一种硅碳棒连接桥结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅碳棒连接桥结构，包括连接桥和硅碳棒，其特点是连接桥为设有储灰仓和若干连接孔的硅碳棒连接结构，硅碳棒设置在连接孔内且与连接桥烧结成一体的非金属高温加热元件，所述连接桥为倒置的梯形结构，其上设有平盘状的储灰仓，其底面尺寸与连接桥的连接面一致。本实用新型专利技术与现有技术相比具有结构简单，使用方便，有效防止硅碳棒的氧化杂质掉落在下部加热的原材料中，避免硅碳棒在使用过程中产生被氧化或氮化的物质脱落而造成产品的杂质污染，彻底解决了长期以来硅碳棒氧化杂质对产品质量影响的问题，使得硅碳棒在正常使用状态下能安全有效、清洁地运行，进一步提高产品质量，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种硅碳棒连接桥结构
本技术涉及硅钼或硅碳棒加热元件
，具体地说是一种硅碳棒连接桥结构。
技术介绍
硅碳棒是用高纯度绿色六方碳化硅为主要原料，按一定料比加工制坯，经2200℃高温硅化再结晶烧结而制成棒状、管状的非金属高温电热元件。硅碳棒氧化性气氛中正常使用温度可达1450℃，连续使用可达2000小时。硅碳棒根据不同的配比形成一定的电阻，通电后发热，其表面温度较高，硅碳棒有良好的化学稳定性，抗酸能力强。目前，硅碳棒加热元件一般都由连接端将若干根硅碳棒并联为一组加热元件，硅碳棒在通电后发热，高温条件下碱性物质对其有侵蚀作用，硅碳棒元件在1000℃以上长期使用能与氧气和水蒸气发生如下作用：⑴SiC+2O2→SiO2+CO2⑵SiC+4H2O=SiO2+4H2+CO2致使加热元件中的SiO2含量逐渐增多，电阻随之缓慢增加，为之老化。如水蒸气过多，会促进SiC氧化，由⑵式反应产生的H2与空气中的O2结合H2O再反应产生恶性循环，降低元件寿命。氢气(H2)能使加热元件机械强度降低。氮气(N2)在1200℃以下能防止SiC氧化，氮气在1350℃以上与SiC发生反应，使SiC分解出氯气(Cl2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅碳棒连接桥结构，包括连接桥（1）和硅碳棒（4），其特征在于连接桥（1）为设有储灰仓（2）和若干连接孔（3）的硅碳棒连接结构，硅碳棒（4）设置在连接孔（3）内且与连接桥（1）烧结成一体的非金属高温加热元件，所述连接桥（1）为倒置的梯形结构，其上设有船形托盘的储灰仓（2）。

【技术特征摘要】
1.一种硅碳棒连接桥结构，包括连接桥（1）和硅碳棒（4），其特征在于连接桥（1）为设有储灰仓（2）和若干连接孔（3）的硅碳棒连接结构，硅碳棒（4）设置在连接孔（3）内且与连接桥（1）烧结成一体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敉，
申请(专利权)人：上海华超电器科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31