The invention in particular relates to Nand Flash pointer logic address mapping table implementation method. For the Nand Flash pointer logic address mapping table implementation method, by using the address pointer, to achieve a single logical address multilevel logic address mapping table, thereby reducing the Nand Flash chip is high time cost of garbage collection is to write error, avoid the garbage collection algorithm and Realization of complex wear leveling algorithm that reduces the difficulty of realization of Nand Flash controller, but also improve the storage speed.
【技术实现步骤摘要】
一种用于NandFlash的指针式逻辑地址映射表实现方法
本专利技术涉及NandFlash控制器
，特别涉及一种用于NandFlash的指针式逻辑地址映射表实现方法。
技术介绍
随着计算机技术的不断发展，存储设备的容量和速度都得到很大的提升。新型高速硬盘大多以NandFlash芯片为存储介质，但是该存储芯片的控制复杂，需要垃圾回收和磨损均衡等控制机制。基于上述情况，本专利技术提出了一种用于NandFlash的指针式逻辑地址映射表实现方法。旨在通过使用地址指针，实现对单个逻辑地址的多级逻辑地址映射表，从而降低NandFlash芯片发生写错误时垃圾回收导致的高昂时间成本。
技术实现思路
本专利技术为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种简单高效的用于NandFlash的指针式逻辑地址映射表实现方法。本专利技术是通过如下技术方案实现的：一种用于NandFlash的指针式逻辑地址映射表实现方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）建立一级逻辑地址映射表，所述一级逻辑地址映射表内每一条目的地址即为逻辑地址，条目内存储的内容为一级物理地址；（2）根据NandFlash芯片规格，为每一...
【技术保护点】
一种用于Nand Flash的指针式逻辑地址映射表实现方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）建立一级逻辑地址映射表，所述一级逻辑地址映射表内每一条目的地址即为逻辑地址，条目内存储的内容为一级物理地址；（2）根据Nand Flash芯片规格，为每一个plan建立一个空闲块物理地址子表；（3）顺序读取Nand Flash存储芯片每个block的坏块信息，将正常block的物理地址按顺序存储在一级逻辑地址映射表和对应的空闲块物理地址子表中；（4）按逻辑地址顺序对Nand Flash芯片进行读写操作或擦除操作；（5）当n级逻辑地址映射表中的block发生写入失败后，选取对应plan...
【技术特征摘要】
1.一种用于NandFlash的指针式逻辑地址映射表实现方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）建立一级逻辑地址映射表，所述一级逻辑地址映射表内每一条目的地址即为逻辑地址，条目内存储的内容为一级物理地址；（2）根据NandFlash芯片规格，为每一个plan建立一个空闲块物理地址子表；（3）顺序读取NandFlash存储芯片每个block的坏块信息，将正常block的物理地址按顺序存储在一级逻辑地址映射表和对应的空闲块物理地址子表中；（4）按逻辑地址顺序对NandFlash芯片进行读写操作或擦除操作；（5）当n级逻辑地址映射表中的block发生写入失败后，选取对应plan的空闲块创建n+1级逻辑地映射表，根据该物理地址找到对应的空闲块物理地址子表，并从中取出一个物理地址，将取出的物理地址添加到n+1级逻辑地址映射表中；将n级逻辑地址映射表中原地址条目的子地址指针填写n+1级逻辑地址映射表中的对应条目地址，将原地址条目的起始page填入0，结束page填入写入失败page前一页，将n+1级逻辑地...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵鑫鑫，姜凯，李朋，尹超，
申请(专利权)人：济南浪潮高新科技投资发展有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
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