一种双向通讯电平差转换和电压隔离方法、装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置，包括：N沟道MOS和2种电平的上拉电阻，所述N沟道MOS串接于2个有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间；其中，第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间，所述N沟道MOS的S极与第一信号源连接，且所述第一上拉电阻由第一电压供电；第二上拉电阻与所述N沟道MOS的D极连接，所述N沟道MOS的D极连接与第二信号源连接，且所述第二上拉电阻由第二电压供电；其中，所述第一电压小于所述第二电压。利用本发明专利技术可以防止双向通讯电平转换时出现电流倒灌的问题，保护芯片。

Bidirectional communication level difference conversion and voltage isolation method and device

The present invention provides a bidirectional communication level difference conversion and voltage isolation device, including: N channel MOS and the 2 level of the pull-up resistor, the N channel MOS are connected in series between the 2 first signal source of mutual communication level of the difference between the second signal source; wherein, the first pull-up resistor connected to the N channel MOS G pole and S pole between the N channel MOS S with the first signal source is connected, and the first pull-up resistance from the first power supply voltage; second pull-up resistor and the N channel MOS D is connected to the N channel. MOS D connected with the second signal source, and the second pull ups from second voltage power supply; wherein, the first voltage is less than the second voltage. The invention can prevent the current from flowing backwards in the bidirectional communication level conversion, and protect the chip.

【技术实现步骤摘要】
一种双向通讯电平差转换和电压隔离方法、装置
本专利技术涉及电路
，具体涉及一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置。
技术介绍
在现代低电压(1.2V至5.0V)芯片与芯片间不同电压的串口(UART)和I2C等中低速(0Hz--1MHz)双向通讯系统中，各种芯片通讯端口连接之前，需要对其电平差进行转换，电平误差合格的电路才允许使用，因此在使用电平差进行转换电路时，需要对电平差进行转换功能进行测试。但是电平差进行转换功能测过程中，不允许出现高电压端向低电压端电流倒灌，因为电流倒灌的时候可能会导致低电压端芯片损坏，因此在电平转换时信号源往往因为电流倒灌使测试不能正常进行。
技术实现思路
基于以上原因，本专利技术提出了一种双向通讯电平差转换和电压隔离方法和装置，可以防止双向通讯电平转换时出现电流倒灌的问题，保护芯片。为达到上述目的，本专利技术提出的技术方案是这样实现的：一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置，包括：N沟道MOS和2种电平的上拉电阻，所述N沟道MOS串接于2个有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间；其中，第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间，所述N沟道MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置，其特征在于，包括：N沟道MOS和2种电平的上拉电阻，所述N沟道MOS串接于2个有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间；其中，第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间，所述N沟道MOS的S极与第一信号源连接，且所述第一上拉电阻由第一电压供电；第二上拉电阻与所述N沟道MOS的D极连接，所述N沟道MOS的D极连接与第二信号源连接，且所述第二上拉电阻由第二电压供电；其中，所述第一电压小于所述第二电压。

【技术特征摘要】
1.一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置，其特征在于，包括：N沟道MOS和2种电平的上拉电阻，所述N沟道MOS串接于2个有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间；其中，第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间，所述N沟道MOS的S极与第一信号源连接，且所述第一上拉电阻由第一电压供电；第二上拉电阻与所述N沟道MOS的D极连接，所述N沟道MOS的D极连接与第二信号源连接，且所述第二上拉电阻由第二电压供电；其中，所述第一电压小于所述第二电压。2.如权利要求1所述的双向通讯电平差转换和电压隔离装置，其特征在于，所述N沟道MOS的D极通过第三电阻连接所述第二信号源。3.如权利要求1所述的双向通讯电平差转换和电压隔离装置，其特征在于，所述第一上拉电阻与所述第二上拉电阻阻值相同。4.如权利要求1所述的双向通讯电平差转换和电压隔离装...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱映波，曾荣，郭伶燕，韩勖，
申请(专利权)人：天翼爱音乐文化科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44