数据存储方法和装置制造方法及图纸

本公开是关于一种数据存储，属于电子技术领域。方法包括：接收目标存储区域的存储模式设置指令，存储模式设置指令中携带有目标存储模式，其中，目标存储模式为单层单元SLC模式、多层单元MLC模式或三层单元TLC模式；在Nand芯片中，将目标存储区域的存储模式设置为目标存储模式；通过目标存储模式，在目标存储区域中进行数据存储操作。采用本公开，通过存储模式设置指令，目标存储区域的存储模式可以依据需要任意相互转换。通过对存储模式设置指令的操作可以很好的控制存储模式的设置或转换的操作，故而提高了存储模式设置操作的灵活性，更好的满足了用户的实际需求。

Data storage method and device

This disclosure is about a data storage, which belongs to the field of electronic technology. Methods include: storage mode set to receive the target storage area, storage mode set carries a target storage mode, the target storage mode for the single unit of SLC mode, MLC mode or multilayer unit three unit TLC; in the Nand chip, the target storage mode storage area is set to the target storage mode through the target; storage mode, data storage operation in the target storage area. The storage mode of the target storage area can be arbitrarily converted according to the requirement by using the open mode to set the instruction through the storage mode. By setting the commands to the storage mode of operation can control storage mode settings or good conversion operation, thereby improving the storage mode setting operation flexibility, better meet the actual needs of users.

【技术实现步骤摘要】
数据存储方法和装置
本公开是关于电子
，尤其是关于一种数据存储方法和装置。
技术介绍
现如今的Nand芯片(一种计算机闪存芯片)的存储容量越来越大，用户在使用Nand芯片的初期一般不会使用其所有的存储空间，因此，对于未被使用的存储空间造成了资源的闲置与浪费。为了解决上述问题，在Nand芯片的使用量未超过预订的容量时，可以将Nand芯片的存储模式设置为SLC(Single-LevelMulti-LevelCell，单层单元)模式；在Nand芯片的使用量超过预订的容量时，可以将Nand芯片的存储模式设置为MLC(Multi-LevelCell，多层单元)模式或TLC(Triple-LevelCell，三层单元)模式。SLC模式比MLC模式和TLC模式都更加稳定，写入速度更快。然而，以SLC模式进行存储得到的存储空间较小，以MLC模式或TLC模式进行存储得到的存储空间较大，例如，某Nand芯片在SLC模式下的存储空间为5G，而Nand芯片改为MLC模式时存储空间为10G。在现有技术中，Nand芯片的存储模式是可以自动转换的，转换的方式是通过存储数据量自动触发芯片进行存储模式的转换，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据存储方法，其特征在于，所述方法包括：接收目标存储区域的存储模式设置指令，所述存储模式设置指令中携带有目标存储模式，其中，所述目标存储模式为单层单元SLC模式、多层单元MLC模式或三层单元TLC模式；在Nand芯片中，将所述目标存储区域的存储模式设置为所述目标存储模式；通过所述目标存储模式，在所述目标存储区域中进行数据存储操作。

【技术特征摘要】
1.一种数据存储方法，其特征在于，所述方法包括：接收目标存储区域的存储模式设置指令，所述存储模式设置指令中携带有目标存储模式，其中，所述目标存储模式为单层单元SLC模式、多层单元MLC模式或三层单元TLC模式；在Nand芯片中，将所述目标存储区域的存储模式设置为所述目标存储模式；通过所述目标存储模式，在所述目标存储区域中进行数据存储操作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标存储区域的原存储模式为MLC模式或TLC模式，所述目标存储模式为SLC模式，所述方法还包括：获取所述目标存储区域的已存储数据的数据量，将其作为第一数据量，获取整个目标存储区域在所述目标存储模式下所能存储的最大数据量，将其作为第二数据量；如果所述第二数据量大于或等于所述第一数据量，则执行将所述目标存储区域的存储模式设置为所述目标存储模式。3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当检测到所述Nand芯片中MLC模式或TLC模式的存储区域中出现数据读写异常时，将所述MLC模式或TLC模式的存储区域的存储模式，切换为SLC模式。4.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，所述Nand芯片的初始存储模式为SLC模式。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储模式设置指令还包括携带有所述目标存储区域的起始地址和结束地址；所述在Nand芯片中，将所述目标存储区域的存储模式设置为所述目标存储模式，包括：在Nand芯片中，将所述起始地址至所述结束地址之间的存储区域的存储模式设置为目标存储模式。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储模式设置指令中还携带有目标存储区域包含的逻辑存储单元的标识；所述在Nand芯片中，将所述目标存储区域的存储模式设置为所述目标存储模式，包括：在Nand芯片中，将所述标识对应的逻辑存储单元的存储模式设置为目标存储模式。7.一种数据存储装置，其特征在于，所述装置包括：接收模块，用于接收目标存储区域的存储模式设置指令，所述存储模式设置指令中携带有目标存储模式，其中，所述目标存储模式为单层单元SLC模式、多层单元MLC模式或三层单元TLC模式；设...

【专利技术属性】
技术研发人员：高山，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11