The present invention relates to a low power voltage generating circuit, the voltage bias circuit, including at least one thin film transistor comprises a first element and a two element in series with opposite temperature coefficient regulating circuit and comprises at least one thin film transistor output module; the bias circuit for generating the bias current; the voltage regulating circuit is used for receiving the bias current and current mirror, a reference voltage so that the current flowing through the mirror image of the first element and the second element output does not vary with the temperature; the output module is set to compensate the voltage, and using the compensating voltage to output of the reference voltage after compensation. The low power voltage generation circuit has good linear regulation and load regulation, and the voltage does not change with the operating temperature.
【技术实现步骤摘要】
一种低功耗电压产生电路
本专利技术主要是关于直流电源电路,更确切地说是涉及到一种低功耗电压产生电路,具有比较好线性调节率和负载调节率,产生电压基本不随工作温度变化。
技术介绍
直流电源电路是电子产品的重要组成部分,当前技术中产生直流电源的方法主要有开关电源和线性稳压电源。这两种直流电源方案虽然在业界有比较广泛的应用范围,但是由于它们本身的电路复杂,而会顺带产生功耗也相对较大的负面效应。随着移动设备和可以穿戴设备的普及应用,对电子元件的功耗要求越来越严格,而当前的主流电源技术仍然无法克服电路简单且低功耗这一要求。所以对于能够大幅减小功耗的同时又能够保证一定精度和驱动能力的电路,业界具有非常迫切的需求。在当前的电压产生电路中,主要的开关电源电路提供大电流的电源电压,线性稳压器提供低纹波电源电压,他们本身的电流消耗通常一般都在30uA以上,这是非常大的功耗,对于电路本身电流消耗比较小的应用元件如芯片的待机,开关电源或线性稳压器无法满足要求。参考图1所示,是现有线性稳压器LDO的电压产生方式,线性稳压器中有带隙基准电压产生电路、误差放大器AMP和包括电阻RD1和RD2的反 ...
【技术保护点】
一种低功耗电压产生电路,其特征在于,包括:偏置电路,所述偏置电路用于产生偏置电流;电压调节电路,包括串联的带有相反温度系数的第一元件及第二元件;所述电压调节电路用于接收所述偏置电流,并输出参考电压,所述参考电压通过所述第一元件和所述第二元件后不随温度变化;以及输出模块,所述输出模块设定有补偿电压,并利用所述补偿电压对所述参考电压进行补偿后予以输出。
【技术特征摘要】
1.一种低功耗电压产生电路,其特征在于,包括:偏置电路,所述偏置电路用于产生偏置电流;电压调节电路,包括串联的带有相反温度系数的第一元件及第二元件;所述电压调节电路用于接收所述偏置电流,并输出参考电压,所述参考电压通过所述第一元件和所述第二元件后不随温度变化;以及输出模块,所述输出模块设定有补偿电压,并利用所述补偿电压对所述参考电压进行补偿后予以输出。2.根据权利要求1所述的低功耗电压产生电路,其特征在于,所述低功耗电压产生电路包括电压输入端、接地端、偏置电流节点及参考电压节点;其中,所述偏置电路、所述电压调节电路和所述输出模块均与所述电压输入端和所述接地端电连接,所述电压调节电路通过所述偏置电流节点与所述偏置电路电连接,所述电压调节电路通过所述参考电压节点与所述输出模块电连接。3.根据权利要求2所述的低功耗电压产生电路,其特征在于,还包括电压输出端,所述输出模块包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管:所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管均包括源极、漏极和栅极;其中,所述第三NMOS晶体管的漏极与所述电压输入端电连接,所述第三NMOS晶体管的栅极与所述参考电压节点电连接,所述第三NOMS晶体管的源极分别与所述电压输出端、所述第四NMOS晶体管的漏极及所述第四NMOS晶体管的栅极电连接,所述第四NMOS晶体管的源极电连接至所述接地端。4.根据权利要求3所述的低功耗电压产生电路,其特征在于,所述电压输出端输出的电压值等于所述参考电压节点处的电压值减去所述第三NMOS晶体管的阈值电压值。5.根据权利要求4所述的低功耗电压产生电路,其特征在于,所述电压调节电路用于接收所述偏置电流并产生镜像电流,以使所述镜像电流流经所述第一元件和所述第二元件后产生不随温度变化的所述参考电压。6.根据权利要求5所述的低功耗电压产生电路,其特征在于,所述偏置电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第一电阻:所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第一NMOS晶体管及所述第二NMOS晶体管均包括源极、漏极和栅极;其中,所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极均与所述电压输入端电连接,所述第一PMOS晶体管的漏极分别与所述第一NMOS晶体管的漏极、所述第一NMOS晶体管的栅极及所述第二NMOS晶体管的栅极电连接,所述偏置节点分别与所述第二PMOS晶体管的漏极、所述第二PMOS晶体管的栅极、所述第一PMOS晶体管的栅极及所述第二NMOS晶体管的漏极电连接,所述第一NMOS晶体管的源极与所述接地端电连接,所述第二NMOS晶体管的源极通过所述第一电阻与所述接地端电连接。7.根据权利要求6所述的低功耗电压产生电路,其特征在于,流经所述第一NMOS晶体管的所述偏置电流满足以下函数关系:其中,I1是所述偏置电流,μ1是所述第一NMOS晶体管的载流子迁移率,COX1是所述第一NMOS晶体管的单位面积栅氧化物电容,(W/L)1是第一NMOS晶体管的宽长比,R是所述第一电阻的阻值,及K是所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:李志怀,
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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