一种无片外电容LDO电路制造技术

一种无片外电容LDO电路，其包括误差放大器模块、频率补偿模块、高电压控制模块和电压反馈输出模块；误差放大器用于实现输入参考电压与反馈电压的误差放大；频率补偿模块用于保证LDO反馈环路的稳定性；高电压控制模块用于产生和控制LDO调整管的栅极电压；电压反馈输出模块分别与误差放大模块、频率补偿模块和高电压控制模块相连，其包括的NMOS晶体管M14即为无片外电容LDO的调整管，用于实现LDO电压输出及反馈控制。本发明专利技术可用于SoC芯片内，不需要外接片外电容、电源抑制比高、瞬态响应快、电路架构简单、稳定且易于广泛推广使用。

A LDO circuit without chip capacitor

A capacitor free LDO circuit, which comprises an error amplifier module, frequency compensation module, high voltage voltage feedback control module and output module; the error amplifier for amplifying the input reference voltage and feedback voltage; frequency compensation module is used to guarantee the stability of the LDO feedback loop; high voltage control module for generating and controlling the gate voltage LDO tube; output voltage feedback module is respectively connected with the error amplifier module, frequency compensation module and high voltage control module, comprising a NMOS transistor M14 is the capacitor free adjustment of LDO tube, used to implement and feedback control of LDO output voltage. The invention can be used for the SoC chip, without splicing capacitor, power supply rejection ratio, fast transient response, simple circuit structure, stable and easy to use widely.

【技术实现步骤摘要】
一种无片外电容LDO电路
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及CMOS模拟集成电路设计领域，具体地，涉及一种无片外电容的低压差线性稳压器(owdropoutregulator，简称LDO)电路设计。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，芯片级系统(SystemonChip，简称SoC)获得了广泛应用。SoC芯片片内通常包括模拟模块、数字模块以及射频模块。本领域技术人员清楚，各个模块间会通过电源串扰影响整体芯片的性能，为保证芯片的低功耗和高性能，SoC片内电源管理愈发受到重视。LDO(LowDropoutRegulator，低压差线性稳压器)在CMOS集成电路尤其是低功耗电路设计中应用广泛，即LDO由于具有低功耗、低纹波和低噪声的优点，在SoC芯片电源管理模块中内应用广泛。而普通的LDO在重载情况下会使得误差放大模块的输出极点和主极点相距太近，从而容易导致电路不稳定。通常情况下的解决方案是需要外接片外电容，用于实现频率补偿和输出滤波，由于SoC芯片引脚数有限，因此，不需要片外电容的LDO更适合SoC芯片使用。然而，现有技术中的无片外电容LDO采用PMOS晶体管做输出调整管，存在电源抑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无片外电容LDO电路，其特征在于，包括：误差放大模块，其具有一个正向输入端、一个反向输入端和输出端，所述正向输入端与参考电压信号Vref相连；频率补偿模块，其输入端与所述误差放大模块的输出端相连；用于保证所述无片外电容LDO反馈环路的稳定性；高电压控制模块，与所述频率补偿模块的输出端相连；电压反馈输出模块，分别与所述误差放大模块、所述频率补偿模块和所述高电压控制模块相连，其包括NMOS晶体管M14、依次串联的第一反馈电阻R2和第二反馈电阻R3，所述NMOS晶体管M14即为所述无片外电容LDO的调整管，用于实现LDO电压输出及反馈控制；其中，所述高电压控制模块的输出端与所述NMOS晶体管M1...

【技术特征摘要】
1.一种无片外电容LDO电路，其特征在于，包括：误差放大模块，其具有一个正向输入端、一个反向输入端和输出端，所述正向输入端与参考电压信号Vref相连；频率补偿模块，其输入端与所述误差放大模块的输出端相连；用于保证所述无片外电容LDO反馈环路的稳定性；高电压控制模块，与所述频率补偿模块的输出端相连；电压反馈输出模块，分别与所述误差放大模块、所述频率补偿模块和所述高电压控制模块相连，其包括NMOS晶体管M14、依次串联的第一反馈电阻R2和第二反馈电阻R3，所述NMOS晶体管M14即为所述无片外电容LDO的调整管，用于实现LDO电压输出及反馈控制；其中，所述高电压控制模块的输出端与所述NMOS晶体管M14的栅极相连，用于产生和控制LDO调整管的栅极电压；所述MOS晶体管M1的漏极和第一反馈电阻R2的一端相连，连接点是所述无片外电容LDO电路的输出端；与所述MOS晶体管M1晶体管相连的第一反馈电阻的另一端与所述第二反馈电阻R3的一端和所述误差放大器的反向输入端相连。2.根据权利要求1所述的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述的误差放大模块由PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、功率PNMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4和NMOS晶体管M5构成；PMOS晶体管M1的栅极与参考电压Vref相连，PMOS晶体管M2的栅极与反馈电压Vfb相连，PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2的源极与PMOS晶体管M3的漏极相互连接；PMOS晶体管M3的栅极与偏置电压VB1相连，所述PMOS晶体管M3的源极与电源正极VDD相连；所述PMOS晶体管M1和PMOS晶体管M2的漏极分别与NMOS晶体管M4和NMOS晶体管M5的漏极相连接；所述NMOS晶体管M4的漏极与栅极相连，所述NMOS晶体管M4和M5的源极与电源负极VSS相连。3.根据权利要求2所述的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述的频率补偿模块由PMOS管M6和NMOS管M7及电阻R1构成；所述PMOS管M6的栅极与偏置电压VB1相连，所述PMOS管M6的源极与电源正极VDD相连，所述PMOS管M6的漏极与电阻R1的一端、NMOS管M7的漏极相互连接与节点N2；所述电阻R1的另一端与PMOS管M2的漏极及NMOS管M7的栅极相互连接于节点N1，所述NMOS管M7的源极与电源负极VSS相连。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：段杰斌，温建新，严慧婕，杨海玲，何学红，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31