全彩LED显示单元及其制备方法技术
Full color LED display unit and method of making the same
The invention provides a full-color LED display unit and a method for making the same. The full-color LED display unit comprises a substrate, a IC chip, a transparent dielectric layer, the first LED chip group, second LED group and third LED chip chip group, transparent dielectric layer arranged on the first surface of the substrate, the first LED chip LED chip in the first group are arranged on the first surface and a transparent dielectric layer, second in the group of second LED chip LED chip is arranged in the first group of LED chip and a transparent dielectric layer covering more than third, LED chipset third LED chip set in second LED chipset and is above the transparent dielectric layer covering, or is arranged on the fourth surface, and the first LED chip, the second chip and the LED third LED chips are electrically connected with the IC chip, LED chip, the first emission wavelength of second LED and third LED different chip chip.
【技术实现步骤摘要】
全彩LED显示单元及其制备方法
本专利技术涉及显示
，具体而言，涉及一种全彩LED显示单元及其制备方法。
技术介绍
目前，RGB三基色LED构成全彩LED显示阵列的主流方式有两种，一种是由三个独立的直插式LED构成，这种方式构成的全彩阵列，由于单颗LED尺寸及相邻LED间距均较大，多用于户外显示屏；另一种是将RGB三种LED晶粒并行排列封装在同一个基底上，以构成独立像素，这种方式构成的全彩LED阵列像素尺寸较小，像素间距可根据使用需求和环境调整，因此被广泛应用于室内高清显示屏。近年来，LED显示凭借其优异的色彩表现，超长寿命和高效节能等优点吸引越来越多科研工作者和各大显示厂商的关注，人们希望将这种显示技术应用于更高密度更小间距的产品中，如电脑、手机、智能穿戴设备等，这势必要求LED芯片尺寸更小，如50μm或以下，每个像素尺寸在200μm或以下。在此情况下，上述第一种全彩LED阵列构建方式显然不适用，而采用第二种方式，会对LED晶粒制备工艺和LED芯片封装工艺提出更高的要求。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种全彩LED显示单元及其制备方法，以解决现有...
【技术保护点】
一种全彩LED显示单元，包括基板(100)和IC芯片，其特征在于，所述全彩LED显示单元还包括：透明介质层，设置在所述基板(100)的第一表面上，所述透明介质层的远离所述基板(100)的表面为第四表面；第一LED芯片组，设置在所述第一表面上且被所述透明介质层覆盖，所述第一LED芯片组的远离所述第一表面的表面所在平面为第二表面；第二LED芯片组，设置在所述第二表面以上且被所述透明介质层覆盖，所述第一LED芯片组的远离所述第一表面的表面所在平面为第三表面；第三LED芯片组，设置在所述第三表面以上且被所述透明介质层覆盖，或设置在所述第四表面上，所述第一LED芯片组包括至少一个第一...
【技术特征摘要】
1.一种全彩LED显示单元，包括基板(100)和IC芯片，其特征在于，所述全彩LED显示单元还包括：透明介质层，设置在所述基板(100)的第一表面上，所述透明介质层的远离所述基板(100)的表面为第四表面；第一LED芯片组，设置在所述第一表面上且被所述透明介质层覆盖，所述第一LED芯片组的远离所述第一表面的表面所在平面为第二表面；第二LED芯片组，设置在所述第二表面以上且被所述透明介质层覆盖，所述第一LED芯片组的远离所述第一表面的表面所在平面为第三表面；第三LED芯片组，设置在所述第三表面以上且被所述透明介质层覆盖，或设置在所述第四表面上，所述第一LED芯片组包括至少一个第一LED芯片(11)，所述第二LED芯片组包括至少一个第二LED芯片(12)，所述第三LED芯片组包括至少一个第三LED芯片(13)，且各所述第一LED芯片(11)、各所述第二LED芯片(12)和各所述第三LED芯片(13)均与所述IC芯片电连接，所述第一LED芯片(11)、所述第二LED芯片(12)和所述第三LED芯片(13)的发光波长不同。2.根据权利要求1所述的全彩LED显示单元，其特征在于，所述透明介质层包括：第一透明介质层(101)，覆盖于所述基板(100)和所述第一LED芯片(11)表面，所述第一透明介质层(101)中具有第一连接孔(123)，各所述第二LED芯片(12)通过所述第一连接孔(123)与所述IC芯片电连接；第二透明介质层(102)，覆盖于所述第一透明介质层(101)和所述第二LED芯片(12)表面，所述第二透明介质层(102)和所述第一透明介质层(101)中具有第二连接孔(133)，各所述第三LED芯片(13)通过所述第二连接孔(133)与所述IC芯片电连接。3.根据权利要求2所述的全彩LED显示单元，其特征在于，所述透明介质层还包括第三透明介质层(103)，所述第三透明介质层(103)覆盖于所述第二透明介质层(102)和所述第三LED芯片(13)表面，优选所述第一透明介质层(101)、所述第二透明介质层(102)和所述第三透明介质层(103)的远离所述基板(100)的一侧表面为平面。4.根据权利要求2所述的全彩LED显示单元，其特征在于，所述IC芯片位于所述基板(100)的远离所述第一LED芯片(11)的一侧，所述基板(100)具有第三连接孔，所述第一LED芯片(11)通过所述第三连接孔与所述IC芯片电连接，所述第二LED芯片(12)通过所述第一连接孔(123)和所述第三连接孔与所述IC芯片电连接，所述第三LED芯片(13)通过所述第二连接孔(133)和所述第三连接孔与所述IC芯片电连接。5.根据权利要求4所述的全彩LED显示单元，其特征在于，所述第一LED芯片(11)包括沿远离所述基板(100)的方向顺序设置的第一电极(111)和第一子外延层(113)，且所述全彩LED显示单元还包括：第一电极布线层(112)，设置于所述基板(100)与所述第一LED芯片(11)之间，用于将所述第三连接孔与所述第一电极(111)电连接；优选所述第二LED芯片(12)包括沿远离所述基板(100)的方向顺序设置的第二电极(121)和第二子外延层，且所述全彩LED显示单元还包括：第二电极布线层(122)，设置于所述第一透明介质层(101)与所述第二LED芯片(12)之间，用于将所述第一连接孔(123)与所述第二电极(121)电连接；优选所述第三LED芯片(13)包括沿远离所述基板(100)的方向顺序设置的第三电极(131)和第三子外延层，且所述全彩LED显示单元还包括：第三电极布线层(132)，设置于所述第二透明介质层(102)与所述第三LED芯片(13)之间，用于将所述第二连接孔(133)与所述第三电极(131)电连接。6.根据权利要求5所述的全彩LED显示单元，其特征在于，形成所述第一电极(111)、所述第二电极(121)和所述第三电极(131)的材料为透明导电材料，且各自独立地优选为ITO、ZnO或石墨烯。7.根据权利要求1所述的全彩LED显示单元，其特征在于，所述第一LED芯片(11)、所述第二LED芯片(12)和所述第三LED芯片(13)分别选自红色LED芯片、绿色LED芯片和蓝色LED芯片；优选所述第一LED芯片(11)为红色LED芯片，所述第二LED芯片(12)为绿色LED芯片且所述第三LED芯片(13)为蓝色LED芯片，或所述第二LED芯片(12)为蓝色LED芯片且所述第三LED芯片(13)为绿色LED芯片。8.根据权利要求1所述的全彩LED显示单元，其特征在于，所述全彩LED显示单元还包括TFT结构和TFT电极布线层，所述TFT结构与所述TFT电极布线层均设置于所述基板(100)与所述第一LED芯片组之间，且所述TFT电极布线层设置于所述TFT结构的远离所述基板(100)的一侧，所述TFT结构、各所述第一LED芯片(11)、各所述第二LED芯片(12)、各...
【专利技术属性】
技术研发人员：马莉，卢长军，
申请(专利权)人：利亚德光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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