一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在不增加阵列基板中面状电极和狭缝电极之间的存储电容的基础上，提高面状电极和狭缝电极之间的电场利用率；该阵列基板，包括设置于衬底基板上位于每个亚像素中的狭缝电极和面状电极，且面状电极位于狭缝电极靠近衬底基板的一侧，狭缝电极包括多个条状子电极，在亚像素中，狭缝电极和面状电极之间设置有绝缘层，绝缘层背离衬底基板的表面在至少一组相邻条状子电极之间设置有凹槽。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。现有的液晶显示装置包括多种显示模式，例如TN(TwistNematic，扭曲向列)型、ADS(Advanced-SuperDimensionalSwitching，高级超维场开关、IPS(InPlaneSwitch，横向电场效应)型等，其中ADS型显示模式由于其宽视角，广泛应用于电视显示领域。如图1所示，为现有技术中的ADS模式的液晶显示面板，包括阵列基板01、彩膜基板03以及位于阵列基板01和彩膜基板03之间的液晶层02；其中，阵列基板01中包括用于驱动液晶层02的面状电极10和狭缝电极20，且狭缝电极20相对于面状电极10靠近液晶层02。该ADS模式的显示面板中，由于面状电极和狭缝电极之间正对的面积较大，进而使得两者之间存储电容相对于正常显示的所需电容明显增加，从而对显示画面会造成不良影响。基于上述问题，可以采用增加面状电极和狭缝电极之间距离(即增加两者之间的绝缘层的厚度)，以降低两者之间的存储电容，但是采用该方法降低存储电容的同时，会导致电场的利用率降低，进而使得显示装置的工作电压Vop增加，也即通过调整面状电极和狭缝电极之间距离，会出现存储电容降低的同时，工作电压Vop增加；或者，工作电压Vop降低的同时，存储电容增加。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在不增加阵列基板中面状电极和狭缝电极之间的存储电容的基础上，提高面状电极和狭缝电极之间的电场利用率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例一方面提供一种阵列基板，包括设置于衬底基板上位于每个亚像素中的狭缝电极和面状电极，且所述面状电极位于所述狭缝电极靠近所述衬底基板的一侧，所述狭缝电极包括多个条状子电极，在所述亚像素中，所述狭缝电极和所述面状电极之间设置有绝缘层，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在至少一组相邻条状子电极之间设置有凹槽。进一步优选的，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在每相邻两个条状子电极之间均设置有凹槽。进一步优选的，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在每相邻两个条状子电极之间限定的区域内整体凹陷以形成所述凹槽。进一步优选的，所述阵列基板还包括位于所述衬底基板与所述面状电极之间的介质层，所述介质层包括对应所述凹槽位置的垫高部。进一步优选的，所述绝缘层包括依次设置的栅极绝缘层和保护层，且所述栅极绝缘层位于所述保护层靠近所述衬底基板的一侧；其中，在所述亚像素中，所述栅极绝缘层为面状结构，所述保护层上具有镂空部，所述镂空部、以及所述栅极绝缘层中对应于所述镂空部的部分构成所述凹槽。进一步优选的，所述绝缘层包括依次设置的栅极绝缘层和保护层，且所述栅极绝缘层位于所述保护层靠近所述衬底基板的一侧；其中，在所述亚像素中，所述栅极绝缘层为面状结构，所述凹槽位于所述保护层中。进一步优选的，所述保护层包括依次设置于所述栅极绝缘层上的第一保护层和第二保护层，所述第二保护层上具有镂空部，所述镂空部、以及所述第一保护层中对应于所述镂空部的部分构成所述凹槽。进一步优选的，所述凹槽的槽深为0.4μm～0.7μm。进一步优选的，所述凹槽的槽深为0.4μm～0.7μm，且所述凹槽的槽底到所述栅极绝缘层背离所述衬底基板一侧的表面的距离为0.15μm～0.25μm。本专利技术实施例另一方面还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术实施例再一方面还提供一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：至少在衬底基板上的亚像素待形成区域形成面状电极；在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽；在表面具有凹槽的绝缘层上形成所述狭缝电极。进一步优选的，所述在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽具体包括：在所述面状电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成保护层，并通过构图工艺在所述保护层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽；或者，在所述栅极绝缘层上形成保护层，并通过构图工艺在所述保护层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成镂空部，所述镂空部、以及所述栅极绝缘层中对应于所述镂空部的部分构成凹槽。进一步优选的，所述在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽具体包括：在所述面状电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一保护层；在所述第一保护层上形成第二保护层，并通过构图工艺在所述第二保护层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成镂空部，所述镂空部、以及所述第一保护层中对应于所述镂空部的部分构成凹槽。进一步优选的，所述在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽具体包括：所述在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中每相邻两个条状子电极之间的位置均形成凹槽。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括设置于衬底基板上位于每个亚像素中的狭缝电极和面状电极，且面状电极位于狭缝电极靠近衬底基板的一侧，狭缝电极包括多个条状子电极；在亚像素中，狭缝电极和面状电极之间设置有绝缘层，绝缘层背离衬底基板的表面在至少一组相邻条状子电极之间设置有凹槽。由于在狭缝电极和面状电极之间的绝缘层中对应相邻条状子电极之间的位置设置凹槽结构，即绝缘层在对应相邻条状子电极之间的厚度减小，这样一来，相比于现有技术中整个绝缘层的厚度一致的方案而言，本专利技术中，能够保证狭缝电极和面状电极正对的面积不变，即不增加存储电容的基础上，通过减小绝缘层在对应相邻条状子电极之间的厚度，从而降低了绝缘层对狭缝电极和面状电极之间形成的电场的削弱作用，进而提高了面状电极和狭缝电极之间电场的利用率，降低了工作电压。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中提供的一种ADS型液晶显示面板的结构示意图；图2为本专利技术中提供的一种ADS型阵列基板的平面结构示意图；图3a为图2沿O-O’位置的剖面结构示意图；图3b为本专利技术实施例提供的另一种ADS型阵列基板的剖面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的又一种ADS型阵列基板的剖面结构示意图；图5为专利技术实施例提供的再一种ADS型阵列基板的剖面结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种ADS型显示装置的结构示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括设置于衬底基板上位于每个亚像素中的狭缝电极和面状电极，且所述面状电极位于所述狭缝电极靠近所述衬底基板的一侧，所述狭缝电极包括多个条状子电极，其特征在于，在所述亚像素中，所述狭缝电极和所述面状电极之间设置有绝缘层，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在至少一组相邻条状子电极之间设置有凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括设置于衬底基板上位于每个亚像素中的狭缝电极和面状电极，且所述面状电极位于所述狭缝电极靠近所述衬底基板的一侧，所述狭缝电极包括多个条状子电极，其特征在于，在所述亚像素中，所述狭缝电极和所述面状电极之间设置有绝缘层，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在至少一组相邻条状子电极之间设置有凹槽。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在每相邻两个条状子电极之间均设置有凹槽。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在每相邻两个条状子电极之间限定的区域内整体凹陷以形成所述凹槽。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述衬底基板与所述面状电极之间的介质层，所述介质层包括对应所述凹槽位置的垫高部。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括依次设置的栅极绝缘层和保护层，且所述栅极绝缘层位于所述保护层靠近所述衬底基板的一侧；其中，在所述亚像素中，所述栅极绝缘层为面状结构，所述保护层上具有镂空部，所述镂空部、以及所述栅极绝缘层中对应于所述镂空部的部分构成所述凹槽。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括依次设置的栅极绝缘层和保护层，且所述栅极绝缘层位于所述保护层靠近所述衬底基板的一侧；其中，在所述亚像素中，所述栅极绝缘层为面状结构，所述凹槽位于所述保护层中。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层包括依次设置于所述栅极绝缘层上的第一保护层和第二保护层，所述第二保护层上具有镂空部，所述镂空部、以及所述第一保护层中对应于所述镂空部的部分构成所述凹槽。8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的槽深为0.4μm～0.7μm。9.根据权利要求6或7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的槽深为0.4μm～0.7μm，且所述凹槽的槽底到所述栅极绝缘层背离所述衬底基板一侧的表面的距离...

【专利技术属性】
技术研发人员：范昊翔，李哲，栗鹏，李晓吉，顾可可，刘文亮，秦鹏，卢俊宏，朱维，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11