阵列基板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，其中，开关薄膜晶体管的第一有源层由掺杂半导体材料形成，驱动薄膜晶体管的第二有源层由非掺杂半导体材料形成。由此，该阵列基板不仅可以保证开关管的开关特性，而且，提高了开关薄膜晶体管的载流子迁移率及减小了Vth偏移量，同时又可以在保证驱动薄膜晶体管具有理想的载流子迁移率的前提下，降低驱动薄膜晶体管有源层的长度，实现了高分辨率的设计要求。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及阵列基板及其制备方法。
技术介绍
随着TFT-LCD技术的发展，高的载流子迁移率、低功耗、高分辨率等已经成为大家关注的热点。在平板显示
，低温多晶硅薄膜晶体管显示器(LowTemperaturePoly-siliconThinFilmTransistor，简称LTPSTFT)具有高的反应速度、高开口率、高亮度等优点，成为当今平板显示市场增长速度最快的技术。而且它还能被用于柔性显示以及被称为下一代显示技术的有机发光二极管显示器上。低温多晶硅薄膜晶体管有源层为低温多晶硅(p-Si)，为了增加其载流子迁移率需要对其进行离子掺杂，如B3+，以提高晶体管的开关特性。但是驱动薄膜晶体管(drivingTFT)相对于开关薄膜晶体管(switchingTFT)，并不需要过高的载流子迁移率。传统的设计中为了保证对开态电流(Ion)值的要求，对于高载流子迁移率有源层来说，只能增加有源层长度来实现设计要求。但是长度值的增加限制了分辨率的进一步提高。因此，关于薄膜晶体管的研究仍有待深入。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，其中，所述开关薄膜晶体管的第一有源层由掺杂半导体材料形成，所述驱动薄膜晶体管的第二有源层由非掺杂半导体材料形成。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，其中，所述开关薄膜晶体管的第一有源层由掺杂半导体材料形成，所述驱动薄膜晶体管的第二有源层由非掺杂半导体材料形成。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层由掺杂低温多晶硅形成，所述第二有源层由非掺杂低温多晶硅形成。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的宽长比不小于3:30。4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的阵列基板。5.一种制备阵列基板的方法，其特征在于，所述阵列基板包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，在形成有源层的步骤中，所述开关薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利忠，杨维，邸云萍，周天民，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11