一种高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)将水溶性的钛源、氟源、富含N的有机化合物按照摩尔比1:(0.3～30):(0.1～10)混合后配成水溶液，并转移到水热反应釜中，反应制得复合材料；(2)将上述复合材料经过滤洗涤后，在马弗炉中煅烧制得高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂。本发明专利技术采用水热反应自组装，一步制备出高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂，其制备工艺简单，生产成本大幅降低，制得的TiO2/g‑C3N4复合光催化剂材料界面更加均匀；TiO2/g‑C3N4复合光催化剂在可见光下降解有机污染物的速率比纯g‑C3N4提高了近一个数量级，表现出更强的光催化性能和更低的光生电荷复合效率。

A high exposure (001) preparation method of crystal surface TiO2/g C3N4 composite photocatalyst

The invention discloses a high exposure (001) preparation method of crystal surface TiO2/g C3N4 composite photocatalyst, which comprises the following steps: (1) organic compounds of water soluble titanium source, fluorine source, rich in N in accordance with the molar ratio of 1: (0.3 ~ 30): (0.1 ~ 10) mixed with aqueous solution, and transferred to a hydrothermal reaction kettle, was prepared by the reaction of composite materials; (2) the composite material by filtration and washing, in a muffle furnace calcined at high exposure (001) crystal TiO2/g C3N4 composite photocatalyst. The invention adopts hydrothermal self-assembly, was prepared for high exposure (001) crystal TiO2/g C3N4 composite photocatalyst, the preparation process is simple, the production cost is greatly reduced, the prepared TiO2/g C3N4 composite photocatalyst material interface is more uniform; TiO2/g C3N4 composite photocatalytic agent in the degradation rate organic pollutants under visible light than pure g C3N4 increased by nearly an order of magnitude, showed stronger photocatalytic performance and lower photoinduced charge recombination efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种高暴露(001)晶面TiO2/g-C3N4复合光催化剂的制备方法
本专利技术属于光催化
，涉及一种高暴露(001)晶面TiO2/g-C3N4复合光催化剂的制备方法。
技术介绍
在众多的半导体光催化剂材料中，TiO2带隙宽度为3.2eV，其化学性质稳定、无毒，且具有强的吸附有机分子的特性和低的光生电荷复合效率，是一种理想的光催化剂材料。g-C3N4作为一种类石墨烯结构的二维材料，具有可吸收可见光、化学稳定性好、无毒、来源广泛且制备工艺简单等特点。目前，窄带隙半导体与TiO2光催化剂的复合是提高TiO2材料在可见光区响应的有效手段，TiO2/g-C3N4复合材料作为半导体光催化剂的研究热点，兼顾了g-C3N4的可见光光学性能和TiO2较低的光生电荷复合效率的特性。2016年NanoEnergy(19卷，446-454)报道了利用TiO2纳米管为模板，三聚氰胺为合成g-C3N4的氮源，采用气相沉积法制备出TiO2/g-C3N4复合物，该复合物表现出较好的光催化水分解的性能；2016年Appl.Catal.B-Environ.(187卷，47-58)报道了基于多孔TiO2为模板，将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)将水溶性的钛源、氟源、富含N的有机化合物按照摩尔比1:(0.3～30):(0.1～10)混合后配成水溶液，并转移到水热反应釜中，反应制得复合材料；(2)将上述复合材料经过滤洗涤后，在马弗炉中煅烧制得高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂。

【技术特征摘要】
1.一种高暴露(001)晶面TiO2/g-C3N4复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)将水溶性的钛源、氟源、富含N的有机化合物按照摩尔比1:(0.3～30):(0.1～10)混合后配成水溶液，并转移到水热反应釜中，反应制得复合材料；(2)将上述复合材料经过滤洗涤后，在马弗炉中煅烧制得高暴露(001)晶面TiO2/g-C3N4复合光催化剂。2.根据权利要求1所述的一种高暴露(001)晶面TiO2/g-C3N4复合光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中水溶性钛源为TiCl4、TiOSO4、Ti(SO4)2、TiBr4中的一种或一种以上。3.根据权利要求1所述的一种高暴露(001)晶面TiO2/g-C3N4复合光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中氟源为NH4F、HF、C6H15N·3HF、HBF4中的一种或一种以上。4.根据权利要求1所述的一种高暴露(001)晶面TiO2/g-C3N4复合光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中富含N的有机化合物为三聚氰胺、双氰胺、尿素、硫脲中的一种或一种以上。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建秀，梁栋，黄雅亮，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43