用于E频带应用的具有多个独立中频的双下变频制造技术

一种装置，包括第一接收机和第二接收机。第一接收机可以被配置为响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号。第二接收机可以被配置为响应于第一中频信号而生成多个输出信号。输出信号中的每个响应于第一中频信号中的相应的一个和相应的第二本机振荡器信号而在独立信道中生成。

Dual down conversion with multiple independent intermediate frequencies for E band applications

A device includes a first receiver and a second receiver. The first receiver may be configured to generate a plurality of first intermediate frequency signals in response to the radio frequency (RF) input signal and the first local oscillator signal. The second receiver may be configured to generate a plurality of output signals in response to the first intermediate frequency signal. Each response of the output signal is generated in the independent channel in response to the corresponding one in the first intermediate frequency signal and to the corresponding second local oscillator signal.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于E频带应用的具有多个独立中频的双下变频
本专利技术一般地涉及无线通信，并且更具体地涉及用于实现用于E频带应用的具有多个独立中频的双下变频的方法和/或装置。
技术介绍
对语音、视频和数据的带宽密集型无线通信的不断增大的需求正在对点对点和回程无线电网络以及蜂窝基站施加压力，特别是在人口密集的大城市地区。为了减轻这种压力，移动运营商正转向欧洲电信标准协会(ETSI)“E频带”频谱，以按照光纤口径(caliber)的数据率来扩展无线网络容量。用于点对点(PTP)(也称为“无线回程”)的E频带频谱包括两个5GHz宽的块：71-76GHz和81-86GHz。ETSIE频带规范指定接收机(也称为“下变频器”)能够处理在两个5GHz宽的块内的任何位置(除非非常接近期望信号)处的“强干扰”(即，比阈值高30dB)。强干扰进而创建强干扰的频率在E频带接收机的下变频混频器的本机振荡器信号的频率与所期望的射频(RF)信号之间的中点(因此处于IF/2)的称为“IF/2”的线性度规范。对于被设计成在5GHz的块内操作的外差接收机，IF/2线性度规范意味着中频(IF)被设定为大于10GHz(即，2×5GHz＝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：第一接收机，配置为响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号；以及第二接收机，配置为响应于所述第一中频信号而生成多个输出信号，其中所述输出信号中的每个都响应于所述第一中频信号中的相应的一个和相应的第二本机振荡器信号而在独立信道中生成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.23 US 14/580,6741.一种装置，包括：第一接收机，配置为响应于射频(RF)输入信号和第一本机振荡器信号而生成多个第一中频信号；以及第二接收机，配置为响应于所述第一中频信号而生成多个输出信号，其中所述输出信号中的每个都响应于所述第一中频信号中的相应的一个和相应的第二本机振荡器信号而在独立信道中生成。2.根据权利要求1所述的装置，其中：所述第二接收机包括多个并行的中频(IF)信道，并且所述IF信道中的每个都被配置为生成所述输出信号中的一个。3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述第一接收机和所述第二接收机被制作于单个集成电路上。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述集成电路是微波单片集成电路(MMIC)。5.根据权利要求3或4所述的装置，其中所述集成电路还包括以下中的一个或多个：(i)本机振荡器放大器和乘法器电路，配置为生成所述第一本机振荡器信号和所述第二本机振荡器信号中的至少一个；以及(ii)低噪声放大器(LNA)电路，用于将RF输入焊盘耦接至所述第一接收机的输入。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的装置，其中所述第一接收机将所述RF输入信号下变频至第一中频范围，并且所述第二接收机将所述第一中频信号中的每个下变频至(i)基带以及比所述第一中频信号的范围低的第二中频范围中的至少一个。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的装置，其中所述独立信道中的每个都包括电阻混频器。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述独立信道中的每个的电阻混频器都包括以下中的至少一个：高电子迁移率晶体管(HEMT)；赝晶HEMT(pHEMT)；场效应晶体管(FET)；异质结构FET(HFET)；调制掺杂FET(MODFET)；双极型...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·J·马洪，J·T·哈维，E·R·O·康沃特，
申请(专利权)人：镁可微波技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US