浪涌防护装置及方法以及一种移动终端制造方法及图纸

本公开是关于一种浪涌防护装置及方法以及一种移动终端，涉及电子领域，该装置包括瞬态抑制二极管和过压保护芯片，其中，所述瞬态抑制二极管的一端连接于所述过压保护芯片与需进行浪涌防护的接口的公共端上，所述瞬态抑制二极管的另一端接地，所述过压保护芯片的另一端与需进行浪涌防护的芯片连接。通过利用瞬态抑制二极管和过压保护芯片对可能发生的浪涌进行双重保护，降低了对瞬态抑制二极管的高防护能力的要求，降低了瞬态抑制二极管的制作难度和成本，从而减小了瞬态抑制二极管的体积，减轻了需进行浪涌防护的芯片的电路板的空间负担，且提高了浪涌防护的效果。

【技术实现步骤摘要】
浪涌防护装置及方法以及一种移动终端
本公开涉及电子领域，尤其涉及一种浪涌防护装置及方法以及一种移动终端。
技术介绍
相关技术中，为了防止电子设备在充电时可能出现的浪涌对电子设备产生的伤害，通常会在电子设备的充电接口处连接一个瞬态抑制二极管，由于瞬态抑制二极管的高压导通性能，能在浪涌产生时对浪涌电压进行降压，从而保护电子设备。但是单独使用瞬态抑制二极管来保护电子设备，对所述二极管芯片的要求就会比较高，既要求其具有较高的反向耐压能力，还要求其具有较低的钳位电压能力，这样就增加了芯片的制作难度和制作成本，同时还会导致二极管芯片的体积增大，为电子设备内部电路板增加了负担。
技术实现思路
为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种浪涌防护装置及方法以及一种移动终端。根据本公开实施例的第一方面，提供一种浪涌防护装置，所述装置包括瞬态抑制二极管和过压保护芯片，其中，所述瞬态抑制二极管的一端连接于所述过压保护芯片与需进行浪涌防护的接口的公共端上，所述瞬态抑制二极管的另一端接地，所述过压保护芯片的另一端与需进行浪涌防护的芯片连接。可选的，所述过压保护芯片的关断电压不大于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值和所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浪涌防护装置，其特征在于，包括瞬态抑制二极管和过压保护芯片，其中，所述瞬态抑制二极管的一端连接于所述过压保护芯片与需进行浪涌防护的接口的公共端上，所述瞬态抑制二极管的另一端接地，所述过压保护芯片的另一端与需进行浪涌防护的芯片连接。

【技术特征摘要】
1.一种浪涌防护装置，其特征在于，包括瞬态抑制二极管和过压保护芯片，其中，所述瞬态抑制二极管的一端连接于所述过压保护芯片与需进行浪涌防护的接口的公共端上，所述瞬态抑制二极管的另一端接地，所述过压保护芯片的另一端与需进行浪涌防护的芯片连接。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述过压保护芯片的关断电压不大于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值和所述过压保护芯片的降压值之和。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述过压保护芯片的耐压值高于所述瞬态抑制二极管的钳位电压。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述过压保护芯片的耐压值高于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述瞬态抑制二极管的钳位电压高于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值但低于所述过压保护芯片的耐压值。6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的装置，其特征在于，所述瞬态抑制二极管的反向耐压值高于所述需进行浪涌防护的芯片正常工作时的电压。7.一种浪涌防护方法，其特征在于，该方...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵青晖，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11