一种MOSFET并联电路系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种MOSFET并联电路系统，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号；所述MOSFET并联电路焊接在PCB上，n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等。应用本实用新型专利技术的技术方案，效果如下：本实用新型专利技术采用等长等距走线方式使得流过每个MOSFET的电流相同，从而使得各个MOSFET发热均衡，单颗MOSFET由于不会一直承受过大的电流，进而保护了每颗MOSFET不被损坏,这就保证了每个并联的MOSFET的使用寿命基本相同。

A MOSFET parallel circuit system

The utility model provides a parallel MOSFET circuit system, MOSFET group including N parallel and driving signal; the MOSFET parallel circuit welding on PCB, n is an integer of 1 or more, each group has four parallel MOSFET MOSFET, the MOSFET to the drive signals are the same distance from the. The following application of the technical scheme of the utility model, the utility model adopts the effect: Isometric line makes the current running through the offset of each MOSFET the same, so that each single MOSFET MOSFET heat balance, because not always bear large current, then the protection of each MOSFET is not damaged, this guarantees each parallel the service life of the MOSFET is basically the same.

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET并联电路系统
本技术涉及电动汽车电机驱动领域，具体涉及一种MOSFET并联电路系统。
技术介绍
随着国家新能源产业的发展，电动车行业也得到了巨大的发展，尤其是电动车驱动技术。电机驱动系统目前主要有两个方向，一类是低压系统，电池电压一般在100V以下，主要应用于低速移动交通工具，如低速电动车、无人侦察车等；另一类则是高压系统，电池电压一般在200V以上，主要应用于高速移动交通工具，如高速电动车辆、高速铁路机车等。电机驱动器主要采用InsulatedGateBipolarTransistor即绝缘栅双极型晶体管(以下简称IGBT)或者Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor即金属-氧化物半导体场效应晶体管(以下简称MOSFET)作为主要功率器件，而IGBT目前市场价格高昂，MOSFET以其开关速度快，易于并联，成本相对较低等特点，非常适合低压系统。但随着电机驱动器功率的增加，单只MOSFET的电流远远不能满足驱动器的要求，因而多只MOSFET并联得到大量的应用，电机驱动主拓扑图(连接关系图)如图1所示，其中Q1、Q2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET并联电路系统，其特征在于，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号；n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET并联电路系统，其特征在于，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号；n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等。2.根据权利要求1所述的一种MOSFET并联电路系统，其特征在于，所述MOSFET组以及驱动信号焊接在PCB上。3.根据权利要求1所述的一种MOSFET并联电路系统，其特征在于，所述n为...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴丙炎，万炳呈，盛孝雄，
申请(专利权)人：湖南省耐为数控技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南,43