The invention discloses a magnetic sensor integrated circuit includes a magnetic sensing element to detect changes in the external magnetic field the magnetic output sensing signals; the magnetic signal processor processes the sensor signal and the output magnetic field detection information; and the current source generator, constant current output is not affected by temperature to the magnetic sensing element. The driving conditions at a constant current, magnetic sensitivity of the sensing element is not influenced by temperature, thus the magnetic sensor integrated circuit of the invention does not require additional temperature compensation circuit for temperature compensation of Holzer signal compensation circuit has the advantages of simple design, integrated circuit occupies smaller space. The present invention also discloses the motor assembly using the magnetic sensor integrated circuit, and the application equipment using the motor component.
【技术实现步骤摘要】
磁传感器集成电路、电机组件及应用设备
本专利技术涉及集成电路设计
,更具体的说,是涉及一种磁传感器集成电路、电流源发生器、使用该磁传感器集成电路的电机组件及使用该电机组件的应用设备。
技术介绍
霍尔传感器是广泛应用的磁场检测元件,特别是在电机领域通常使用霍尔传感器检测磁场变化以控制电机换向、转速等。霍尔元件通常由半导体材料制成且在霍尔元件两端施加恒定电压驱动,在温度变化时,霍尔元件的灵敏度变化明显,需要额外增加温度补偿电路对霍尔信号进行补偿。然而,现有温度补偿电路设计复杂,且占用集成电路的空间较大。
技术实现思路
本专利技术提供了一种磁传感器集成电路及电流源发生器,以解决现有技术中由于需要额外增加温度补偿电路对霍尔信号进行补偿,而现有温度补偿电路设计复杂,占用集成电路的空间较大的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种磁传感器集成电路,包括:磁感测元件,检测外部磁场变化以输出磁场感测信号;信号处理器,处理所述磁场感测信号并输出磁场检测信息;及电流源发生器,输出不受温度影响的恒定电流至所述磁感测元件。优选的,所述电流源发生器包括:电压源,用于输出基准 ...
【技术保护点】
一种磁传感器集成电路,其特征在于,包括:磁感测元件,检测外部磁场变化以输出磁场感测信号;信号处理器,处理所述磁场感测信号并输出磁场检测信息;及电流源发生器,输出不受温度影响的恒定电流至所述磁感测元件。
【技术特征摘要】
2016.04.20 CN 20161024816831.一种磁传感器集成电路,其特征在于,包括:磁感测元件,检测外部磁场变化以输出磁场感测信号;信号处理器,处理所述磁场感测信号并输出磁场检测信息;及电流源发生器,输出不受温度影响的恒定电流至所述磁感测元件。2.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述电流源发生器包括:电压源,用于输出基准电压;及与所述电压源连接的温度补偿电阻,且所述电压源经所述温度补偿电阻输出恒定电流至所述磁感测元件。3.根据权利要求2所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述电压源为带隙基准电压源,所述带隙基准电压源将直流电压转换并输出所述基准电压。4.根据权利要求2所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述电流源发生器还包括至少一普通电阻,所述电压源经所述至少一普通电阻输出至少一电流。5.根据权利要求2所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述温度补偿电阻包括串联的正温度系数补偿电阻和负温度系数补偿电阻。6.根据权利要求5所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述正温度系数补偿电阻为第一掺杂类型多晶硅电阻,所述负温度系数补偿电阻为第二掺杂类型多晶硅电阻。7.根据权利要求3所述的磁传感器集成电路,其特征在于,所述带隙基准电压源为双极结型...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡光杰,王俊辉,
申请(专利权)人:德昌电机深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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