩散一所述P型扩散层、及同时在所述N型多晶硅片的背面扩散一辅助P型扩散层；刻蚀去除所述辅助P型扩散层。可选的，采用刻蚀溶液刻蚀去除所述辅助P型扩散层；其中，所述刻蚀溶液为氢氧化钾溶液，所述氢氧化钾溶液的浓度范围为1％～10％，包括端点值；或者，所述刻蚀溶液为氢氟酸、硝酸和水的混合溶液，所述氢氟酸：硝酸：水的浓度比例范围为1:3:1～1:3:2，包括端点值。可选的，在形成所述P型扩散层后，且在形成所述正面钝化层和所述背面钝化层之前，还包括：在N型多晶硅片的背面扩散一N+扩散层，其中，所述背面钝化层位于所述N+扩散层背离所述N型多晶硅片一侧。可选的，所述正面钝化层包括：位于所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧的第一氮化硅层；及，位于所述第一氮化硅层和所述P型扩散层之间的氧化铝层或二氧化硅层。可选的，所述氧化铝层的厚度范围为3nm～15nm，包括端点值；及，所述二氧化硅层的厚度范围为0.5nm～2nm，包括端点值；其中，位于所述第一氮化硅层和所述P型扩散层之间为所述氧化铝层时，所述第一氮化硅层的厚度范围为63nm～75nm，包括端点值；及，位于所述第一氮化硅层和所述P型扩散层之间为所述二氧化硅层时，所述第一氮化硅层的厚度范围为75nm～78nm，包括端点值。可选的，所述背面钝化层为第二氮化硅层。可选的，所述第二氮化硅层的厚度范围为70nm～120nm，包括端点值。可选的，所述正面栅线电极采用银铝浆制作而成；及，所述背面栅线电极采用银浆制作而成。相应的，本专利技术还提供了一种N型双面太阳能电池片，所述N型双面太阳能电池片采用上述的N型双面太阳能电池片的制作方法制作而成。相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：本专利技术提供了一种N型双面太阳能电池片及其制作方法，包括：提供一N型多晶硅片；在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层；在所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面钝化层、及在所述N型多晶硅片的背面形成背面钝化层；在所述正面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面栅线电极、及在所述背面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成背面栅线电极。由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，采用N型多晶硅片制作太阳能电池片，能够大大降低太阳能电池片的制作成本；以及，将太阳能电池片制作N型双面太阳能电池片，使得太阳能电池片的双面均能够发电，进而有效的提高太阳能电池片的光电转换效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种N型双面太阳能电池的制作方法的流程图；图2a～图2d为与图1中各步骤相应的结构流程图；图3为本申请实施例提供的另一种N型双面太阳能电池的制作方法的流程图；图4为本申请实施例提供的一种N型双面太阳能电池的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，在太阳能电池所使用的基底材料中，N型硅比P型硅具有更长的少子寿命，N型硅的光衰减性能则更为稳定，因此，在N型硅片上进行电池制作形成的N型太阳能电池片的相比P型太阳能电池片优势较大。但是，现有的N型太阳能电池的成本较高，并且N型太阳能电池片的光电转换效率有待提高。基于此，本申请实施例提供了一种N型双面太阳能电池片及其制作方法，采用N型多晶硅片制作太阳能电池片，能够大大降低太阳能电池片的制作成本；以及，将太阳能电池片制作N型双面太阳能电池片，使得太阳能电池片的双面均能够发电，进而有效的提高太阳能电池片的光电转换效率。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图4对本申请实施例提供的技术方案进行详细的说明。参考图1所示，为本申请实施例提供的一种N型双面太阳能电池片的制作方法的流程图，其中，制作方法包括：S1、提供一N型多晶硅片；S2、在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层；S3、在所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面钝化层、及在所述N型多晶硅片的背面形成背面钝化层；S4、在所述正面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面栅线电极、及在所述背面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成背面栅线电极。由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，采用N型多晶硅片制作太阳能电池片，能够大大降低太阳能电池片的制作成本；以及，将太阳能电池片制作N型双面太阳能电池片，使得太阳能电池片的双面均能够发电，进而有效的提高太阳能电池片的光电转换效率。下面结合其他附图对本申请实施例提供的N型双面太阳能电池的制作方法进行更为详细的描述。其中，图2a至图2d为与图1中各步骤相应的结构流程图。参考图2a所示，对应步骤S1`，本申请实施例提供的制作方法，首先提供一N型多晶硅片100。进一步的，在获取了N型多晶硅片后、且在进行P型扩散前，可以对N型多晶硅片的正面和背面进行制绒工艺，使得N型多晶硅片的正面和背面呈绒面，而形成金字塔形貌。其中，可以采用RIE(ReactiveIonEtching，反应离子刻蚀)制绒工艺和MCT(MetalCatalyzedT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：提供一N型多晶硅片；在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层；在所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面钝化层、及在所述N型多晶硅片的背面形成背面钝化层；在所述正面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面栅线电极、及在所述背面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成背面栅线电极。

【技术特征摘要】
1.一种N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：提供一N型多晶硅片；在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层；在所述P型扩散层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面钝化层、及在所述N型多晶硅片的背面形成背面钝化层；在所述正面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成正面栅线电极、及在所述背面钝化层背离所述N型多晶硅片一侧形成背面栅线电极。2.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在所述N型多晶硅片的正面扩散一P型扩散层包括：采用热扩散工艺在所述N型多晶硅片的正面扩散一所述P型扩散层、及同时在所述N型多晶硅片的背面扩散一辅助P型扩散层；刻蚀去除所述辅助P型扩散层。3.根据权利要求2所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，采用刻蚀溶液刻蚀去除所述辅助P型扩散层；其中，所述刻蚀溶液为氢氧化钾溶液，所述氢氧化钾溶液的浓度范围为1％～10％，包括端点值；或者，所述刻蚀溶液为氢氟酸、硝酸和水的混合溶液，所述氢氟酸：硝酸：水的浓度比例范围为1:3:1～1:3:2，包括端点值。4.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在形成所述P型扩散层后，且在形成所述正面钝化层和所述背面钝化层之前，还包括：在N型多晶硅片的背面扩散一N+扩散层，其中，所述背面钝化层位于所述N+扩散层背离所述N型多晶硅片一侧。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐冠群，包健，金浩，张昕宇，廖晖，李宏伟，陈周，王金艺，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33