一种平面型绝缘栅双极晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种平面型绝缘栅双极晶体管，包括为半导体材料的基底，和设于所述基底表面上的发射区以及栅区；所述基底包括衬底，形成于所述衬底上的阱区，和位于所述阱区上的源区，以及形成于所述阱区中的掺杂区；所述发射区包括绝缘介质层，和设于所述绝缘介质层中的发射电极，所述发射电极与所述掺杂区相连；所述发射电极包括用于减小空穴电流路径、提高空穴接触面积的纵深电极和接触电极层；所述接触电极层由所述纵深电极中心处外延扩展至所述阱区中，直至位于所述源区的下方；本实用新型专利技术能够从根本上抑制闩锁现象的产生，极大的提升器件的安全工作区，改善器件性能。

A planar insulated gate bipolar transistor

The utility model discloses a plane type insulated gate bipolar transistor, including substrate of semiconductor material, and arranged on the basal surface of the emitter region and the gate region; the substrate comprises a substrate, a well region formed on the substrate, and is located in the source area of the well region, and the formation of in the well region in the doped region; the emission region includes an insulating medium layer, and is arranged on the insulating dielectric layer in the emitter electrode and the emission electrode connected to the doped region; the emitter electrode for reducing hole current path, increase the contact area of the electrode hole depth and contact electrode layer; the contact electrode layer by the electrode depth at the center of extension to the well area, until it is positioned below the source region; the utility model can fundamentally suppress latch phenomenon, greatly Enhance the safe working area of device and improve the performance of device.

【技术实现步骤摘要】
一种平面型绝缘栅双极晶体管
本技术涉及半导体器件领域，特别是涉及一种平面型绝缘栅双极晶体管。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(lnsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)是新型电力半导体器件具有代表性的平台器件，主要应用于新能源、机车牵引、智能电网、高压变频器等领域。通过电力半导体器件对电能进行变换及控制，节能效果可达10％-40％。在全球气候变暖的背景下，IGBT器件应用技术是被公认的实现全球能效和二氧化碳减排目标的最佳综合性方法之一。当IGBT器件正常工作情形下，空穴由背面P+区发出，流经N-漂移区，进入P阱区，最终被正面P+注入区收集。当部分空穴进入P阱区时，从N+源区正下方经过流入正面P+注入区时，当大量空穴电流在该路径通过时，由于存在一定电阻，会与上方N+源区形成电势差，当该电势差值大于0.7V时，该处PN结触发，空穴电流直接由N+源区流出，大量电子由N+源区注入，电流迅速增大不再受栅极控制，造成IGBT闩锁发生，直至器件损坏。严重制约器件SOA(SafeOperationArea)能力。为了改善IGBT器件的抗闩锁能力，目前主要采取的措施是增加N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括为半导体材料的基底，和设于所述基底表面上的发射区以及栅区；所述基底包括衬底，形成于所述衬底上的阱区，和位于所述阱区上的源区，以及形成于所述阱区中的掺杂区；所述发射区包括绝缘介质层，和设于所述绝缘介质层中的发射电极，所述发射电极与所述掺杂区相连；所述发射电极包括用于减小空穴电流路径、提高空穴接触面积的纵深电极和接触电极层；所述接触电极层由所述纵深电极中心处外延扩展至所述阱区中，直至位于所述源区的下方。

【技术特征摘要】
1.一种平面型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括为半导体材料的基底，和设于所述基底表面上的发射区以及栅区；所述基底包括衬底，形成于所述衬底上的阱区，和位于所述阱区上的源区，以及形成于所述阱区中的掺杂区；所述发射区包括绝缘介质层，和设于所述绝缘介质层中的发射电极，所述发射电极与所述掺杂区相连；所述发射电极包括用于减小空穴电流路径、提高空穴接触面积的纵深电极和接触电极层；所述接触电极层由所述纵深电极中心处外延扩展至所述阱区中，直至位于所述源区的下方。2.如权利要求1所述的平面型绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述纵深电极将所述基底上所述源区贯穿；所述接触电极层的扩展至所述源区下方的部分与所述源区接触，并与所述掺杂区相接触。3.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振中，颜剑，和魏巍，汪之涵，孙军，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44