氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备法制造技术

本发明专利技术公开了一种氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备方法，包括以下步骤：1）称取一定量的氧化石墨烯和含钨的前驱体化合物；2）分散于一定量的去离子水中，并超声分散；3）将称量好的含钨前驱体化合物溶解于步骤2）制备的氧化石墨烯水溶液中，得到氧化石墨烯和含钨前驱体化合物粉体并置于烘箱中一定温度保温一定时间得到干燥的混合粉末。4）将步骤3）获得的氧化石墨烯和含钨前驱体化合物干燥粉体置于氧化铝坩埚中，在H2气氛下自然冷却至室温，获得中空结构纳米氧化钨线。本发明专利技术相比于常规采用聚四氟乙烯内衬的高压反应釜制备方法，能耗较低，且成本更低，使工业化生产投资少，产品成本低，便于实现工艺化批量生产。

Preparation of hollow structured nano tungsten oxide wires by in situ oxidation of graphene oxide

The invention discloses a graphene oxide prepared by in-situ growth method of hollow structure of nano tungsten oxide wire, which comprises the following steps: 1) that take a certain amount of graphene oxide and tungsten precursor compounds; 2) dispersed in a certain amount of deionized water, and ultrasonic dispersion; 3) will be weighed the tungsten precursor compounds dissolved in step 2) water solution preparation of graphene oxide, then graphene oxide and tungsten precursor powder and an oven temperature holding for a certain time to obtain mixed powder drying. 4) the graphene oxide and tungsten containing precursor powder obtained by step 3 were placed in an alumina crucible and cooled naturally to room temperature in H2 atmosphere, and hollow structured tungsten oxide wires were obtained. Compared with the conventional high-pressure reactor made by polytetrafluoroethylene, the method has lower energy consumption, lower cost, less investment in industrialized production, lower product cost, and convenient process batch production.

【技术实现步骤摘要】
氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备法
本专利技术属于纳米材料领域，特别涉及一种氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备方法。
技术介绍
近年来我国工业的飞速发展，工业废气的排放使得安全问题日益突出，PM2.5对人们身体健康的威胁也越来越受到重视，因此对可靠性气体检测要求越来越高，与此同时对纳米传感器检测污染气体的灵敏性能也提出了更高的要求。与传统的氧化物材料相比，氧化钨纳米线的比表面积更大，它对NO和NO2的气体检测有很好的选择性与灵敏性。其敏感机理局属于表面电阻控制型，对二氧化氮气体的检测是基于空气中的氧气和被检测的二氧化氮气体在半导体金属氧化物表面吸附和反应堆半导体材料的电阻调制过程。氧化钨是一种典型的过渡金属氧化物，禁带宽度204-208eV,属于典型的n型半导体。目前研究的氧化物气体传感器的敏感材料已经从原来的三维缩减到一维—纳米线材料，相对于三维块体与二维薄膜，一维结构的纳米线在很大程度上提高了材料的比表面积，还具有更大的表面活性和更强的吸附能力。传感器的性能也得到了很大的提升，但这类气体传感器仍普遍存在工作温度较高、反应时间较长、气体选择性差等气敏特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：称取一定量的氧化石墨烯和含钨的前驱体化合物，使得氧化石墨烯和含钨前驱体化合物具有不同摩尔比值；步骤2：将称量好的氧化石墨烯经少量无水乙醇润湿改性，分散于一定量的去离子水中，并超声分散，得到氧化石墨烯水溶液；步骤3：将步骤1所得称量好的含钨前驱体化合物溶解于步骤2制备的氧化石墨烯水溶液中，充分搅拌，形成氧化石墨烯和含钨前驱体化合物的水溶液，在搅拌过程中，利用酸式滴定管不断往氧化石墨烯和含钨前驱体化合物的水溶液中滴入酒精，使得酒精与水溶液达到一定体积比，将得到的沉淀抽滤，得到氧化石墨烯和含钨前驱体化合物粉体...

【技术特征摘要】
1.一种氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：称取一定量的氧化石墨烯和含钨的前驱体化合物，使得氧化石墨烯和含钨前驱体化合物具有不同摩尔比值；步骤2：将称量好的氧化石墨烯经少量无水乙醇润湿改性，分散于一定量的去离子水中，并超声分散，得到氧化石墨烯水溶液；步骤3：将步骤1所得称量好的含钨前驱体化合物溶解于步骤2制备的氧化石墨烯水溶液中，充分搅拌，形成氧化石墨烯和含钨前驱体化合物的水溶液，在搅拌过程中，利用酸式滴定管不断往氧化石墨烯和含钨前驱体化合物的水溶液中滴入酒精，使得酒精与水溶液达到一定体积比，将得到的沉淀抽滤，得到氧化石墨烯和含钨前驱体化合物粉体并置于烘箱中一定温度保温一定时间得到干燥的混合粉末；步骤4：将步骤3获得的氧化石墨烯和含钨前驱体化合物干燥粉体置于氧化铝坩埚中，并坩埚置于管式还原炉中，抽真空，通入一定量H2，在一定温度下保温一定时间同时控制升温速率使得氧化石墨烯表面与含钨前驱体化合物充分反应，H2气氛下自然冷却至室温，获得氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中所含钨前驱体化合物为偏钨酸铵、羰基钨中的混合物，混合物中羰基钨占偏钨酸铵与的质量百分含量为1-5%。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：田浩亮，高俊国，汤智慧，王长亮，郭孟秋，崔永静，张欢欢，周子民，
申请(专利权)人：中国航发北京航空材料研究院，
类型：发明
国别省市：北京,11