一种高压器件工作在低电压下的双向自举动态开关电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高压器件工作在低电压下的双向自举动态开关电路，其中：第二非门的输出端连接于第一电容的前端，第一电容的后端、第二PMOS管的漏极和第三PMOS管的源极相连接，第三PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极均连接于第一非门的输出端，第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极均连接于第一NMOS管的栅极；第一非门的输出端连接于第二电容的前端，第二电容的后端、第三NMOS管的源极和第四NMOS管的漏极相连接，第四PMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极均连接于第一非门的输出端，第四PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极均连接于第一PMOS管的栅极。本发明专利技术能有效减少传输门的尺寸、提高传输门的速度、减少时钟馈通、降低误差以及提高精度。

A bidirectional bootstrapped dynamic switching circuit for high voltage devices operating at low voltage

The invention discloses a high voltage device working under Low Voltage Bidirectional bootstrap dynamic switch circuit, including: second output end is connected to the gate of the first capacitor front-end, drain and source electrode of the third PMOS tube, second PMOS tube end connected to the first capacitor, the output end of the third PMOS tube and second gate gate of the NMOS pipe are connected to the first gate, the second gate of the PMOS pipe, third PMOS tube drain gate drain are connected to the first electrode and the second NMOS NMOS tube tube; the front gate of the first output end is connected to the second capacitor, the second capacitor is third NMOS, the source and the fourth tube NMOS tube drain electrode connected to the output terminal fourth PMOS tube, third NMOS tube gate gate and the fourth gate of the NMOS pipe are connected to the first gate, the fourth PMOS transistor are connected to the drain electrode and third NMOS tube Gate of the first PMOS tube. The invention can effectively reduce the size of the transmission door, improve the speed of the transmission door, reduce the clock feedthrough, reduce the error and improve the accuracy.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在低电压环境下实现高速开关的电路结构，尤其涉及一种高压器件工作在低电压下的双向自举动态开关电路。
技术介绍
现有技术中，常见的CMOS开关传输门电路是由一个PMOS管和一个NMOS管这组成，请参照图1，通过在NMOS管的Gate极加ENN(VDDA)和PMOS的Gate极加ENP(VSSA)来实现低阻导通输入和输出，在输入输出电压一定的情况下，电路的电源电压越高，传输门的导通阻抗越小，传输速度也越快。设计高速开关电容电路时，如果需要快速传输信号，则传输门电路的导通阻抗必须足够低。假定开关电容的时钟频率是12MHz，ADC的精度是8-bit，电容大小是200fF；假定开关时钟占空比为50％，也就是在开关导通后，传输的信号必须在半个时钟周期也就是41.667ns内收敛到ADC的0.5LSB精度内，假设整个收敛过程是线性，那么传输门的导通阻抗可以估算如下：进而估算出导通阻抗R≤33.4KΩ。而对于传输门，其阻抗计算公式是：其带来的时钟馈通估算公式是：其中，βN和βP分别是NMOS和PMOS的电荷馈通分配系数，大约是0.5左右，但和工艺及输入信号大小有关。由于指纹识别芯片是5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压器件工作在低电压下的双向自举动态开关电路，其特征在于，包括有第一非门(U1)、第二非门(U2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)和自举电容(CH)，所述第一非门(U1)和第二非门(U2)依次串联，所述第一非门(U1)的输入端用于接入时钟脉冲信号，其中：所述第二非门(U2)的输出端连接于第一电容(C1)的前端，所述第一电容(C1)的后端、第二PMOS管(P2)的漏极和第三PMOS管(P3)的源极相...

【技术特征摘要】
1.一种高压器件工作在低电压下的双向自举动态开关电路，其特征在于，包括有第一非门(U1)、第二非门(U2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)和自举电容(CH)，所述第一非门(U1)和第二非门(U2)依次串联，所述第一非门(U1)的输入端用于接入时钟脉冲信号，其中：所述第二非门(U2)的输出端连接于第一电容(C1)的前端，所述第一电容(C1)的后端、第二PMOS管(P2)的漏极和第三PMOS管(P3)的源极相连接，所述第二PMOS管(P2)的源极用于连接高电位，所述第三PMOS管(P3)的栅极和第二NMOS管(N2)的栅极均连接于第一非门(U1)的输出端，所述第二NMOS管(N2)的源极接地，所述第二PMOS管(P2)的栅极、第三PMOS管(P3)的漏极和第二NMOS管(N2)的漏极均连接于第一NMOS管(N1)的栅极；所述第一非门(U1)的输出端连接于第二电容(C2)的前端，所述第二电容(C2)的后端、第三NMOS管(N3)的源极和第四NMOS管(N4)的漏极相连接，所述第四NMOS管(N4)的源极接地，所述第四PMOS管(P4)的源极连接高电位，所述第四PMOS管(P4)的栅极、第三NMOS管(N3)的栅极和第四NMOS管(N4)的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思伟，余佳，
申请(专利权)人：深圳贝特莱电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44