显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置，抑制翘曲现象的产生，提高显示装置的画质。显示装置具有设置于像素上的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有半导体层(SC)、设置于半导体层(SC)之下的第一绝缘层(IN1)、设置于半导体层(SC)之上的第二绝缘层(IN2)、与半导体层(SC)隔开间隔相对置的栅电极(LG、HG、SG)。栅电极包含与半导体层(SC)的下表面相对置的第一栅电极部(LG)、与半导体层(SC)的上表面相对置的第二栅电极部(HG)、与半导体层(SC)的侧面相对置并与第一栅电极部(LG)及第二栅电极部(HG)连接的第三栅电极部(SG)。在半导体层(SC)的周围具有第一绝缘层(IN1)及第二绝缘层(IN2)相互层叠的层叠部。层叠部的一部分位于半导体层(SC)的侧面和第三栅电极部(SG)之间。

display device

The invention provides a display device, which suppresses the occurrence of warping and improves the picture quality of the display device. The display device has a thin film transistor disposed on the pixel. A thin film transistor having a semiconductor layer (SC) disposed on the semiconductor layer, a first insulating layer (SC) under (IN1), is arranged on the semiconductor layer (SC) on the second insulating layer (IN2), and the semiconductor layer (SC) gate electrode vibration isolation room facing (LG, HG, SG). The gate electrode and the semiconductor layer includes a first gate electrode (SC) of the lower surface of the opposite (LG), and the semiconductor layer (SC) on the gate electrode second opposed surfaces (HG), and the semiconductor layer (SC) of the side opposite and the first gate electrode portion (LG) and two a gate electrode portion (HG) third gate electrode connection (SG). The stacked portions of the first insulating layer (IN1) and the two insulating layer (IN2) are stacked around the semiconductor layer (SC). A portion of the stacked portion is located between the side of the semiconductor layer (SC) and the third gate electrode section (SG).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置
本专利技术涉及显示装置。
技术介绍
液晶显示装置或有机EL显示装置等由具有薄膜晶体管的像素构成的显示装置正在普及。专利文献1中公开有一种包含位于半导体层之下的背栅电极、和位于半导体层之上的顶栅(frontgate)电极在内的薄膜晶体管。专利文献2中公开有一种设置有半导体薄膜的上方的栅电极、和下方的背栅电极的薄膜晶体管。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009－43748号公报专利文献2：日本特开平5－114732号公报
技术实现思路
近年的显示装置被要求高精细化，由此，像素的尺寸变小。当像素变小时，配置薄膜晶体管的空间减少，在通过小尺寸的晶体管控制电流时成为问题的翘曲(Kink)现象变得更容易产生。在此，翘曲现象是Vd－Id特性与一般的薄膜晶体管不同的现象，也被称为因漏极端的强电场而大量产生热电子的碰撞电离现象。此时，当发生成为多余的空穴蓄积于栅极下的空穴累积状态的现象即翘曲现象时，薄膜晶体管的特性偏差增大，产生画质恶化。本专利技术是鉴于上述课题而提出的，其目的在于，提供一种抑制薄膜晶体管的翘曲现象的产生，提高显示装置的画质的技术。若说明本申请中公开的专利技术中的、代表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，具有设置于呈矩阵状配置的多个像素的每一个的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有半导体层、设置于所述半导体层的下层的第一绝缘层、设置于所述半导体层的上层的第二绝缘层、及与所述半导体层隔开间隔地相对置的栅电极，所述半导体层包含源极区域、漏极区域、位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，且具备上表面、下表面、侧面，所述侧面与所述上表面和所述下表面连接并且具有包含于所述沟道区域的部分，所述栅电极包含：第一栅电极部，其隔着所述第一绝缘层与所述半导体层的所述下表面相对置；第二栅电极部，其隔着所述第二绝缘层与所述半导体层的所述上表面相对置；以及第三栅电极部，其与所述半导体层的所述侧...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.21 JP 2015-0092121.一种显示装置，其特征在于，具有设置于呈矩阵状配置的多个像素的每一个的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有半导体层、设置于所述半导体层的下层的第一绝缘层、设置于所述半导体层的上层的第二绝缘层、及与所述半导体层隔开间隔地相对置的栅电极，所述半导体层包含源极区域、漏极区域、位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，且具备上表面、下表面、侧面，所述侧面与所述上表面和所述下表面连接并且具有包含于所述沟道区域的部分，所述栅电极包含：第一栅电极部，其隔着所述第一绝缘层与所述半导体层的所述下表面相对置；第二栅电极部，其隔着所述第二绝缘层与所述半导体层的所述上表面相对置；以及第三栅电极部，其与所述半导体层的所述侧面相对置，并且与所述第一栅电极部及所述第二栅电极部相接，在所述半导体层的周围具备所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相互层叠的层叠部，所述层叠部的一部分位于所述半导体层的所述侧面与所述第三栅电极部之间。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述半导体层具备：第一部分，其在俯视时仅与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方重叠；以及第二部分，其在俯视时从所述第一部分向与所述半导体层相反的一侧突出，与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部均没有重叠。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述半导体层的所述沟道区域包含：一对第一重叠区域，其在俯视时与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部的双方重叠；以及一对第二重叠区域，其在俯视时仅与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方重叠，所述一对第一重叠区域彼此相对置地位于连结所述源极区域和所述漏极区域的方向上，所述一对第二重叠区域分别位于与所述一对第一重叠区域各自相邻的位置。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方具有向与连结所述源极区域和所述漏极区域的方向交叉的方向凹陷的切缺，所述半导体层的一部分位于在所述切缺的内侧且俯视时不与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方重叠的非重叠区域。5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，布线位于所述非重叠区域，所述布线在所述上表面或所述下表面的与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方相对置的面与所述半导体层电连接。6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述布线与所述源极区域和所述漏极区域中的一方电连接。7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述层叠部在与所述半导体层的所述侧面相对置的位置具有接触孔，所述第三栅电极部设置于接触孔内。8.根据权利要求7所述的显示装...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤敏浩，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP