一种基片集成波导扭关节制造技术

技术编号:16505594 阅读:77 留言:0更新日期:2017-11-04 20:32
本发明专利技术属于毫米波段扭关节的设计与制造领域,提供一种基片集成波导扭关节结构,用以克服现有基片集成波导扭关节体积过大的缺陷。本发明专利技术包括相互垂直设置的一个水平基片集成波导和一个垂直基片集成波导、两者呈“I”型连接,通过在水平基片集成波导和垂直基片集成波导中分部合理设置金属化匹配通孔实现电磁能量的过渡,完全省去较长的渐变过渡区域,结构更加紧凑,与现有基片集成波导扭关节结构对比,本发明专利技术的过渡区域长度缩短了74%,在毫米波频段能够大大减小基片集成波导扭关节的体积,达到了小型化紧凑型基片集成波导扭关节的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种基片集成波导扭关节
本专利技术属于毫米波段扭关节的设计与制造领域,具体涉及一种基片集成波导扭关节结构。
技术介绍
扭关节(twist)是一种可以使电磁能量从E面向H面过渡的器件,即电场极化方向在该器件中产生了90度旋转;因此,其通常用于匹配两个角度偏移的波导,在微波毫米波系统中得到了广泛应用。传统的扭关节主要基于波导设计,通常会在E面和H面波导中间添加一段较长的过渡区域以实现电场极化旋转,使其成本高昂、体积庞大,成为波导最大的缺陷。基片集成波导作为近几年兴起的一种低插损、低成本、低剖面的新型传输线,得到了广泛的应用。目前,仅有极少关于基片集成波导扭关节的文献发表,与基于波导设计的传统扭关节类似,这些文献中的结构为了实现电场极化方向的90度旋转,采用了较长的渐变过渡区域,导致基片集成波导扭关节体积过大,如文献“SIW90-degreetwistforsubstrateintegratedcircuitsandsystems”;这和无线技术小型化的发展趋势相矛盾,并且过长的基片集成波导会增加额外的插入损耗,造成能量的浪费,也与当今的环保理念相冲突。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对本文档来自技高网...
一种基片集成波导扭关节

【技术保护点】
一种基片集成波导扭关节,包括一个水平基片集成波导(1)和一个垂直基片集成波导(2),所述水平基片集成波导(1)由依次重叠的第一底层敷铜层(13)、第一介质基片(12)及第一顶层敷铜层(11)构成,所述垂直基片集成波导(2)由依次重叠的第二底层敷铜层(23)、第二介质基片(22)及第二顶层敷铜层(21)构成;其特征在于,所述第一介质基片(12)中包含第一金属化匹配通孔(121)、两排第一平行金属化通孔(122)和一排金属化短路孔(123),所述金属化短路孔垂直设置于第一平行金属化通孔的末端处、并将两排第一平行金属化通孔短路,所述第一金属化匹配通孔位于两排第一平行金属化通孔内侧;所述第二介质基片(...

【技术特征摘要】
1.一种基片集成波导扭关节,包括一个水平基片集成波导(1)和一个垂直基片集成波导(2),所述水平基片集成波导(1)由依次重叠的第一底层敷铜层(13)、第一介质基片(12)及第一顶层敷铜层(11)构成,所述垂直基片集成波导(2)由依次重叠的第二底层敷铜层(23)、第二介质基片(22)及第二顶层敷铜层(21)构成;其特征在于,所述第一介质基片(12)中包含第一金属化匹配通孔(121)、两排第一平行金属化通孔(122)和一排金属化短路孔(123),所述金属化短路孔垂直设置于第一平行金属化通孔的末端处、并将两排第一平行金属化通孔短路,所述第一金属化匹配通孔位于两排第一平行金属化通孔内侧;所述第二介质基片(22)中包含第二金属化匹配通孔(221)、两排第二平行金属化通孔(222)和基片集成波导90度拐角(223),所述基片集成波导90度拐角设置于第二平行金属化通孔末端处,所述第二金属化匹配通孔位于基片集成波导90度拐角的角平分线上;所述水平基片集成波导与垂直基片集成波导相互垂直设置、并呈“I”型连接,所述第一顶层敷铜层(11)上对应于垂直基片集成波导开设有耦合槽(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:程钰间刘双阿泽周明明樊勇宋开军张波林先其张永鸿
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:四川,51

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