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本发明涉及霍山石斛种植技术领域，公开了一种霍山石斛的石栽技术，包括以下步骤：1）种子的选择：选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；2）种子的贮藏：将步骤1）中选好的种子放置在‑5℃至‑10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间...该专利属于安徽省霍山县霍鼎仙石斛开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽省霍山县霍鼎仙石斛开发有限公司授权不得商用。
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本发明涉及霍山石斛种植技术领域，公开了一种霍山石斛的石栽技术，包括以下步骤：1）种子的选择：选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；2）种子的贮藏：将步骤1）中选好的种子放置在‑5℃至‑10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间...