一种添入GDT的复合型MOV制造技术

本发明专利技术涉及压敏电阻器复合组件设计技术领域，具体公开了一种添入GDT的复合型MOV，设有上盒体、下盒体，还设有嵌入所述下盒体内的下引出电极，在所述下引出电极上依次叠置MOV芯片、中引出电极、GDT、上引出电极，或依次叠置MOV芯片、GDT、上引出电极。本发明专利技术将独立分体的MOV、GDT合为一体化结构，在改善电气性能的需求下兼具小型化，能够满足电子线路以及信号通道的更高要求；由于GDT间隙隔离作用，MOV芯片正常工作时不必承载工作电压，其半导体晶粒老化速度极缓，工作时无泄露电流，其使用寿命得到提高，再加上在其边缘加设有防潮层、防侧闪套，其使用寿命更长、可靠性更高、耐候性更强。

A compound MOV added into GDT

The present invention relates to a composite component design of varistor technology field, specifically discloses a Tim GDT composite MOV, is provided with an upper box and a lower box, is embedded in the lower box body under the electrodes, electrode successively stacked MOV chip, an extraction electrode, GDT, lead electrode in the next, or sequentially stacked MOV chips, GDT, extraction electrode. The independent body MOV, GDT integration structure, with miniaturization in improving the electrical performance requirements, to meet the higher requirements of electronic circuit and signal channel; GDT gap due to isolation effect, MOV chips work without bearing the working voltage, the semiconductor grain aging speed very slow, work no leakage current, the service life is improved, plus in the edge is provided with a waterproof layer and a side flash set, the longer service life and higher reliability, stronger weathering resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种添入GDT的复合型MOV
本专利技术涉及压敏电阻器复合组件设计
，尤其涉及一种添入GDT的复合型MOV。
技术介绍
常规MOV(MetalOxideVaristor，氧化锌电阻器)具有特殊的非线性UI特性(即伏安特性，U代表电压，I代表电流)，当其所在的线路一旦发生异常状况时，比如遭遇雷击、电磁场干扰、电源开关频繁动作、电源系统故障等，线路上电压突增到超过MOV的导通电压，MOV就会进入导通区，电流(I)和电压(U)之间的非线性系数值(NonlinearityParameter)可达数十或上百，此时，MOV的阻抗会降低到仅仅几欧姆，使过电压形成突波电流泄露而出，以保护所连接的电子产品或昂贵组件。随着清洁能源技术的快速发展、高铁的普及和电子机械(如机器人、机械手等)的广泛应用，常规MOV被应用在越来越多的领域。在安全领域如铁轨控制、航海航空等对信号的可靠性要求极高，绝不允许正常工作时有泄漏电流产生，所以必须加强防护，而在普通领域如应用型产品的性能提升上(如4G通讯提升到5G通讯)，常规MOV无法满足通讯链路的实际需求，有待进一步的改进。GDT(GasDischargeTube，气体放电管)，实质是一种密封在陶瓷腔体中的放电间隙，腔体中充有惰性气体以稳定放电管的放电电压。其主要特点是通流能量大，可达数十至数百KA，绝缘电阻极高，无漏流，无老化失效，无极性，静态电容极小，特别适用于高速网络通讯设备的粗保护。所以，若结合GDT对常规MOV进行结构上的改进便能避免泄漏电流的产生，能提高复合组件的寿命和可靠性，也能进一步加强对整个线路的保护，这就是本专利技术研究的主要内容。
技术实现思路
本专利技术提供一种添入GDT的复合型MOV，解决了在常规MOV的具体结构中加入GDT组合成新的复合结构以改善其电气性能的技术问题。为解决以上技术问题，本专利技术提供一种添入GDT的复合型MOV，设有上盒体、下盒体，还设有嵌入所述下盒体内的下引出电极，在所述下引出电极上依次叠置MOV芯片、中引出电极、GDT、上引出电极，或依次叠置MOV芯片、GDT、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、中引出电极、GDT、第二MOV芯片、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、GDT、第二MOV芯片、上引出电极，或依次叠置MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、第二MOV芯片、上引出电极；所述上盒体盖合在所述上引出电极上，通过紧固件与所述下盒体紧固为一体，并对所述下引出电极、GDT、上引出电极，与所述MOV芯片或所述第一MOV芯片、第二MOV芯片，与/非所述中引出电极或所述第一金属垫片、第二金属垫片，进行紧压固定，即：对所述下引出电极、MOV芯片、中引出电极、GDT、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、MOV芯片、GDT、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、第一MOV芯片、中引出电极、GDT、第二MOV芯片、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、第一MOV芯片、GDT、第二MOV芯片、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、上引出电极进行紧压固定，或对所述下引出电极、第一MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、第二MOV芯片、上引出电极进行紧压固定。具体地，所述上盒体与所述下盒体的四角均设有凸台，相邻的所述凸台之间形成通风口；所述凸台在其高度方向上设有上下盒体相对应的通孔或螺纹孔，所述紧固件通过所述通孔或螺纹孔将所述上盒体与所述下盒体紧固为一体；所述凸台朝盒体中心的一面呈圆弧面，所述圆弧面围成圆柱形容置空间，所述圆柱形容置空间的圆形底面设有凸点或凸线；所述下盒体的圆柱形容置空间的底面还设有电极引出孔。优选地，采用绝缘防火材料制成的所述上盒体、下盒体为形状相同的圆形上盒体、圆形下盒体或矩形上盒体、矩形下盒体，其中，在所述矩形上盒体与矩形下盒体中，所述凸台为三角形凸台。优选地，所述上盒体与所述下盒体互为等高结构；所述上盒体的圆柱形容置空间与所述下盒体的圆柱形容置空间共同承纳所述下引出电极、GDT、上引出电极，与所述MOV芯片或所述第一MOV芯片、第二MOV芯片，与/非所述中引出电极或所述第一金属垫片、第二金属垫片。进一步地，增大互为等高结构的所述下盒体的凸台高度、减小互为等高结构的所述上盒体的凸台高度，所述上盒体与所述下盒体即互为不等高结构；当所述下盒体的凸台高度增大到所述下引出电极、GDT、上引出电极，与所述MOV芯片或所述第一MOV芯片、第二MOV芯片，与/非所述中引出电极或所述第一金属垫片、第二金属垫片，能全部安设在所述下盒体的圆柱形容置空间里时，所述上盒体设置为凸台高度为零的盖板，所述盖板的四个角设有与所述下盒体的通孔或螺纹孔相对应的通孔或螺纹孔，所述紧固件将所述盖板与所述下盒体紧固为一体。优选地，所述GDT采用二极GDT或三极GDT；所述二极GDT设有下放电电极和上放电电极，所述三极GDT设有下放电电极、中间电极和上放电电极。优选地，所述下引出电极在平面上轴向引出有平凸形引出脚或立片形引出脚，所述中引出电极、上引出电极、中间电极为采用导电材料制成的圆形结构或矩形结构，所述中引出电极、上引出电极与中间电极在平面上径向引出直片形引出脚或片式折弯形引出脚。优选地，所述导电材料为铜、铝、石墨或其合金。优选地，所述紧固件采用金属或非金属的铆钉或螺钉。本专利技术提供的一种添入GDT的复合型MOV，将独立分体的MOV、GDT合为一体化结构，在改善电气性能的需求下兼具小型化，能够满足电子线路以及信号通道的更高要求；在所述上盒体与下盒体设置的通风口，以及在所述上盒体与下盒体的圆形底面设置的凸点或凸线，再加上电极板的散热作用，使得浪涌冲击下该复合型MOV的散热条件大为改善；由于GDT间隙隔离作用，MOV芯片正常工作时不必承载工作电压，其半导体晶粒老化速度极缓，工作时无泄露电流，其使用寿命得到提高，再加上在其边缘加设有防潮层、防侧闪套，其使用寿命更长、可靠性更高、耐候性更强；本专利技术的元器件通过紧固件安装固定，无需焊接，避免了制作过程中的热损伤，且适用于机械化安装，简单快捷、成本低廉，具有极大的经济使用价值。附图说明图1是本专利技术实施例1提供的一种添入GDT的复合型MOV的结构爆炸图；图2是本专利技术实施例1提供的一种添入GDT的复合型MOV接入电路的电气连接图；图3是本专利技术实施例2提供的一种添入GDT的复合型MOV的结构爆炸图；图4是本专利技术实施例2、4提供的一种添入GDT的复合型MOV接入电路的电气连接图；图5是本专利技术实施例3提供的一种添入GDT的复合型MOV的结构爆炸图；图6是本专利技术实施例3提供的一种添入GDT的复合型MOV接入电路的电气连接图；图7是本专利技术实施例4提供的一种添入GDT的复合型MOV的结构爆炸图。具体实施方式下面结合附图具体阐明本专利技术的实施方式，实施例的给出仅仅是为了说明目的，并不能理解为对本专利技术的限定，包括附图仅供参考和说明使用，不构成对本专利技术专利保护范围的限制，因为在不脱离本专利技术精神和范围基础上，可以对本专利技术进行许多改变。实施例1本实施例提供的一种添入GDT的复合型MOV，如图1所示，设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种添入GDT的复合型MOV，设有上盒体、下盒体，其特征在于，还设有嵌入所述下盒体内的下引出电极，在所述下引出电极上依次叠置MOV芯片、中引出电极、GDT、上引出电极，或依次叠置MOV芯片、GDT、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、中引出电极、GDT、第二MOV芯片、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、GDT、第二MOV芯片、上引出电极，或依次叠置MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、第二MOV芯片、上引出电极；所述上盒体盖合在所述上引出电极上，通过紧固件与所述下盒体紧固为一体，并对所述下引出电极、GDT、上引出电极，与所述MOV芯片或所述第一MOV芯片、第二MOV芯片，与/非所述中引出电极或所述第一金属垫片、第二金属垫片，进行紧压固定。

【技术特征摘要】
1.一种添入GDT的复合型MOV，设有上盒体、下盒体，其特征在于，还设有嵌入所述下盒体内的下引出电极，在所述下引出电极上依次叠置MOV芯片、中引出电极、GDT、上引出电极，或依次叠置MOV芯片、GDT、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、中引出电极、GDT、第二MOV芯片、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、GDT、第二MOV芯片、上引出电极，或依次叠置MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、上引出电极，或依次叠置第一MOV芯片、第一金属垫片、GDT、第二金属垫片、第二MOV芯片、上引出电极；所述上盒体盖合在所述上引出电极上，通过紧固件与所述下盒体紧固为一体，并对所述下引出电极、GDT、上引出电极，与所述MOV芯片或所述第一MOV芯片、第二MOV芯片，与/非所述中引出电极或所述第一金属垫片、第二金属垫片，进行紧压固定。2.如权利要求1所述的一种添入GDT的复合型MOV，其特征在于：所述上盒体与所述下盒体的四角均设有凸台，相邻的所述凸台之间形成通风口；所述凸台在其高度方向上设有上下盒体相对应的通孔或螺纹孔，所述紧固件通过所述通孔或螺纹孔将所述上盒体与所述下盒体紧固为一体；所述凸台朝盒体中心的一面呈圆弧面，所述圆弧面围成圆柱形容置空间，所述圆柱形容置空间的圆形底面设有凸点或凸线；所述下盒体的圆柱形容置空间的底面还设有电极引出孔。3.如权利要求2所述的一种添入GDT的复合型MOV，其特征在于：采用绝缘防火材料制成的所述上盒体、下盒体为形状相同的圆形上盒体、圆形下盒体或矩形上盒体、矩形下盒体，其中，在所述矩形上盒体与矩形下盒体中，所述凸台为三角形凸台。4.如权利要求2所述的一种添入GDT的复合型MOV，其特征在于：所述上盒体与所述下盒体互为等高结构；所述上盒...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾清隆，陈泽同，
申请(专利权)人：隆科电子惠阳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44