量子点膜及其制备方法技术

技术编号:16365047 阅读:62 留言:0更新日期:2017-10-10 20:57
本发明专利技术提供了一种量子点膜,所述量子点膜包括:用于发光的量子点层,所述量子点层包括入光面和出光面;沉积在所述入光面和出光面上的无机镀层,所述无机镀层用于阻隔水氧;设置在所述无机镀层上的有机保护层。基于本发明专利技术的量子点膜厚度较小,有利于背光显示产品的轻薄化设计。

Quantum dot film and preparation method thereof

The invention provides a quantum dot film, the film includes a quantum dot quantum dot light emitting layer, wherein the quantum dot layer light and smooth; deposited on the input surface and a smooth surface of inorganic coatings, the inorganic coatings for water barrier disposed on the inorganic oxygen; the coating on the organic layer. The quantum dot film based on the invention has smaller thickness and is favorable for the light and thin design of the backlight display product.

【技术实现步骤摘要】
量子点膜及其制备方法
本专利技术涉及量子点膜显示
,尤其是涉及一种量子点膜及其制备方法。
技术介绍
量子点是一种三维尺寸都在1-20纳米范围内的无机半导体发光纳米晶,由于其尺寸小于或接近激子玻尔半径,量子点具有激发波长范围宽,粒径可控、半峰宽窄、斯托克斯位移大等优点。与传统LED发出的白光相比,基于量子点的背光源可以得到更纯的红光和绿光,因而显示更加明亮,能够将液晶显示器的色域从70%NTSC提高到110%NTSC。现有量子点背光显示技术主要可分为基于量子点玻璃管和量子点膜的两种背光技术。与量子点玻璃管相比,量子点膜更有利于背光显示产品的轻薄化和窄边框设计。现有量子点膜一般包括三层,具体的,量子点膜包括量子点层和位于量子点层入光面和出光面两侧的保护层,保护层一般为具有水氧阻隔能力的PET基材膜。由于PET基材膜制备工艺和成本的限制,PET基材膜的厚度一般大于50微米,导致采用PET基材膜制备的量子点膜厚度较大,不利于显示产品的轻薄化设计。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足,本专利技术旨在提供一种量子点膜及其制备方法,以解决量子点膜厚度较大的缺点。本专利技术的一方面在于提供一种量本文档来自技高网...
量子点膜及其制备方法

【技术保护点】
一种量子点膜,其特征在于,所述量子点膜包括:用于发光的量子点层,所述量子点层包括入光面和出光面;沉积在所述入光面和出光面上的无机镀层,所述无机镀层用于阻隔水氧;设置在所述无机镀层上的有机保护层。

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜,其特征在于,所述量子点膜包括:用于发光的量子点层,所述量子点层包括入光面和出光面;沉积在所述入光面和出光面上的无机镀层,所述无机镀层用于阻隔水氧;设置在所述无机镀层上的有机保护层。2.根据权利要求1所述的量子点膜,其特征在于,所述量子点层包括聚合物基质、均匀分散在所述聚合物基质中的量子点和光散射粒子。3.根据权利要求1所述的量子点膜,其特征在于,所述量子点层和所述无机镀层之间设置有一层平滑涂层,所述平滑涂层的表面粗糙度小于10纳米。4.根据权利要求1所述的量子点膜,其特征在于,所述无机镀层的厚度在5-400纳米。5.根据权利要求1所述的量子点膜,其特征在于,所述无机镀层包括氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、氮化钛、氮氧化钛、氧化锆、氮化锆、氮氧化锆、氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、石墨烯中的至少一种。6.根据权利要求1所述的量子点膜,其特征在于,设置所述无机镀层的方法包括喷射、溅射、蒸镀、真空沉积、等离子增强化学气相沉积或者原子层沉积。7.根据权利要求1所述的量子点膜,其特征在于,所述有机保...

【专利技术属性】
技术研发人员:马卜唐柳
申请(专利权)人:苏州星烁纳米科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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