LPCVD工艺设备制造技术

本发明专利技术提供了一种LPCVD工艺设备，所述LPCVD工艺设备包括：反应腔室及位于所述反应腔室底部的歧管，所述歧管外设置有冷却装置。在本发明专利技术提供的LPCVD工艺设备中，通过在歧管外设置冷却装置以降低反应腔室底部的温度，从而减少LPCVD HTO工艺中的氯气浓度，进而能够得到质量高、平整性好的DCS-HTO薄膜（氧化硅层）。

LPCVD process equipment

The present invention provides a LPCVD process equipment comprising a reaction chamber and a manifold positioned at the bottom of the reaction chamber, and a cooling device is arranged outside the manifold LPCVD. LPCVD process equipment provided in the invention, in order to reduce the temperature of the reaction chamber by setting the cooling device in the manifold, thereby reducing the chlorine concentration of LPCVD in HTO process, and be able to get high quality DCS-HTO films of good flatness (silicon oxide layer).

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种LPCVD工艺设备。
技术介绍
在半导体制造工艺中，热氧化（thermaloxidation）工艺被普遍使用。热氧化工艺所形成的氧化硅具有质量高、平整性好等优点。然而，相对于化学气相沉积工艺而言，热氧化工艺需要更高的温度（通常大于1000℃）和更长的工艺时间。针对上述问题，一种可选的替代方案就是使用LPCVDHTO（LowPressureChemicalVaporDepositionHighTemperatureOxidation，低压化学气相沉积高温氧化）工艺。典型的，LPCVDHTO工艺将在相对较低的温度（通常小于1000℃）和较低的压力下实现，由此LPCVDHTO工艺将产生较小的热开支。同时，LPCVDHTO工艺具有非常好的台阶性能，其可以形成质量较高、平整性较好的氧化硅。LPCVDHTO工艺将用到反应物DCS（即SiH2Cl2），此外，LPCVDHTO工艺通常还包括N2O，具体反应式如下：SiH2Cl2（ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LPCVD工艺设备，其特征在于，包括：反应腔室及位于所述反应腔室底部的歧管，所述歧管外设置有冷却装置。

【技术特征摘要】
1.一种LPCVD工艺设备，其特征在于，包括：反应腔室及位于所述反应
腔室底部的歧管，所述歧管外设置有冷却装置。
2.如权利要求1所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述冷却装置覆
盖所述歧管。
3.如权利要求1所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述冷却装置为
内部装有冷却剂的管道。
4.如权利要求3所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述管道围绕所
述歧管。
5.如权利要求3所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述冷却剂为液
体。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林敏伟，张凌越，范洁修，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31