一种高电压测试保护电路制造技术

本实用新型专利技术的目的是提供一种高电压测试保护电路，本实用新型专利技术通过增加一导电回路，使得测试高压脉冲通过所述输入电源的火线输入端连接至所述电阻R1的输入端，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚HV和所述导电回路的输入端连接，当所述反激控制芯片的电源输入脚VCC与所述芯片启动电路的输入端连接对所述反激控制芯片进行充电完成后，使得所述反激控制芯片启动工作后，所述反激控制芯片的高压管脚HV断开，所述反激控制芯片的高压管脚HV断开时产生的脉冲高压，被与所述反激控制芯片并联的所述导电回路有效地过滤掉，从而实现了在对产品进行高电压实验时，保证了该反激控制芯片不被损坏。

High voltage test protection circuit

The utility model aims to provide a high voltage test circuit, the utility model is added with a conductive loop, making the test high voltage pulse input through the input power supply line is connected to the input end of the resistor R1, the output end of the resistor R1 are respectively connected with the high voltage HV pin of the reverse excitation control chip and the conductive loop input when the flyback power input pin VCC control chip and the chip start circuit is connected to the input end of the flyback charging of control chip, the flyback control chip to start work after high pressure pin HV the flyback controller is disconnected, high voltage HV pin the flyback control chip is disconnected the pulse high voltage with the flyback control chip in parallel the conductive loop effectively filtered, thereby realizing the When the high voltage experiment is carried out, the flyback control chip is guaranteed to be not damaged.

【技术实现步骤摘要】
一种高电压测试保护电路
本技术涉及开关电源
，尤其涉及一种高电压测试保护电路。
技术介绍
为降低开关电源的待机功耗，市面上多数反激拓扑芯片都集成了高压启动功能，例如反激控制芯片NCP1236和反激控制芯片FAN6755等。该类反激控制芯片集成的高压启动功能主要是在芯片高压引脚集成一个高压MOS管；在上电时，高压MOS管导通，反激控制芯片通电工作；在反激控制芯片正常工作后，高压MOS管关断，从而减小损耗。现有技术方案采用所述反激控制芯片在实现了降低待机功耗的功能时，由于所述反激控制芯片NCP1236的内置MOS管的耗散功率较小，其内置MOS管关断时，与周围电路没有形成有效的回路，故在HI-POT实验(HighPotential实验，高电压实现，即对产品进行耐电压或电气强度试验，是国家强制要求执行的安全实验)，如图1所示，在对产品进行所述HI-POT实验时，HI-POT测试仪器的一输出端A接到整个高电压测试电路的输入电源的火线输入端VIN_L和零线输入端VIN_N，HI-POT测试仪器的另一输B出端接到电压转换电路中的输出电解电容C4的负极，HI-POT测试仪器输出3.5KV的脉冲电压，该脉冲电压经过VIN_L连接到电阻R1的一端上，电阻R1的另一端连接到反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV，因R1的电阻值较小，该脉冲电压会在反激控制芯片U1的第8高压管脚HV形成超过650V的脉冲高压，因此时反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV的内置MOS管关断，该脉冲高压没有与周围电路形成有效回路，能量无法有效释放出去，而反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV的最高耐电压为650V，故会存在一定的概率击穿反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV，从而导致反激控制芯片U1(NCP1236)失效。
技术实现思路
本技术的一个目的是提供一种高电压测试保护电路，解决现有技术的HI-POT实验时导致的反激控制芯片的实效的问题。根据本技术的一个方面，提供了一种高电压测试保护电路，其特征在于，包括：输入电源、电阻R1和导电回路，其中，所述输入电源的火线输入端与所述电阻R1的输入端连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接，所述反激控制芯片和所述导电回路并联，所述导电回路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述高电压测试保护电路还包括：芯片启动电路、芯片供电电路、电压过滤电路和电压转换电路，其中，所述芯片启动电路的输入端与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片启动电路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接；所述芯片供电电路的输入端分别与所述芯片启动电路的输入端和所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片供电电路与所述芯片启动电路并联；所述输入电源与所述电压过滤电路的输入端连接，所述电压过滤电路的输出端与所述电压转换电路的输入端连接，所述电压转换电路的输出端与外部直流电压输出端连接。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述芯片启动电路包括电解电容C3，其中，所述电解电容C3的正极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述电解电容C3的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述导电回路包括二极管D4和电解电容C1，其中，所述电阻R1的输出端与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D4的阴极与电解电容C1的正极连接，所述电解电容C1的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。进一步地，上述高电压测试保护电路中，还包括：分别与所述输入电源的火线输入端、反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接的防静电电路。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述防静电电路包括电阻R1，其中，所述输入电源的火线输入端与所述电阻R1的输入端连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述芯片供电电路包括二极管D3和变压器T1的辅助绕组，其中，所述二极管D3的阳极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述二极管D3的阴极与所述变压器T1的辅助绕组的正极连接；所述变压器T1的辅助绕组的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述电压过滤电路包括EMI滤波器、整流桥BD1和电解电容C1，其中，所述输入电源的火线输入端和零线输入端通过所述EMI滤波器分别与所述整流桥BD1的交流电压输入端1和交流接地端2连接，所述整流桥BD1的直流电压输出端3分别与所述电解电容C1的正极和所述变压器T1的初级绕组的负极连接，所述整流桥BD1的直流接地端4与所述反激控制芯片的接地脚连接。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述电压转换电路包括MOS管Q1、所述变压器T1的初级绕组、所述变压器的副线圈、二极管D2以及电解电容C4，其中，所MOS管Q1的栅极与所述反激控制芯片的输出驱动器脚连接；所述MOS管Q1的漏极与所述变压器T1的初级绕组的正极连接，所述变压器T1的初级绕组与所述变压器T1的副线圈电连接；所述变压器T1的副线圈的正极输出端与二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与电解电容C4的正极连接；所述电解电容C4的正极与外部直流电压输出端连接，所述电解电容C4的负极接地。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述高电压测试保护电路还包括：分别与所述MOS管Q1的源极和所述反激控制芯片的电流检测脚连接的过流保护电路。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述过流保护电路包括电阻R2，其中，所述电阻R2的一端分别与所述MOS管Q1的源极和所述反激控制芯片的电流检测脚连接；所述电阻R2的另一端与所述反激控制芯片的接地脚连接。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述高电压测试保护电路还包括：分别与所述MOS管Q1的漏极和所述变压器T1的初级绕组连接的尖峰吸收电路。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述尖峰吸收电路包括二极管D1、电阻R3和电容C2，其中，所述二极管D1的阳极分别与所述MOS管Q1的漏极和所述变压器T1的初级绕组的正极连接；所述二极管D1的阴极分别与所述电阻R3的一端和所述电容C2的一端连接，所述电阻R3与所述电容C2并联，所述电阻R3的另一端和所述电容C2的另一端均与所述变压器T1的初级绕组的负极连接。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述高电压测试保护电路还包括：与所述二极管D2的负极连接且与所述电解电容C4并联的电压负反馈电路。进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述电压负反馈电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、光耦U2、电容C5和稳压源U3；所述二极管D2的负极分别与所述电阻R5的一端和所述电阻R6的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述光耦U2中的发光二极管的阳极1连接，所述光耦U2中的发光二极管的阴极2分别与所述稳压源U3的阴极2和所述电容C5的一端连接，所述光耦U2中的光敏三极管的发射极3与所述反激控制芯片的反馈脚连接，所述光耦U2中的光敏三极管的集电极4与所述反激控制芯片的接地脚连接；所述电阻R6的另一端分别与所述电容C5的另一端、所述稳压源U3的参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电压测试保护电路，其特征在于，包括：输入电源、反激控制芯片和导电回路，其中，所述输入电源的火线输入端与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接，所述反激控制芯片和所述导电回路并联，所述导电回路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接。

【技术特征摘要】
1.一种高电压测试保护电路，其特征在于，包括：输入电源、反激控制芯片和导电回路，其中，所述输入电源的火线输入端与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接，所述反激控制芯片和所述导电回路并联，所述导电回路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接。2.根据权利要求1所述的高电压测试保护电路，其特征在于，还包括：芯片启动电路、芯片供电电路、电压过滤电路和电压转换电路，其中，所述芯片启动电路的输入端与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片启动电路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接；所述芯片供电电路的输入端分别与所述芯片启动电路的输入端和所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片供电电路与所述芯片启动电路并联；所述输入电源与所述电压过滤电路的输入端连接，所述电压过滤电路的输出端与所述电压转换电路的输入端连接，所述电压转换电路的输出端与外部直流电压输出端连接。3.根据权利要求2所述的高电压测试保护电路，其特征在于，所述芯片启动电路包括电解电容C3，所述电解电容C3的正极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述电解电容C3的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。4.根据权利要求1所述的高电压测试保护电路，其特征在于，还包括：分别与所述输入电源的火线输入端、反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接的防静电电路。5.根据权利要求4所述的高电压测试保护电路，其特征在于，所述防静电电路包括电阻R1，其中，所述输入电源的火线输入端与所述电阻R1的输入端连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接。6.根据权利要求5所述的高电压测试保护电路，其特征在于，所述导电回路包括二极管D4和电解电容C1，其中，所述电阻R1的输出端与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D4的阴极与电解电容C1的正极连接，所述电解电容C1的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。7.根据权利要求2所述的高电压测试保护电路，其特征在于，所述芯片供电电路包括二极管D3和变压器T1的辅助绕组，其中，所述二极管D3的阳极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述二极管D3的阴极与所述变压器T1的辅助绕组的正极连接；所述变压器T1的辅助绕组的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。8.根据权利要求7所述的高电压测试保护电路，其特征在于，所述电压过滤电路包括EMI滤波器、整流桥BD1和电解电容C1，其中，所述输入电源的火线输入端和零线输入端通过所述EMI滤波器分别与所述整流桥BD1的交流电压输入端1和交流接地端2连接，所述整流桥BD1的直流电压输出端3分别与所述电解电容C1的正极和所述变压器T1的初级绕组的负极连接，所述整流桥BD...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓东，
申请(专利权)人：微鲸科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31