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本发明公开了一种计算机硬盘基片抛光速率的控制方法。包括以下步骤，其中原料为重量％：将粒径２０～６０ｎｍ的ＳｉＯ↓［２］溶胶用去离子水稀释，去离子水含量５～５０％；边搅拌边加入１～１０％的醇醚类表面活性剂、１～１０％的ＦＡ／Ｏ螯合剂；用ｐＨ调...该专利属于天津晶岭微电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津晶岭微电子材料有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种计算机硬盘基片抛光速率的控制方法。包括以下步骤，其中原料为重量％：将粒径２０～６０ｎｍ的ＳｉＯ↓［２］溶胶用去离子水稀释，去离子水含量５～５０％；边搅拌边加入１～１０％的醇醚类表面活性剂、１～１０％的ＦＡ／Ｏ螯合剂；用ｐＨ调...