片上变压器巴伦制造技术

一种片上变压器巴伦，包括：匝数为N的初级线圈，初级线圈的第一、二端子均位于最外匝绕线上，使得初级线圈的绕线存在N-1个交叠区，初级线圈包括沿绕制方向交错设置的若干第一金属线和若干连接桥，所有第一金属线位于同一平面上，连接桥位于平面下方，在交叠区连接桥与第一金属线电连接，连接桥的上表面被平面下方的介电层覆盖，N大于或等于2；位于平面上的匝数为M的次级线圈，次级线圈的绕线位于初级线圈的相邻两匝绕线之间。本方案的片上变压器巴伦的耦合系数较大，能量损耗较小，初、次级线圈的圈数较大，制造工艺成本低。

Chip transformer Balun

An on-chip transformer balun, including: turn primary winding number N, the first, second terminal of the primary coil are located in the outermost circle around the line, the winding of the primary coil of N-1 overlapping region, including a plurality of first primary coil along the wire winding direction staggered and several bridges, all the first metal line in the same plane, the bridge is located in the lower side of the plane, and the bridge connecting the first metal wire in the overlap area, connecting bridge on the surface is below the plane of the dielectric layer, N is greater than or equal to 2; in the number of turns on the plane of the secondary coil M, between adjacent winding the line of the secondary coil in the coil primary winding two turns. The on-chip transformer balun has a large coupling coefficient, a small energy loss, a large number of primary and secondary coils, and low manufacturing cost.

【技术实现步骤摘要】
片上变压器巴伦
本专利技术涉及片上无源器件
，特别是涉及一种片上变压器巴伦(balon)。
技术介绍
常见的巴伦有高频开路式、抵消式和变压器式。其中：高频开路式巴伦工作带宽窄；抵消式巴伦频带较宽，但使用大功率时受磁环磁饱和限制；而片上变压器巴伦主要是通过高频变压器实现平衡-不平衡转换。如图1所示，现有一种片上变压器巴伦包括初级线圈1和次级线圈2，在初级线圈1、次级线圈2的轴向X上，初级线圈1与次级线圈2间隔设置，且两者之间被介电层(未图示)隔开。上述现有片上变压器巴伦的缺点在于：初级线圈1与次级线圈2在轴向X上间隔设置，导致片上变压器巴伦的耦合系数较小、能量损耗较大。另外，初级线圈1和次级线圈2均包括一匝绕线，初级线圈1与次级线圈2之间的圈数比为1，圈数比较小。再者，初级线圈1与次级线圈2的绕线均采用厚金属，需利用两层厚金属工艺来形成初级线圈1与次级线圈2，导致片上变压器巴伦的制造工艺成本较高。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是：现有片上变压器巴伦的耦合系数较小、能量损耗较大。本专利技术要解决的另一问题是：现有片上变压器巴伦的初级线圈与次级线圈之间的圈数比较小。本专利技术要解本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片上变压器巴伦，其特征在于，包括：匝数为N的初级线圈，所述初级线圈的第一、二端子均位于最外匝绕线上，使得所述初级线圈的绕线存在N‑1个交叠区，所述初级线圈包括沿绕制方向交错设置的若干第一金属线和若干连接桥，所有所述第一金属线位于同一平面上，所述连接桥位于所述平面下方，在所述交叠区所述连接桥与所述第一金属线电连接，所述连接桥的上表面被所述平面下方的介电层覆盖，N大于或等于2；位于所述平面上的匝数为M的次级线圈，所述次级线圈的绕线位于所述初级线圈的相邻两匝绕线之间。

【技术特征摘要】
1.一种片上变压器巴伦，其特征在于，包括：匝数为N的初级线圈，所述初级线圈的第一、二端子均位于最外匝绕线上，使得所述初级线圈的绕线存在N-1个交叠区，所述初级线圈包括沿绕制方向交错设置的若干第一金属线和若干连接桥，所有所述第一金属线位于同一平面上，所述连接桥位于所述平面下方，在所述交叠区所述连接桥与所述第一金属线电连接，所述连接桥的上表面被所述平面下方的介电层覆盖，N大于或等于2；位于所述平面上的匝数为M的次级线圈，所述次级线圈的绕线位于所述初级线圈的相邻两匝绕线之间。2.如权利要求1所述的片上变压器巴伦，其特征在于，M等于1。3.如权利要求2所述的片上变压器巴伦，其特征在于，所述次级线圈的绕线包括两匝以上的第二金属线，所有所述第二金属线并联电连接，并沿所述次级线圈的径向间隔设置。4.如权利要求3所述的片上变压器巴伦，其特征在于，在径向上相邻的两匝所述第二金属线之间设有所述初级线圈的一匝绕线。5.如权利要求1所述的片上变压器巴伦，其特征在于，所述次级线圈具...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾海珑，刘文华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31