一种MOSFET并联电路系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种MOSFET并联电路系统，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号；所述MOSFET并联电路焊接在PCB上，n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等。应用本实用新型专利技术的技术方案，效果如下：本实用新型专利技术采用等长等距走线方式使得流过每个MOSFET的电流相同，从而使得各个MOSFET发热均衡，单颗MOSFET由于不会一直承受过大的电流，进而保护了每颗MOSFET不被损坏,这就保证了每个并联的MOSFET的使用寿命基本相同。

A MOSFET parallel circuit system

The utility model provides a parallel MOSFET circuit system, MOSFET group including N parallel and driving signal; the MOSFET parallel circuit welding on PCB, n is an integer of 1 or more, each group has four parallel MOSFET MOSFET, the MOSFET to the drive signals are the same distance from the. The following application of the technical scheme of the utility model, the utility model adopts the effect: Isometric line makes the current running through the offset of each MOSFET the same, so that each single MOSFET MOSFET heat balance, because not always bear large current, then the protection of each MOSFET is not damaged, this guarantees each parallel the service life of the MOSFET is basically the same.

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET并联电路系统
本技术涉及电动汽车电机驱动领域，具体涉及一种MOSFET并联电路系统。
技术介绍
随着国家新能源产业的发展，电动车行业也得到了巨大的发展，尤其是电动车驱动技术。电机驱动系统目前主要有两个方向，一类是低压系统，电池电压一般在100V以下，主要应用于低速移动交通工具，如低速电动车、无人侦察车等；另一类则是高压系统，电池电压一般在200V以上，主要应用于高速移动交通工具，如高速电动车辆、高速铁路机车等。电机驱动器主要采用InsulatedGateBipolarTransistor即绝缘栅双极型晶体管(以下简称IGBT)或者Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor即金属-氧化物半导体场效应晶体管(以下简称MOSFET)作为主要功率器件，而IGBT目前市场价格高昂，MOSFET以其开关速度快，易于并联，成本相对较低等特点，非常适合低压系统。但随着电机驱动器功率的增加，单只MOSFET的电流远远不能满足驱动器的要求，因而多只MOSFET并联得到大量的应用，电机驱动主拓扑图(连接关系图)如图1所示，其中Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6由2～16只MOSFET并联连接。多只MOSFET并联虽然满足了大功率电机驱动器的要求，但多只MOSFET并联电流均流也尤为重要，因此MOSFET并联电路结构的设计至关重要。如图2所示，目前MOSFET的并联电路多采用贴片封装，MOSFET的并联电路焊接在PCB铝基板上,在现有技术中，大多数并联MOSFET管的栅极走线，未按照等长等距走线，而是呈单排布局，驱动信号从单端输入，当高速开关频率变化时，布局在后端的MOSFET管，由于受PCB阻抗的影响，会延缓MOSFET的导通性能，从而导致整个并联MOSFET的电流不一致，单颗MOSFET会一直承受过大的电流，随着时间的推移，最终导致MOSFET损坏。
技术实现思路
本技术目的在于克服现有技术的不足，提供一种MOSFET并联电路系统，使得MOSFET栅极电阻保持一致，以达到MOSFET电流均衡的目的。具体技术方案如下：一种MOSFET并联电路系统，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号；n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等。优选的，所述MOSFET组以及驱动信号焊接在PCB上。优选的，所述n为1～6。优选的，所述MOSFET包括第一接触点和第二接触点；所述MOSFET并联电路系统包括位于右上方、左上方、右下方和左下方的四个MOSFET组，位于右上方和位于右下方的MOSFET组中的MOSFET的第一接触点均与所述驱动信号连接，位于左上方和位于左下方的MOSFET组中的MOSFET的第二接触点均与所述驱动信号连接。应用本技术的技术方案，具有以下有益效果：MOSFET并联电路的布局是否对称，将直接影响并联MOSFET的导通和关断同时性，本技术一种MOSFET并联电路系统采用一种等长等距布线方式，从而使得流过每个MOSFET的电流相同，各个MOSFET发热均衡，保护每颗MOSFET不被损坏，保证每个并联的MOSFET的使用寿命基本相同。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本技术作进一步详细的说明。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1是电机控制器驱动拓扑图；图2是现有技术MOSFET并联电路系统图；图3是本技术一种MOSFET并联电路系统图。图中标号：x、驱动信号；y、MOSFET。具体实施方式以下结合附图对本技术的实施例进行详细说明，但是本技术可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。如图3所示，本技术提供一种MOSFET并联电路系统，所述MOSFET并联电路焊接在PCB上，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号(图3中标示为x)；n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET(图3中标示为y)，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等，从而使得流过每个MOSFET的电流相同，进而使得各个MOSFET发热均衡，单颗MOSFET由于不会一直承受过大的电流，从而保护了每颗MOSFET不被损坏,这就保证了每个并联的MOSFET的使用寿命基本相同。实施例1：n＝4，所述MOSFET并联电路系统包括位于右上方、左上方、右下方和左下方的四个MOSFET组，每个MOSFET组并联有4个MOSFET，每个MOSFET包括第一接触点和第二接触点；位于右上方和位于右下方的MOSFET组中的MOSFET的第一接触点均与所述驱动信号连接，位于左上方和位于左下方的MOSFET组中的MOSFET的第二接触点均与所述驱动信号连接。所述驱动信号位于4个小组的正中间，位于右上方和位于右下方的两个MOSFET组关于驱动信号轴对称分布，位于左上方和位于左下方的两个MOSFET组关于驱动信号轴对称分布，则此16个并联的MOSFET到驱动信号的距离均相等，从而使得流过每个MOSFET的电流均相同，进而使得各个MOSFET发热均衡，单颗MOSFET由于不会一直承受过大的电流，从而保护了每颗MOSFET不被损坏,这就保证了每个并联的MOSFET的使用寿命基本相同。以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET并联电路系统，其特征在于，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号；n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET并联电路系统，其特征在于，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号；n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等。2.根据权利要求1所述的一种MOSFET并联电路系统，其特征在于，所述MOSFET组以及驱动信号焊接在PCB上。3.根据权利要求1所述的一种MOSFET并联电路系统，其特征在于，所述n为...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴丙炎，万炳呈，盛孝雄，
申请(专利权)人：湖南省耐为数控技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南,43