The present invention relates to a solid state imaging device with excellent color separation and high sensitivity, and an image forming apparatus provided with the solid-state imaging device. The solid-state imaging device includes: a semiconductor layer 11, the surface side become a circuit forming surface; photoelectric conversion unit PD1 and PD2 more than two layers, they are stacked and 11 formed on the semiconductor layer; and vertical transistor Tr1, wherein, the gate electrode 21 formed on the surface of the semiconductor layer 11 is embedded in 15 to the semiconductor layer 11. A photoelectric conversion unit PD1 the photoelectric conversion layer two units become across the vertical transistor Tr1 gate electrode 21 is inserted to the 21A part of the semiconductor layer, and connected to form a vertical transistor by the Tr1 channel.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适于纵向光谱(longitudinalspectroscopic)图像传感器的固态成像器件和包括有该固态成像器件的成像装置。
技术介绍
在根据相关技术的图像传感器中，滤色器通常以拜耳(Bayer)阵列的方式形成。然而，在拜耳阵列中，由于被每个滤色器吸收的光不能够用于光电转换，所以光的利用效率可能降低了与滤色器相对应的量。因此，为了不仅针对拜耳阵列提高滤色器光利用效率以实现高灵敏度或高分辨率的目的，已经提出了在同一像素中堆叠有多个光电二极管的纵向光谱图像传感器(例如，参考专利文献1至3)。在使用硅衬底的纵向光谱图像传感器中，按照不同的深度将光电二极管堆叠在硅中，以通过利用光的吸收波长根据硅衬底的深度而不同来进行色彩分离。此外，通过由杂质注入形成的且具有电荷梯度的电荷传输路径(在下文中，被称为“注入栓(implantationplug)”)，将电荷传输到硅衬底的表面，从而从形成于硅衬底的深部中的光电二极管读取电荷。同时...
【技术保护点】
一种固态成像器件，其包括：半导体层，其表面侧成为电路形成面；两层以上的光电转换单元，它们堆叠并形成在所述半导体层中；和纵向晶体管，其栅极电极形成为从所述半导体层的表面被嵌入到所述半导体层内，其中，所述两层以上的光电转换单元中的一层光电转换单元形成为跨越所述纵向晶体管的栅极电极的被嵌入到所述半导体层内的部分，并连接到由所述纵向晶体管形成的所述沟道。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.11 JP 2011-2238561.一种固态成像器件，其包括：
半导体层，其表面侧成为电路形成面；
两层以上的光电转换单元，它们堆叠并形成在所述半导体层中；和
纵向晶体管，其栅极电极形成为从所述半导体层的表面被嵌入到所
述半导体层内，
其中，所述两层以上的光电转换单元中的一层光电转换单元形成为
跨越所述纵向晶体管的栅极电极的被嵌入到所述半导体层内的部分，并
连接到由所述纵向晶体管形成的所述沟道。
2.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述固态成像器件
具有背面照射型结构，在所述背面照射型结构中，所述半导体层的背面
侧成为光入射面。
3.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，在电荷累积时段期
间，所述纵向晶体管截止，所述纵向晶体管没有形成所述沟道，且浮动
扩散部没有连接到所述光电转换单元。
4.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，三层的光电转换单
元堆叠在所述半导体层中，且为所述三层的光电转换单元之中的从所述
半导体层的背面侧开始的第一层的光电转换单元和第二层的光电转换单
元中的每者设置一个所述纵向晶体管。
5.根据权利要求1所述的固态成像器件，其还包括...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。