一种逆变电源用推挽变压器漏感尖峰有源嵌位吸收电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种逆变电源用推挽变压器漏感尖峰有源嵌位吸收电路，包括变压器T1、MOS管Q1～Q3、二极管D1～D5、三极管Q4及电阻R1和R2；T1初级N1、N2绕组的公共端接D5的阳极、输入电源和Q3的源极；N1绕组另一端接Q1的漏极及D1的阳极；N2绕组另一端接Q2的漏极及D2的阳极；Q3的漏极接D1、D2的阴极，Q3的栅极接电阻R1的一端及Q4的发射极；R1的另一端接D5的阴极；D3、D4的阴极接电阻R2的一端及Q4的基极,R2的另一端和Q4的集电极接地；D3的阳极接Q2的栅极，D4的阳极接Q1的栅极,Q1、Q2的源极接地，该电路在实现成本低廉且损耗接近零时提高了效率和稳定性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及开关电源电路
，更具体地，涉及一种逆变电源用推挽变压器漏感尖峰有源嵌位吸收电路。
技术介绍
随着逆变电源在各领域的广泛使用，市场对逆变电源的要求售价越来越低，可靠性与效率转换要求越来越高。现有的逆变电源大多采用推挽拓扑结构，漏感尖峰吸收部分采用无源和有源两种嵌位技术方案。无源钳位技术方案采用RCD钳位技术和LCD钳位技术，其缺点是开通损耗或通态损耗较大从而降低整机的转换效率。由于吸收部分功耗比较大元器件发热严重从而影响整机寿命和可靠性。现有的有源钳位技术方案其驱动部分基本有驱动芯片所构成，成本较高，难以降低。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述现有技术的不足之处，提供一种电路简单可靠易实现成本低廉且损耗接近零的逆变电源用推挽变压器漏感尖峰有源嵌位吸收电路。本技术的目的可以通过以下技术方案达到：一种逆变电源用推挽变压器漏感尖峰有源嵌位吸收电路，包括推挽变压器T1、MOS管Q1～Q3、二极管D1～D5、三极管Q4以及偏置电阻R1和R2；推挽变压器T1初级N1、N2绕组的公共端与二极管D5的阳极、输入电源Vcc和MOS管Q3源极相连；N1绕组的另一端与MOS管Q1的漏极以及二极管D1的阳极连接；N2绕组的另一端与MOS管Q2的漏极以及二极管D2的阳极相连；MOS管Q3的漏极与二极管D1、D2的阴极相连，MOS管Q3的栅极与偏置电阻R1的一端以及三极管Q4的发射极相连；偏置电阻R1的另一端连接二极管D5的阴极；二极管D3、D4的阴极与偏置电阻R2的一端以及三极管Q4的基极相连,电阻R2的另一端和三极管Q4的集电极均接地；二极管D3的阳极接MOS管Q2的栅极，二极管D4的阳极接Q1的栅极,MOS管Q1、Q2的源极接地。在一种优选的方案中，所述推挽变压器T1为高频推挽变压器。在一种优选的方案中，所述MOS管Q1、Q2为N沟道MOS管，所述MOS管Q3为P沟道MOS管。上述逆变电源用推挽变压器漏感尖峰有源嵌位吸收电路，相比传统逆变电源，极大的提升了性能，在实现成本低廉且损耗接近零时提高了效率和稳定性。附图说明图1为本技术具体实施例1的电路原理图。其中，T1为高频推挽变压器，Q1、Q2和Q3为MOS管，D1、D2、D3、D4和D5为开关二极管，电阻R1、R2为偏置电阻，Q4为开关三极管。具体实施方式参照图1，一种逆变电源用推挽变压器漏感尖峰有源嵌位吸收电路，包括推挽变压器T1、MOS管Q1～Q3、二极管D1～D5、三极管Q4以及偏置电阻R1和R2；推挽变压器T1初级N1、N2绕组的公共端与二极管D5的阳极、输入电源Vcc和MOS管Q3源极相连；N1绕组的另一端与MOS管Q1的漏极以及二极管D1的阳极连接；N2绕组的另一端与MOS管Q2的漏极以及二极管D2的阳极相连；MOS管Q3的漏极与二极管D1、D2的阴极相连，MOS管Q3的栅极与偏置电阻R1的一端以及三极管Q4的发射极相连；偏置电阻R1的另一端连接二极管D5的阴极；二极管D3、D4的阴极与偏置电阻R2的一端以及三极管Q4的基极相连,电阻R2的另一端和三极管Q4的集电极均接地；二极管D3的阳极接MOS管Q2的栅极，二极管D4的阳极接Q1的栅极,MOS管Q1、Q2的源极接地。本实施例的工作原理：参照图1，当输入电压Vcc加到高频推挽变压器T1的N1、N2绕组的公共端2，同时带有一定死区时间的两路互补PWM驱动波形分别加于MOS管Q1、Q2的栅极，MOS管Q1、Q2其中之一会导通，如果MOS管Q1导通，驱动电压通过二极管D4、电阻R2形成回路；如果MOS管Q2导通，驱动电压通过二极管D3、电阻R2形成回路。这时三极管Q4的基极与发射极的电压相等，三极管Q4截止，MOS管Q3栅源极电压差等于二极管D5导通的电压差，由于MOS管Q3为P沟道MOS管，所以Q3截止。当加在MOS管Q1、Q2栅极上的驱动波形处在死区时间阶段时，即都为低电平时，MOS管Q1、Q2均截止，这时由于变压器存在漏感的原因，它储存的能量耦合不到次级，由于电感两端的电流是不能突变的，所以MOS管Q1、Q2的漏极电压等于漏感的电压与输入电压之和，这是MOS管Q1、Q2漏极就会产生尖峰。当MOS管Q1、Q2截止时，三极管Q4基极为低电平，三极管Q4饱和导通，MOS管Q3的栅极为低电平，MOS管Q3的栅源极电压为负压VCC，满足MOS管Q3的导通条件，MOS管Q3导通，这时MOS管Q1、Q2漏极的尖峰就被限制在二极管D1、D2、MOS管Q3的压降之和之内，这个压降是很小的，漏感尖峰的能量大多释放回输入电源Vcc。同时二极管D1、D2可防止MOS管Q3寄生二极管的导通，极大的提升了性能，提高了效率和稳定性。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施例，其描述较为具体和详细，但不能因此理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆变电源用推挽变压器漏感尖峰有源嵌位吸收电路，其特征在于，包括推挽变压器T1、MOS管Q1～Q3、二极管D1～D5、三极管Q4以及偏置电阻R1和R2；推挽变压器T1初级N1、N2绕组的公共端与二极管D5的阳极、输入电源Vcc和MOS管Q3源极相连；N1绕组的另一端与MOS管Q1的漏极以及二极管D1的阳极连接；N2绕组的另一端与MOS管Q2的漏极以及二极管D2的阳极相连；MOS管Q3的漏极与二极管D1、D2的阴极相连，MOS管Q3的栅极与偏置电阻R1的一端以及三极管Q4的发射极相连；偏置电阻R1的另一端连接二极管D5的阴极；二极管D3、D4的阴极与偏置电阻R2的一端以及三极管Q4的基极相连, 电阻R2的另一端和三极管Q4的集电极均接地；二极管D3的阳极接MOS管Q2的栅极，二极管D4的阳极接 Q1的栅极, MOS管Q1、Q2的源极接地。

【技术特征摘要】
1.一种逆变电源用推挽变压器漏感尖峰有源嵌位吸收电路，其特征在于，包括推挽变压器T1、MOS管Q1～Q3、二极管D1～D5、三极管Q4以及偏置电阻R1和R2；推挽变压器T1初级N1、N2绕组的公共端与二极管D5的阳极、输入电源Vcc和MOS管Q3源极相连；N1绕组的另一端与MOS管Q1的漏极以及二极管D1的阳极连接；N2绕组的另一端与MOS管Q2的漏极以及二极管D2的阳极相连；MOS管Q3的漏极与二极管D1、D2的阴极相连，MOS管Q3的栅极与偏置电阻R1的一端以及三极管Q4的发射极相连；偏置电阻R1的另一端连接二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王霁菡，周治国，黄建亮，
申请(专利权)人：广东瑞德智能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44