一种霍山石斛的石栽技术制造技术

本发明专利技术涉及霍山石斛种植技术领域，公开了一种霍山石斛的石栽技术，包括以下步骤：1）种子的选择：选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；2）种子的贮藏：将步骤1）中选好的种子放置在‑5℃至‑10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间不应超过15天；3）种子的解冻：将贮藏的种子使用快速化冻机进行快速化冻处理，化冻时间为3‑5分钟，化冻好的种子以待备用。该霍山石斛的石栽技术，通过将霍山石斛种植在石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4‑6米以上，保证了霍山石斛可以利用林木枝叶适当的遮阴效果保证了霍山石斛在生长过程中的保水性以及通风透气性，从而大大提高了该霍山石斛的石栽技术良好的栽培效果。

A stone cutting technique for Dendrobium Mount Holyoke

The present invention relates to Mount Holyoke Dendrobium planting technology field, discloses a Mount Holyoke of Dendrobium stone planting technology, which comprises the following steps: 1) seed selection: plump Mount Holyoke Dendrobium seed, the seed surface without damage and dry damage problems; 2) seed storage: Step 1) choose the seed placement storage in low temperature environment 5 DEG to 10 DEG C, storage time should not exceed 15 days; 3) seeds: the seeds used to thaw thawed fast machine rapid thaw, thaw time is 3 5 minutes to spare out the good seed. The Mount Holyoke of Dendrobium stone planting technology, the Mount Holyoke in the north mountain slopes of Dendrobium cultivation, planting the tree average height of 6 meters above in 4, the Mount Holyoke of Dendrobium can use suitable shade foliage trees to ensure the effect of Dendrobium Mount Holyoke during the growth of water retention and ventilation, and the Mount Holyoke stone Dendrobium greatly improve the cultivation effect of good planting technology.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及霍山石斛种植
，具体为一种霍山石斛的石栽技术。
技术介绍
霍山石斛主产于大别山区的安徽省霍山县，大多生长在云雾缭绕的悬崖峭壁崖石缝隙间和参天古树上，生于山地林中树干上和山谷岩石上。霍山石斛能大幅度提高人体内SOD（延缓衰老的主要物质）水平，对经常熬夜、用脑、烟酒过度，体虚乏力的人群，经常饮用非常适宜。霍山石斛有明目作用，也能调和阴阳、壮阳补肾、养颜驻容，从而达到保健益寿的功效，但是现有的霍山石斛石栽技术并不完善，导致霍山石斛的发芽成功率不高，为此，我们提出了一种霍山石斛的石栽技术来解决上述问题。
技术实现思路
（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种霍山石斛的石栽技术，具备霍山石斛发芽率较高的优点，解决了现有技术导致霍山石斛发芽率较低的问题。（二）技术方案为实现上述霍山石斛发芽率较高的目的，本专利技术提供如下技术方案：一种霍山石斛的石栽技术，包括以下步骤：1）种子的选择：选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；2）种子的贮藏：将步骤1）中选好的种子放置在-5℃至-10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间不应超过15天；3）种子的解冻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种霍山石斛的石栽技术，其特征在于，包括以下步骤：1）种子的选择：选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；2）种子的贮藏：将步骤1）中选好的种子放置在‑5℃至‑10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间不应超过15天；3）种子的解冻：将贮藏的种子使用快速化冻机进行快速化冻处理，化冻时间为3‑5分钟，化冻好的种子以待备用；4）种植区域选择：选取石灰岩含量较高的石山作为种植场地，种植区域的坡度范围在20°‑30°，种植区域位于石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4‑6米以上，林间透光率为40％‑45％，林隙栽植处遮阴度在55％‑65％；5）种植时间选择；栽培时间宜选择在每年的4‑6...

【技术特征摘要】
1.一种霍山石斛的石栽技术，其特征在于，包括以下步骤：1）种子的选择：选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；2）种子的贮藏：将步骤1）中选好的种子放置在-5℃至-10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间不应超过15天；3）种子的解冻：将贮藏的种子使用快速化冻机进行快速化冻处理，化冻时间为3-5分钟，化冻好的种子以待备用；4）种植区域选择：选取石灰岩含量较高的石山作为种植场地，种植区域的坡度范围在20°-30°，种植区域位于石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4-6米以上，林间透光率为40％-45％，林隙栽植处遮阴度在55％-65％；5）种植时间选择；栽培时间宜选择在每年的4-6月份；6）开凿种植孔：在石山山坡的表面每隔0.1-0.15米的距离使用钻头直径为3-5厘米的冲击钻开凿一个深度为10厘米的种植孔；7）开挖排水渠：在步骤6）开凿好的种植孔的两侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨忠平，
申请(专利权)人：安徽省霍山县霍鼎仙石斛开发有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34