用于E频带应用的具有多个独立中频的双下变频制造技术

一种装置，包括第一接收机和第二接收机。第一接收机可以被配置为响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号。第二接收机可以被配置为响应于第一中频信号而生成多个输出信号。输出信号中的每个响应于第一中频信号中的相应的一个和相应的第二本机振荡器信号而在独立信道中生成。

Dual down conversion with multiple independent intermediate frequencies for E band applications

A device includes a first receiver and a second receiver. The first receiver may be configured to generate a plurality of first intermediate frequency signals in response to the radio frequency (RF) input signal and the first local oscillator signal. The second receiver may be configured to generate a plurality of output signals in response to the first intermediate frequency signal. Each response of the output signal is generated in the independent channel in response to the corresponding one in the first intermediate frequency signal and to the corresponding second local oscillator signal.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于E频带应用的具有多个独立中频的双下变频
本专利技术一般地涉及无线通信，并且更具体地涉及用于实现用于E频带应用的具有多个独立中频的双下变频的方法和/或装置。
技术介绍
对语音、视频和数据的带宽密集型无线通信的不断增大的需求正在对点对点和回程无线电网络以及蜂窝基站施加压力，特别是在人口密集的大城市地区。为了减轻这种压力，移动运营商正转向欧洲电信标准协会(ETSI)“E频带”频谱，以按照光纤口径(caliber)的数据率来扩展无线网络容量。用于点对点(PTP)(也称为“无线回程”)的E频带频谱包括两个5GHz宽的块：71-76GHz和81-86GHz。ETSIE频带规范指定接收机(也称为“下变频器”)能够处理在两个5GHz宽的块内的任何位置(除非非常接近期望信号)处的“强干扰”(即，比阈值高30dB)。强干扰进而创建强干扰的频率在E频带接收机的下变频混频器的本机振荡器信号的频率与所期望的射频(RF)信号之间的中点(因此处于IF/2)的称为“IF/2”的线性度规范。对于被设计成在5GHz的块内操作的外差接收机，IF/2线性度规范意味着中频(IF)被设定为大于10GHz(即，2×5GHz＝10GHz)。由于接收机滤波器的有限带宽，在真实的系统内IF值增大以将IF设定为大于12GHz，其中17GHz是一个可能的选择。一种类型的现代接收机具有四个IF输出，表示0、90、180和270度，这些输出是重组的。这四个IF输出通常称为I、Q、I_bar和Q_bar。在较低频系统中(即，18GHz或38GHz的ETSI点对点无线电)，这四个IF输出处于低得多的频率(例如，1～3GHz)，并且对这些IF输出进行的重组是简单的。在IF＝17GHz的E频带接收机中，重组IF输出是困难和昂贵的。所期望的是实现用于E频带应用的具有多个独立中频的双下变频。
技术实现思路
本专利技术包括一个方面，该方面涉及包括第一接收机和第二接收机的装置。第一接收机可以配置为响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号。第二接收机可以配置为响应于第一中频信号而生成多个输出信号。输出信号中的每个都响应于第一中频信号中的相应的一个和相应的第二本机振荡器信号而在独立信道中生成。在上述装置方面的一些实施例中，第二接收机包括多个并行的中频(IF)信道，并且IF信道中的每个都被配置为生成输出信号中的一个。在上述装置方面的一些实施例中，第一接收机和第二接收机被制作于单个集成电路上。在制作于单个集成电路上的一些实施例中，集成电路是微波单片集成电路(MMIC)。在制作于单个集成电路上的一些实施例中，集成电路还包括配置为生成第一本机振荡器信号和第二本机振荡器信号中的至少一个的本机振荡器放大器和乘法器电路。在制作于单个集成电路上的一些实施例中，集成电路还包括用于将RF输入焊盘耦接至第一接收机的输入的低噪声放大器(LNA)电路。在上述装置方面的一些实施例中，第一接收机将RF输入信号下变频至第一中频范围，并且第二接收机将第一中频信号中的每个下变频至(i)基带以及比第一中频信号的范围低的第二中频范围中的至少一个。在上述装置方面的一些实施例中，独立信道中的每个都包括电阻混频器。在独立信道中的每个都包括电阻混频器的一些实施例中，独立信道中的每个的电阻混频器都包括高电子迁移率晶体管(HEMT)、赝晶HEMT(pHEMT)、场效应晶体管(FET)、异质结构FET(HFET)、调制掺杂FET(MODFET)、双极型晶体管中的一种以及二极管中的至少一个。在独立信道中的每个都包括电阻混频器的一些实施例中，独立信道中的每个的电阻混频器都包括还被配置为向每个中频信号线提供静电放电保护的一个或多个晶体管。本专利技术还包括一个方面，该方面涉及用于转换E频带信号的方法。该方法包括使用第一接收机电路响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号，以及使用第二接收机电路响应于第一中频信号而生成多个输出信号。输出信号中的每个都响应于第一中频信号中的相应的一个和相应的第二本机振荡器信号而在独立的接收机信道中生成。在上述方法方面的一些实施例中，第一中频信号中的每个都被呈现给多个并行的中频(IF)信道中的相应一个的输入，并且IF信道中的每个都被配置为生成输出信号中的一个。在上述方法方面的一些实施例中，方法还包括生成第一本机振荡器信号以及多个第二本机振荡器信号。在上述方法方面的一些实施例中，方法还包括生成具有为多个第二本机振荡器信号的频率的倍数的频率的第一本机振荡器信号；在上述方法方面的一些实施例中，方法还包括使用低噪声放大器(LNA)电路来放大RF输入信号。在上述方法方面的一些实施例中，方法还包括配置每个独立接收机信道的混频器，以在第一接收机电路和第二接收机电路没有加电时向每个中频信号通路提供静电放电保护，以及在加电时作为用于每个对应的IF信道的电阻混频器来操作。在上述方法方面的一些实施例中，RF输入信号被下变频至第一中频范围并被分成分量信号，以及分量信号每个都被下变频至基带以及比第一中频范围低的第二中频范围中的至少一个。在上述方法方面的一些实施例中，第一中频为大约17GHz。在上述方法方面的一些实施例中，第二中频为大约1GHz至大约3GHz。在上述方法方面的一些实施例中，第一接收机和第二接收机是E频带短距离回程信号通路的部分。本专利技术的目的、特征和优点包括提供用于实现用于E频带应用的具有多个独立中频的双下变频的方法和/或装置，该方法和/或装置可以(i)在第一接收机级中生成多个中频信号并且将中频信号中的每个在第二接收机级的相应的独立信道中下变频，(ii)产生可以输入到常规的低频接收机的多个中频信号，(iii)将E频带信号下变频至多个基带信号，(iv)为第二接收机级的每个信道提供静电放电(ESD)保护，和/或(v)被实施于单个微波单片集成电路(MMIC)中。附图说明本专利技术的这些及其它目的、特征和优点将根据下面的具体实施方式、所附权利要求及附图而变得清楚，在附图中：图1是例示根据本专利技术的示例实施例的接收机系统的示图；图2是例示根据本专利技术的实施例的双下变频接收机架构的示图；图3是例示图2的第二接收机电路的接收机架构的示图；图4是例示图2的双下变频接收机的示例实施方式的示意图；图5是根据本专利技术的实施例的处理的流程图；以及图6是例示可以使用根据本专利技术的实施例的双下变频接收机的通信系统的示图。具体实施方式参考图1，示出了例示包括根据本专利技术的示例实施例的电路100的无线电接收机系统的示图。电路100总体上实现了根据本专利技术的实施例的双下变频接收机(DDCR)。电路100可以被配置为响应于射频(RF)输入信号(例如，RF_IN)和多个本机振荡器(LO)信号(例如，LO1和LO2)而生成多个输出信号(例如，OUT_A、OUT_B、OUT_C、OUT_D)。在各种实施例中，信号RF_IN包括在ETSIE频带频谱中的RF信号，并且输出信号OUT_A、OUT_B、OUT_C和OUT_D包括中频(IF)或基带(BB)信号。尽管所示的实施例示出了生成四个输出信号的电路100，但是在一些实施例中，电路100可以被配置为仅生成两个输出信号(例如，OUT_A和OUT_B)。在一个示例中，电路100可以具有可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：第一接收机，配置为响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号；以及第二接收机，配置为响应于所述第一中频信号而生成多个输出信号，其中所述输出信号中的每个都响应于所述第一中频信号中的相应的一个和相应的第二本机振荡器信号而在独立信道中生成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.23 US 14/580,6741.一种装置，包括：第一接收机，配置为响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号；以及第二接收机，配置为响应于所述第一中频信号而生成多个输出信号，其中所述输出信号中的每个都响应于所述第一中频信号中的相应的一个和相应的第二本机振荡器信号而在独立信道中生成。2.根据权利要求1所述的装置，其中：所述第二接收机包括多个并行的中频(IF)信道，并且所述IF信道中的每个都被配置为生成所述输出信号中的一个。3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述第一接收机和所述第二接收机被制作于单个集成电路上。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述集成电路是微波单片集成电路(MMIC)。5.根据权利要求3或4所述的装置，其中所述集成电路还包括以下中的一个或多个：(i)本机振荡器放大器和乘法器电路，配置为生成所述第一本机振荡器信号和所述第二本机振荡器信号中的至少一个；以及(ii)低噪声放大器(LNA)电路，用于将RF输入焊盘耦接至所述第一接收机的输入。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的装置，其中所述第一接收机将所述RF输入信号下变频至第一中频范围，并且所述第二接收机将所述第一中频信号中的每个下变频至(i)基带以及比所述第一中频信号的范围低的第二中频范围中的至少一个。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的装置，其中所述独立信道中的每个都包括电阻混频器。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述独立信道中的每个的电阻混频器都包括以下中的至少一个：高电子迁移率晶体管(HEMT)；赝晶HEMT(pHEMT)；场效应晶体管(FET)；异质结构FET(HFET)；调制掺杂FET(MODFET)；双极型...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·J·马洪，J·T·哈维，E·R·O·康沃特，
申请(专利权)人：镁可微波技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US