适用于陶瓷产品的清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于陶瓷产品的清洗工艺，首先对陶瓷产品进行浸泡处理，便于后续利用化学品对产品表面的污染物进行快速、有效的清洗；然后，再利用KOH与H2O2在一定温度下发生高温反应，从而去除陶瓷产品表面的顽固污染物；该清洗工艺清洗效果好，化学品用量少，降低了清洗成本且提高清洗效率。

Cleaning process suitable for ceramic products

The invention discloses a cleaning process for ceramic products, the ceramic products were soaked with chemicals, for subsequent pollutants on the surface of the product of rapid and effective cleaning; then, using KOH and H2O2 at high temperature in a certain temperature reaction, so as to remove stubborn pollutants on the surface of the product of the ceramic; the cleaning process has good cleaning effect, less dosage of chemicals, reduce the cleaning cost and improve cleaning efficiency.

【技术实现步骤摘要】
适用于陶瓷产品的清洗工艺
本专利技术涉及一种清洗工艺，具体涉及一种适用于陶瓷产品的清洗工艺。
技术介绍
TFT(ThinFilmTransistor)LCD即薄膜场效应晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种，是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT的显示器件，它的性能优良、大规模生产特性好，自动化程度高，原材料成本低廉，发展空间广阔，将迅速成为新世纪的主流产品，是21世纪全球经济增长的一个亮点。现已实现产业化的TFT类型包括：非晶硅TFT(a-SiTFT)、多晶硅TFT(p-SiTFT)、单晶硅TFT(c-SiTFT)几种。目前使用最多的是a-SiTFT。a-SiTFT的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜、曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。第二步是用PECVD法进行连续成膜，形成SiNx膜、非掺杂a-Si膜，掺磷n+a-Si膜，然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成TFT部分的a-Si图案。第三步是用溅射成膜法形成透明电极(ITO膜)，再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。第四步栅极端部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。第五步是将AL等进行溅射成膜，用掩膜、曝光、蚀刻形成TFT的源极、漏极以及信号线图案。最后用PECVD法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形。至此，整个工艺流程完成。可见，在TFT的生产的溅射等工艺过程中，设备腔体内部的各零部件表面不可避免地会沉积污染物，污染物不及时清理的话则会影响产品质量，因此，需要定期将腔体内的零部件清洗干净，使得零部件可以长期反复使用，延长使用寿命。腔体内有很多零部件都是陶瓷制成的，现有技术中的清洗工艺存在清洗效果差、耗费大量人力物力、清洗液用量多成本高且难以去除局部顽固污染物的弊端，亟待改进。
技术实现思路
为解决现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种适用于陶瓷产品的清洗工艺，以减少化学品用量并提高清洗效率，更加能够有效去除局部顽固污染物。为了实现上述目标，本专利技术采用如下的技术方案：适用于陶瓷产品的清洗工艺，包括如下步骤：S1、将待清洗的陶瓷产品置于清洗槽内，向清洗槽内注入纯水直至淹没陶瓷产品，浸泡4-12h后，放空清洗槽中的水，用水枪冲洗陶瓷产品表面的污染物，随后将掉落至清洗槽内的污染物冲洗干净；S2、向清洗槽内注入热水使水位刚好淹没陶瓷产品，然后向清洗槽内注入清洗液，所述清洗液由H2O2、KOH及H2O混合组成，浸泡清洗完成后将清洗液放掉并且用纯水冲洗陶瓷产品；S3、清洗局部顽固污染物：再次向清洗槽内注入热水使水位刚好淹没陶瓷产品，在产品表面的顽固污染物上铺一层KOH固体，然后盛放H2O2倒在KOH表面，两者高温反应去除顽固污染物；S4、用纯水将陶瓷产品表面冲洗干净，然后晾干或烘干即可。优选地，前述步骤S2和S3中，热水温度为70℃。更优选地，前述步骤S2中，H2O2、KOH及H2O三者的质量浓度比为1:1:3。再优选地，前述步骤S3中，H2O2与KOH的质量浓度比为1:2。更优选地，前述步骤S2中，清洗液的清洗时间为1小时。进一步优选地，前述清洗槽由PP材质制成，具有良好的耐高温性能。更进一步优选地，前述清洗槽顶部设置有排风系统，通过排风系统能够将附带化学品的气体迅速排出，避免危害操作人员的身心健康。本专利技术的有益之处在于：本专利技术的清洗工艺中，首先对陶瓷产品进行浸泡处理，便于后续利用化学品对产品表面的污染物进行快速、有效的清洗；特别地，还利用KOH与H2O2在一定温度下发生高温反应，从而去除陶瓷产品表面的顽固污染物；该清洗工艺清洗效果好，化学品用量少，降低了清洗成本且能够避免对陶瓷产品表面产生腐蚀。具体实施方式以下结合具体实施例对本专利技术作具体的介绍。实施例1本实施例的清洗工艺适用于陶瓷产品的大面积污染物，具体包括如下步骤：(1)、将待清洗的陶瓷产品置于清洗槽内，向清洗槽内注入纯水直至淹没陶瓷产品，浸泡4h后，放空清洗槽中的水，用水枪冲洗陶瓷产品表面的污染物，随后将掉落至清洗槽内的污染物冲洗干净；(2)、向清洗槽内注入70℃的热水使水位刚好淹没陶瓷产品，然后向清洗槽内注入清洗液，所述清洗液由H2O2、KOH及H2O混合组成，H2O2、KOH及H2O三者的质量浓度比为1:1:3，浸泡清洗1h后将清洗液放掉并且用纯水冲洗陶瓷产品。实施例2本实施例与实施例1相似，区别之处在于纯水浸泡时间，具体包括如下步骤：(1)、将待清洗的陶瓷产品置于清洗槽内，向清洗槽内注入纯水直至淹没陶瓷产品，浸泡8h后，放空清洗槽中的水，用水枪冲洗陶瓷产品表面的污染物，随后将掉落至清洗槽内的污染物冲洗干净；(2)、向清洗槽内注入70℃的热水使水位刚好淹没陶瓷产品，然后向清洗槽内注入清洗液，所述清洗液由H2O2、KOH及H2O混合组成，H2O2、KOH及H2O三者的质量浓度比为1:1:3，浸泡清洗1h后将清洗液放掉并且用纯水冲洗陶瓷产品。实施例3本实施例与实施例1相似，区别之处在于纯水浸泡时间，具体包括如下步骤：(1)、将待清洗的陶瓷产品置于清洗槽内，向清洗槽内注入纯水直至淹没陶瓷产品，浸泡12h后，放空清洗槽中的水，用水枪冲洗陶瓷产品表面的污染物，随后将掉落至清洗槽内的污染物冲洗干净；(2)、向清洗槽内注入70℃的热水使水位刚好淹没陶瓷产品，然后向清洗槽内注入清洗液，所述清洗液由H2O2、KOH及H2O混合组成，H2O2、KOH及H2O三者的质量浓度比为1:1:3，浸泡清洗1h后将清洗液放掉并且用纯水冲洗陶瓷产品。对比例1该对比例采用的是清洗方法为：首先，将陶瓷产品放入干净的清洗槽中，向清洗槽注入70℃的热水。然后，向清洗槽中倒双氧水，使双氧水和水的混合溶液刚好淹没产品，再向清洗槽中的产品倾倒KOH，H2O2、KOH及H2O三者的质量浓度比为1:1:3。反应结束后，将清洗槽内的溶液排放掉，重复一次上面的流程。对实施例1-3及对比例1的清洗效果进行对比，结果如表1：序号热水浸泡时间热水浸泡后污染物去除率(％)清洗液浸泡后污染物去除率(％)实施例14小时5％-8％70％-80％实施例28小时10％-12％80％-90％实施例312小时15％-18％90％-95％对比例1-040％-50％表1实施例1-3及对比例1的清洗效果对比由表1可见，陶瓷产品经热水浸泡处理后，能够初步去除表面污染后，而且能够优化后续的清洗液浸泡清洗效果；热水浸泡时间越长，产品表面污染物去除率越高，当浸泡时间达到12h时，污染物去除率已达95％左右，达到了理想的清洗效果。实施例4本实施例的清洗工艺适用于陶瓷产品的大面积污染物去除后，再重点去除陶瓷表面的局部顽固污染物，具体地，取实施例3处理过的陶瓷产品，进行如下操作：A、向清洗槽内注入70℃的热水使水位刚好淹没陶瓷产品，在产品表面的顽固污染物上铺一层KOH固体，然后盛放H2O2倒在KOH表面，H2O2与KOH的质量浓度比为1:2，两者高温反应去除顽固污染物；B、用纯水将陶瓷产品表面冲洗干净，然后使用CDA气枪吹干即可。对比例2本对比例的清洗工艺与实施例4相似，区别仅在于H2O2与KOH的质量浓度比为1:1。对比例3本对比例的清洗工艺与实施例4相似，区本文档来自技高网...

【技术保护点】
适用于陶瓷产品的清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、将待清洗的陶瓷产品置于清洗槽内，向清洗槽内注入纯水直至淹没陶瓷产品，浸泡4‑12h后，放空清洗槽中的水，用水枪冲洗陶瓷产品表面的污染物，随后将掉落至清洗槽内的污染物冲洗干净；S2、向清洗槽内注入热水使水位刚好淹没陶瓷产品，然后向清洗槽内注入清洗液，所述清洗液由H2O2、KOH及H2O混合组成，浸泡清洗完成后将清洗液放掉并且用纯水冲洗陶瓷产品；S3、清洗局部顽固污染物：再次向清洗槽内注入热水使水位刚好淹没陶瓷产品，在产品表面的顽固污染物上铺一层KOH固体，然后盛放H2O2倒在KOH表面，两者高温反应去除顽固污染物；S4、用纯水将陶瓷产品表面冲洗干净，然后用CDA气枪吹干即可。

【技术特征摘要】
1.适用于陶瓷产品的清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、将待清洗的陶瓷产品置于清洗槽内，向清洗槽内注入纯水直至淹没陶瓷产品，浸泡4-12h后，放空清洗槽中的水，用水枪冲洗陶瓷产品表面的污染物，随后将掉落至清洗槽内的污染物冲洗干净；S2、向清洗槽内注入热水使水位刚好淹没陶瓷产品，然后向清洗槽内注入清洗液，所述清洗液由H2O2、KOH及H2O混合组成，浸泡清洗完成后将清洗液放掉并且用纯水冲洗陶瓷产品；S3、清洗局部顽固污染物：再次向清洗槽内注入热水使水位刚好淹没陶瓷产品，在产品表面的顽固污染物上铺一层KOH固体，然后盛放H2O2倒在KOH表面，两者高温反应去除顽固污染物；S4、用纯水将陶瓷产品表面冲洗干净，然后用CDA气枪吹干即可。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：皮超，强军，
申请(专利权)人：芜湖通潮精密机械股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34