有源矩阵EWOD设备及其驱动方法技术

技术编号:16303957 阅读:31 留言:0更新日期:2017-09-26 22:21
一种AM‑EWOD设备,包括:第一基板和第二基板(72,36);第一阵列元件电极和第二阵列元件电极(38A,38B),其设置在第一基板(72)上并限定AM‑EWOD设备中的第一阵列元件和第二阵列元件;设置在第一基板(72)上的参考电极(28);传感器;和参考电极驱动电路(50)。参考电极驱动电路(50)被配置为在执行感测操作时利用致动阵列元件的第一电压波形或与第一电压波形不同的第二电压波形来驱动参考电极。

Active matrix EWOD device and driving method thereof

A AM EWOD device, including: a first substrate and a second substrate (72, 36); the first array element electrode and the second electrode array elements (38A, 38B), which is arranged on the first substrate (72) and defines AM EWOD device in the first array element and the second element array is arranged in the first; the substrate (72) on the reference electrode (28); sensor; and a reference electrode driving circuit (50). A reference electrode driving circuit (50) is configured to drive a reference electrode using a first voltage waveform of an actuating array element or a second voltage waveform different from the first voltage waveform when performing sensing operation.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵EWOD设备及其驱动方法
本专利技术涉及有源矩阵阵列及其元件。在特定方面,本专利技术涉及数字微流体,更具体地涉及有源矩阵介质上电润湿(AM-EWOD)。介质上电润湿(EWOD)是用于操纵阵列上的液滴的已知技术。有源矩阵EWOD(AM-EWOD)是指例如通过使用薄膜晶体管(TFT),在包含晶体管的有源矩阵阵列中实现EWOD。本专利技术还涉及驱动这种设备的方法。
技术介绍
介质上电润湿(EWOD)是通过施加电场来操纵液滴的公知技术。因此,它是用于芯片上实验室技术的数字微流体的候选技术。对该技术的基本原理的介绍可以在“Digitalmicrofluidics:isatrue1ab-on-a-chippossible?”,R.B.Fair,MicrofluidNanofluid(2007)3:245-281中找到。图1在横截面中显示了常规EWOD设备的一部分。该设备包括下基板72,其最上层由图案化的导电材料形成以便实现多个电极38(例如图1中的38A和38B)。给定阵列元件的电极可以称为元件电极38。由极性材料(通常也是含水的和/或离子的)组成的液滴4被约束在下基板72和顶基板36之本文档来自技高网...
有源矩阵EWOD设备及其驱动方法

【技术保护点】
一种AM‑EWOD设备,包括:多个阵列元件电极,设置在第一基板上,并限定AM‑EWOD设备中相应的阵列元件;参考电极,设置在所述第一基板上;传感器;和参考电极驱动电路;其中,所述参考电极驱动电路被配置为,当使用所述传感器执行感测操作时,利用致动阵列元件的第一电压波形和与所述第一电压波形不同的第二电压波形中的任何一个来驱动所述参考电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.08 GB 1500262.91.一种AM-EWOD设备,包括:多个阵列元件电极,设置在第一基板上,并限定AM-EWOD设备中相应的阵列元件;参考电极,设置在所述第一基板上;传感器;和参考电极驱动电路;其中,所述参考电极驱动电路被配置为,当使用所述传感器执行感测操作时,利用致动阵列元件的第一电压波形和与所述第一电压波形不同的第二电压波形中的任何一个来驱动所述参考电极。2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述参考电极的至少一部分设置在所述多个阵列元件电极中的第一阵列元件电极与所述多个阵列元件电极中的第二阵列元件电极之间,以及其中,所述第二电压波形被配置为使所述参考电极在所述第一阵列元件电极和所述第二阵列元件电极之间提供电磁屏蔽。3.根据权利要求1或2所述的设备,其中所述第二电压波形是直流电压波形。4.根据权利要求1、2或3所述的设备,还包括阵列元件电极驱动电路,其被配置为当所述参考电极驱动电路利用所述第一电压波形驱动所述参考电极时,利用致动阵列元件的第三电压波形来驱动阵列元件电极,第三电压波形与第一电压波形异相。5.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述参考电极包括多个可独立寻址的电极段。6.根据权利要求5所述的设备,其中所述参考电极驱动电路被配置为利用所述第一电压波形驱动所述参考电极的一个电极段,并且同时利用所述第二电压波形驱动所述参考电极的另一个电极段。7.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述阵列元件电极被布置成行和列的矩阵,以及其中,所述参考电极至少设置在包括所述第一阵列元件电极的阵列元件电极列和包括所述第二阵列元件电极的阵列元件电极列之间,或者至少设置在包括所述第一阵列元件电极的阵列元件电极行和包括所述第二阵列元件电极的阵列元件电极行之间。8.根据前述权利要求中任一项所述的设备...

【专利技术属性】
技术研发人员:本杰明·詹姆斯·哈德文
申请(专利权)人:夏普生命科学欧洲有限公司
类型:发明
国别省市:英国,GB

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