This application relates to the field of power equipment technology, especially a nano silicon oxide insulator for VFTO suppression. The insulator comprises a center insert, insulating region, nano silicon oxide creepage zone and the flange is fixed, the top of the center block piece is arranged in a hollow cone, the cone near the center of the insert end to the insulated area, the remaining part of the nano silicon oxide creepage zone the nano silicon oxide, the creepage area at the bottom and the fixed flange connection. A large number of contact interface between the creepage of nano silicon oxide and substrate, when applied to VFTO insulator surface, the contact interface can improve VFTO reentry times, limit the spread of VFTO in the insulator in the inhibition of the insulator surface forming method to electric field distribution. Thus, when the VFTO wave appears, the charge accumulation on the sidewall of the insulator is greatly reduced, and the reliability of the insulator is maintained.
【技术实现步骤摘要】
一种用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子
本申请涉及电力设备
,尤其涉及一种用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子。
技术介绍
GIS(GasInsulatedSwitchgear,气体绝缘金属封闭组合电器)具有占地面积与空间体积小、运行安全可靠、受自然环境影响小、断路器开断性能好、安装方便等诸多特点,因此被广泛应用于交流变电站中。在GIS中绝缘子是很重要的绝缘部件,起到固定、绝缘和密封等作用。目前,GIS设备中常用的绝缘子包括中心嵌块、绝缘区和连接座。当有VFTO(Veryfasttransientovervoltage,快速暂态过电压)作用于该绝缘子表面时,该绝缘子无法使电荷消散,从而导致绝缘子承受较大直流电压,进而导致绝缘子上承受相当高的瞬态电压,对绝缘子稳定运行带来严重危害。另外,GIS运行过程中,在VFTO的作用下,绝缘子表面也将引入电荷,这将使母线段绝缘子在运行过程中电场分布受到严重的畸变,很容易引发沿面闪络,进而导致电气设备损坏或电力系统大面积停电。近年来,解决目前GIS运行过程中表面电荷积聚滞留问题,提高VFTO的作用下绝缘子运行稳定性,将成为提高交流GIS运行稳定性,以及解决交流GIS运行过程中发生不明闪络问题的关键,具有重大科研意义及应用价值。然而,目前为止,大部分相关研究仍停留在仿真分析,以及小试品小样块的改性研究,具有工业应用潜能的用于抑制VFTO的绝缘子仍然鲜见报道。
技术实现思路
本申请提供一种用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子,以解决在VFTO的作用下,绝缘子表面电荷聚集,导致GIS设备运行不稳定的问题。一种用于抑制VFTO的纳米 ...
【技术保护点】
一种用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子,其特征在于,包括:中心嵌件(1)、绝缘区(2)、纳米氧化硅爬电区(3)和固定法兰(4),其中,所述中心嵌件(1)设置于一空心锥体的的顶端,所述锥体靠近所述中心嵌件(1)的一端为所述绝缘区(2),其余部分为所述纳米氧化硅爬电区(3),所述纳米氧化硅爬电区(3)的底部与所述固定法兰(4)相连接。
【技术特征摘要】
1.一种用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子,其特征在于,包括:中心嵌件(1)、绝缘区(2)、纳米氧化硅爬电区(3)和固定法兰(4),其中,所述中心嵌件(1)设置于一空心锥体的的顶端,所述锥体靠近所述中心嵌件(1)的一端为所述绝缘区(2),其余部分为所述纳米氧化硅爬电区(3),所述纳米氧化硅爬电区(3)的底部与所述固定法兰(4)相连接。2.根据权利要求1所述的用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子,其特征在于,所述纳米氧化硅爬电区(3)的材料为环氧树脂基纳米氧化硅,其中,所述纳米氧化硅的含量为10%-15%之间任一数值。3.根据权利要求1所述的用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子,其特征在于,所述绝缘区(2)的材料为环氧树脂基氧化铝,其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:何顺,何金良,李传扬,彭晶,马宏明,
申请(专利权)人:云南电网有限责任公司电力科学研究院,
类型:发明
国别省市:云南,53
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