基于硒化铟和氮化镓的双波段探测器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于硒化铟和氮化镓的双波段探测器及制备方法，主要解决现有技术无法实现同时同位置探测的问题。其包括:衬底(1)、紫外吸收层(21)、绝缘层(3)、红外吸收层(22)、两个欧姆电极(4，5)。紫外吸收层位于衬底上；绝缘层位于紫外吸收层的左半平面,在紫外吸收层的右半平面形成一台阶面；红外吸收层左半部分位于绝缘层上，右半部分位于紫外吸收层的台阶面上，其左半部分面积小于绝缘层面积，右半部分面积小于台阶面面积；第一欧姆电极位于红外吸收层上，其面积大于红外吸收层面积，小于绝缘层面积；第二欧姆电极位于紫外吸收层台阶面上。本发明专利技术能同时进行紫外和红外双波段探测,提高了探测系统的性能和探测效率。

Dual band detector based on indium selenide and GaN and preparation method

The invention discloses a dual band detector based on indium selenide and gallium nitride and a preparation method thereof, which mainly solves the problem that the existing technology can not realize simultaneous location detection. It includes: substrate (1), ultraviolet absorption layer (21), insulating layer (3), infrared absorption layer (22), and two ohm electrodes (4, 5). The UV absorption layer on a substrate; an insulating layer is located in the left half plane of ultraviolet absorption layer, absorbing layer in the right half plane to form a UV stepped surface; infrared absorption layer is located in the left part of the insulating layer, the right part is located in the ultraviolet absorption step surface layer on the left half of the area is less than the insulating layer the right part area, area is less than the first step surface area; infrared absorption layer in ohmic electrode, its area is larger than the area of the infrared absorbing layer, an insulating layer is smaller than the area; second ohm electrode in the ultraviolet absorption layer on the step surface. The invention can simultaneously detect ultraviolet and infrared dual bands, and improves the performance and detection efficiency of the detection system.

【技术实现步骤摘要】
基于硒化铟和氮化镓的双波段探测器及制备方法
本专利技术属于半导体器件
,特别是指一种紫外-红外双波段探测器，可用于火灾、气象的探测。
技术介绍
紫外一红外双波段探测技术在诸如火灾、气象等方面有着非常重要的应用价值。采用紫外一红外双波段探测,可以大大提高探测目标的识别概率。目前,紫外一红外探测系统由于探测器或光学系统的限制,所使用的紫外一红外双波段探测系统大多采用紫外、红外两个单独探测单元探测,如氮化镓基紫外探测器，通过改变铝镓氮中铝组分实现不同紫外波段的探测；碲镉汞红外探测器，通过改变汞和镉的配比来实现各个红外光谱区段来获得最佳性能。进行紫外-红外双波段探测时，每个探测器探测不同的波段，系统接收不同波段的目标信息，经过处理，显示出来。这种使用两个单独的探测单元进行双波段探测的系统结构异常复杂，体积大，功耗大，无法实现同时和同位置探测，而且当需要光学通道配准时，还要求光学系统的精密调节，否则容易造成对同一像点，不同波段的位置错位，增加了探测难度，降低了探测效率。若能实现紫外、红外共用同一个探测器进行紫外一红外双波段探测,不仅可以使用一个光学系统,提高系统应用性能,而且可以大大提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于硒化铟和氮化镓的双波段探测器，包括衬底(1)、吸收层(2)、绝缘层(3)和两个电极(4，5)，其特征在于：吸收层(2)，包括紫外吸收层(21)和红外吸收层(22)；紫外吸收层(21)位于衬底(1)的上表面，绝缘层(3)位于紫外吸收层(21)上表面的左半平面上,以使紫外吸收层(21)的右半平面形成一台阶面；红外吸收层(22)位于绝缘层(3)和紫外吸收层(21)的台阶面上；第一欧姆电极(4)位于红外吸收层(22)的左半平面上，并将红外吸收层(22)的左半平面完全覆盖，且超出红外吸收层(22)的部分与绝缘层(3)紧密接触；第二欧姆电极(5)位于紫外吸收层(21)台阶面上未被红外吸收层(22)...

【技术特征摘要】
1.一种基于硒化铟和氮化镓的双波段探测器，包括衬底(1)、吸收层(2)、绝缘层(3)和两个电极(4，5)，其特征在于：吸收层(2)，包括紫外吸收层(21)和红外吸收层(22)；紫外吸收层(21)位于衬底(1)的上表面，绝缘层(3)位于紫外吸收层(21)上表面的左半平面上,以使紫外吸收层(21)的右半平面形成一台阶面；红外吸收层(22)位于绝缘层(3)和紫外吸收层(21)的台阶面上；第一欧姆电极(4)位于红外吸收层(22)的左半平面上，并将红外吸收层(22)的左半平面完全覆盖，且超出红外吸收层(22)的部分与绝缘层(3)紧密接触；第二欧姆电极(5)位于紫外吸收层(21)台阶面上未被红外吸收层(22)覆盖的部分。2.根据权利要求1所述的探测器,其中衬底(1)，采用硅、蓝宝石、砷化镓和碳化硅材料中的任意一种。3.根据权利要求1所述的探测器，其中绝缘层(3)，采用三氧化二铝材料，且厚度为20-40nm。4.根据权利要求1所述的探测器,其中紫外吸收层(21)，采用氮化镓材料。5.根据权利要求1所述的探测器,其中红外吸收层(22)采用本征硒化铟材料，且红外吸收层(22)的面积小于绝缘层(3)和紫外吸收层台阶面的面积。6.根据权利要求1所述的探测器,其中第一欧姆电极(4)采用石墨烯材料，且第一欧姆电极(4)的面积小于绝缘层的面积。7.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁静，程海青，郝跃，张进成，王东，董建国，李昂，陈家博，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61