包含激子缓冲层的钙钛矿发光器件以及制造其的方法技术

提供包含激子缓冲层的钙钛矿发光器件以及制造其的方法。本发明专利技术的发光器件包括：激子缓冲层，其中，第一电极、设置在第一电极上并包括导电材料的导电层以及包含具有比导电材料低的表面能的氟基材料的表面缓冲层顺序地沉积；发光层，设置在激子缓冲层上并包含有机‑无机杂化钙钛矿发光体；以及第二电极，设置在发光层上。因此，有机‑无机杂化钙钛矿以纳米颗粒发光体中的结合的FCC和BSS晶体结构形成；本发明专利技术形成有机平面和无机平面交替沉积的层状结构；并且激子受无机平面的约束，从而能够表现高的色纯度。

Perovskite light emitting device including exciton buffer layer and method for manufacturing the same

A perovskite light emitting device including an exciton buffer layer and a method of manufacturing the same are provided. Light emitting device of the present invention includes: exciton buffer layer, the first electrode, arranged on the first electrode and the conductive layer includes a conductive material and containing fluorine based buffer surface material surface than the low energy of the conductive material layer are sequentially deposited; light emitting layer, is arranged in the exciton buffer layer and contains organic inorganic hybrid perovskite luminous body; and a second electrode disposed on the light emitting layer. Therefore, organic inorganic hybrid perovskite nanoparticles with light combination in FCC and BSS crystal structure is formed; the invention form layered structure of organic and inorganic plane plane alternately deposited; and exciton by inorganic planar constraints, which can show high color purity.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含激子缓冲层的钙钛矿发光器件以及制造其的方法
本专利技术涉及一种发光器件，更具体地，涉及一种包括激子缓冲层的钙钛矿发光器件以及用于制造其的方法。
技术介绍
目前显示器市场的大趋势已经从传统的高效率和高分辨率显示器转向具有情感图像质量的显示器，后者旨在实现具有高色纯度的自然颜色。在这个意义上，已经迅速地开发了有机发光体类的有机发光二极管(OLED)器件，作为另一替代方案，已经积极地进行了对具有改善的色纯度的无机量子点LED的研究。然而，有机发光体和无机量子点发光体两者在材料方面具有固有的限制。传统的有机发光体具有高效率的优点，但是具有这样的缺点：它们由于宽的光谱而具有差的色纯度。已经知道无机量子点发光体具有良好的色纯度，但是具有这样的缺点：随着发射的光朝向蓝色偏移，因为由于由量子尺寸效应导致的发光使得难以均匀地控制量子点尺寸，所以它们的色纯度会降低。另外，两种发光体具有非常昂贵的缺点。因此，存在对新颖类型的有机/无机杂化发光体的需要，以弥补这样的有机和无机发光体的缺点并保持其优点。有机/无机杂化材料的优点在于它们具有低的制造成本，可以被简单地制造且应用于制造器件，并且具有有机材料和无本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；激子缓冲层，设置在第一电极上并包括导电材料和具有比导电材料低的表面能的氟基材料；发光层，设置在激子缓冲层上并包括有机/无机杂化钙钛矿材料；以及第二电极，设置在发光层上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.06 KR 10-2014-01539691.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；激子缓冲层，设置在第一电极上并包括导电材料和具有比导电材料低的表面能的氟基材料；发光层，设置在激子缓冲层上并包括有机/无机杂化钙钛矿材料；以及第二电极，设置在发光层上。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，激子缓冲层被构造为使得导电层和表面缓冲层顺序地沉积，导电层包括导电材料，表面缓冲层包括具有比导电层低的表面能的氟基材料。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，表面缓冲层具有3nm或更大的厚度。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，激子缓冲层具有10-7S/cm至1,000S/cm的导电率。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，氟基材料具有30mN/m或更小的表面能。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，位于表面缓冲层的与更靠近导电层的第一表面相对第二表面中的氟基材料的浓度低于表面缓冲层的第一表面中的氟基材料的浓度。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，针对导电层的第二表面确定的逸出功大于或等于5.0eV。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，氟基材料是包括至少一个F元素的离聚物。9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，离聚物是氟化离聚物。10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，氟基材料包括从由具有由下面的式1至式12表示的结构的离聚物组成的组中选择的至少一种离聚物：<式1>其中，m是从1至10,000,000的范围内的数字，x和y均独立地为从0至10的范围内的数字，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(其中，R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；<式2>其中，m是从1至10,000,000的范围内的数字；<式3>其中，m和n为0<m≤10,000,000且0≤n<10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(其中，R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；<式4>其中，m和n为0<m≤10,000,000且0≤n<10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(其中，R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；<式5>其中，m和n为0<m≤10,000,000且0≤n<10,000,000，z为从0至20的范围内的数字，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(其中，R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；<式6>其中，m和n为0<m≤10,000,000且0≤n<10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，Y代表从-COO-M+、-SO3-NHSO2CF3+和-PO32-(M+)2中选择的一种，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+和RCHO+(R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；<式7>其中，m和n为0<m≤10,000,000且0≤n<10,000,000，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(其中，R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；<式8>其中，m和n为0<m≤10,000,000且0≤n<10,000,000；<式9>其中，m和n为0<m≤10,000,000且0≤n<10,000,000，x为从0至20的范围内的数字，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(其中，R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；<式10>其中，m和n为0<m≤10,000,000且0≤n<10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(其中，R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；<式11>其中，m和n为0≤m<10,000,000且0<n≤10,000,000，Rf＝-(CF2)z-(其中，z为从1至50的范围内的整数，前提条件是不包括2)、-(CF2CF2O)zCF2CF2-(其中，z为从1至50的范围内的整数)、-(CF2CF2CF2O)zCF2CF2-(其中，z从1至50的范围内的整数)，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(其中，R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)；以及<式12>其中，m和n为0≤m<10,000,000且0<n≤10,000,000，x和y均独立地为从0至20的范围内的数字，Y代表从-SO3-M+、-COO-M+、-SO3-NHSO2CF3+和-PO32-(M+)2中选择的一种，M+代表Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3+(其中，n是从0至50的范围内的整数)、NH4+、NH2+、NHSO2CF3+、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(其中，R代表CH3(CH2)n-，其中，n是从0至50的范围内的整数)。11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，氟基材料包括从由具有由下面的式13至式19表示的结构的离聚物或氟化低聚物组成的组中选择的至少一种离聚物或氟化低聚物：<式13><式14><式15><式16><式17><式18>其中，R11至R14、R21至R28、R31至R38、R41至R48、R51至R58和R61至R68均独立地选自于氢、-F、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、取代有...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰雨，任相爀，曹勋灿，金荣训，
申请(专利权)人：浦项工科大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国,KR