计算机硬盘基片抛光速率的控制方法技术

本发明专利技术公开了一种计算机硬盘基片抛光速率的控制方法。包括以下步骤，其中原料为重量％：将粒径２０～６０ｎｍ的ＳｉＯ↓［２］溶胶用去离子水稀释，去离子水含量５～５０％；边搅拌边加入１～１０％的醇醚类表面活性剂、１～１０％的ＦＡ／Ｏ螯合剂；用ｐＨ调节剂使ｐＨ值在１１．５～１３．５范围内；加入１０～２５ｍｌ的氧化剂；使用上述抛光液在４０～６０℃温度、４０～１２０ｒｐｍ转速、０．１～０．２ＭＰａ、２００～８００ｍｌ／ｍｉｎ流量的抛光工艺条件下，在抛光机上对基片进行抛光８～１０ｍｉｎ。本发明专利技术用于提高存储器硬盘的磁盘基片的去除速率，使用碱性抛光液同时解决现有的以三氧化二铝为磨料的酸性抛光液的所存在的高损伤和凸凹选择比差问题。

【技术实现步骤摘要】
计算机硬盘基片抛光速率的控制方法
本专利技术涉及计算机存储器硬盘制造
，更具体地说，是涉及一种提高计算机硬盘基片化学机械抛光去除速率的方法。
技术介绍
近年来，计算机技术迅猛发展，个人计算机朝着高性能、小型化方向不断前进。为适应这一趋势，作为计算机数据存储的主要部件硬盘相应朝着大容量、高转速、体积小和安全性更高的方向发展，从而对硬盘基片提出更高的要求。因为盘片直接关系着硬盘容量的大小，所以提高单片容量即提高盘片的存储密度便成为解决此问题的关键。随着计算机硬磁盘应用的增多，需求越来越大，为了在单位时间内生产出更多的符合质量要求的盘片，必须控制抛光工艺参数以达到最优化的去除率且不降低表面质量，这就要有高质、高效、高选择性的抛光液及CMP技术。计算机硬盘盘基片CMP(化学机械抛光)技术原理比较复杂，较公认的机理认为是：NiP敷镀得铝合金硬盘基片表面被抛光液中的氧化剂氧化，在表面上生成一层氧化膜，其强度较低。从而使硬盘表面变脆，然后抛光液中的纳米SiO2粒子作为磨粒将此氧化层磨去，磨掉后露出的新鲜表面又可以被氧化，再被磨去，如此循环。由于盘基片表面会有凸起的部分会先被磨去从而实现了表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计算机硬盘基片抛光速率的控制方法，其特征是，包括以下步骤，其中原料为重量％：（１）将粒径２０～６０ｎｍ的ＳｉＯ↓［２］磨料用去离子水稀释，去离子水含量５～５０％；（２）边搅拌边加入１～１０％的醇醚类表面活性剂；（ ３）边搅拌边加入１～１０％的ＦＡ／Ｏ螯合剂；（４）用ｐＨ调节剂调整上述溶液使ｐＨ值在１１．５～１３．５范围内；（５）在调整完ｐＨ后，加入１０～２５ｍｌ的氧化剂；（６）使用上述抛光液在４０～６０℃温度、４０～１２０ｒｐ ｍ转速、０．１～０．２ＭＰａ、２００～８００ｍｌ／ｍｉｎ流量的抛光工艺条...

【技术特征摘要】
1.一种计算机硬盘基片抛光速率的控制方法，其特征是，包括以下步骤，其中原料为重量％：(1)将粒径20～60nm的SiO2磨料用去离子水稀释，去离子水含量5～50％；(2)边搅拌边加入1～10％的醇醚类表面活性剂；(3)边搅拌边加入1～10％的FA/O螯合剂；(4)用pH调节剂调整上述溶液使pH值在11.5～13.5范围内；(5)在调整完pH后，加入10～25ml的氧化剂；(6)使用上述抛光液在40～60℃温度、40～120rpm转速、0.1～0.2MPa、200～800ml/min流量的抛光工艺条件下，在抛光机上对基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉岭，刘长宇，
申请(专利权)人：天津晶岭微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]