解码方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种解码方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置。此方法包括根据第一电压从可复写式非挥发性存储器模块的存储单元中读取数据，其中该数据包括使用者数据串与错误检查与校正码组。此方法也包括根据第一解码演算法对使用者数据串中至少部分的子数据单元进行解码以获取已解码子数据单元。此方法还包括倘若已解码子数据单元中的已校正位元符合一可靠度条件，将已校正位元的值回复为原始位元值。基于上述方法可以增进对数据的整体校正能力，提升解码效能。

Decoding method, memory control circuit unit, and memory storage device

The invention provides a decoding method, a memory control circuit unit and a memory storage device. The method includes reading data from a memory unit of a rewritable non-volatile memory module according to a first voltage, wherein the data includes a user data string and an error check and correction code set. The method also includes decoding a sub data unit at least part of the user data string according to a first decoding algorithm to obtain the decoded sub data unit. The method also includes restoring the value of the corrected bit to the original bit value if the corrected bit in the decoded sub data unit conforms to a reliability condition. Based on the above method, the overall correction ability of data can be improved and the decoding efficiency can be improved.

【技术实现步骤摘要】
解码方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置
本专利技术是有关于一种解码方法，且特别是有关于一种用于可复写式非挥发性存储器模块的数据解码方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非挥发性存储器模块(例如，快速存储器)具有数据非挥发性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种便携式多媒体装置中。一般来说，写入至可复写式非挥发性存储器模块的数据都会根据一个错误更正码来编码，并且从可复写式非挥发性存储器模块中所读取的数据也会经过对应的程序来解码。例如，若使用涡轮码演算法通过迭代方式来实施错误更正码，数据会先被分割为子数据单元，每一个子数据单元会对应一个子错误更正码，由此些子错误更正码组成对应数据的错误更正码。然而，子错误更正码的更正能力有其上限。倘若依据子错误更正码解码子数据单元时发生错误校正(mis-correct)的情况，整体的校正能力会因此而下降。基此，如何提升错误更正码的校正能力以对所读取的数据顺利地进行解码而获取原始数据，是此领域技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种解码方法，其特征在于，用于可复写式非挥发性存储器模块，所述可复写式非挥发性存储器模块具有多个存储单元，所述解码方法包括：根据第一电压从所述存储单元中读取数据，其中所述数据包括使用者数据串与错误检查与校正码组，所述使用者数据串包括多个子数据单元；以第一解码演算法对所述多个子数据单元至少部份进行解码以获取多个已解码子数据单元，其中所述多个已解码子数据单元包括已校正位元，并且所述已校正位元的值从原始位元值被解码成校正位元值；判断所述已校正位元是否符合可靠度条件；以及倘若所述已校正位元符合所述可靠度条件，将所述已校正位元的值回复为所述原始位元值。

【技术特征摘要】
1.一种解码方法，其特征在于，用于可复写式非挥发性存储器模块，所述可复写式非挥发性存储器模块具有多个存储单元，所述解码方法包括：根据第一电压从所述存储单元中读取数据，其中所述数据包括使用者数据串与错误检查与校正码组，所述使用者数据串包括多个子数据单元；以第一解码演算法对所述多个子数据单元至少部份进行解码以获取多个已解码子数据单元，其中所述多个已解码子数据单元包括已校正位元，并且所述已校正位元的值从原始位元值被解码成校正位元值；判断所述已校正位元是否符合可靠度条件；以及倘若所述已校正位元符合所述可靠度条件，将所述已校正位元的值回复为所述原始位元值。2.根据权利要求1所述的解码方法，其特征在于，还包括：根据第二解码演算法对包含所述原始位元值的数据串进行解码。3.根据权利要求1所述的解码方法，其特征在于，还包括：根据所述第一电压决定预设区域；判断所述已校正位元是否符合所述可靠度条件的步骤包括：判断存储所述已校正位元的存储单元的临界电压是否落在所述预设区域之内；倘若存储所述已校正位元的存储单元的临界电压落在所述预设区域之内，判定所述已校正位元不符合所述可靠度条件；以及倘若存储所述已校正位元的存储单元的临界电压值非落在所述预设区域之内，判定所述已校正位元符合所述可靠度条件。4.根据权利要求3所述的解码方法，其特征在于，在倘若所述已校正位元符合所述可靠度条件，将所述已校正位元的值回复为所述原始位元值的步骤之后还包括：计数迭代次数；判断所述迭代次数是否达到预设次数；以及倘若所述迭代次数非达到所述预设次数，根据所述第一电压重新决定所述预设区域。5.根据权利要求1所述的解码方法，其特征在于，以所述第一解码演算法对所述多个子数据单元至少部份进行解码以获取所述多个已解码子数据单元的步骤包括：根据所述第一解码演算法获取所述多个子数据单元中的错误位元，其中所述错误位元的值为所述原始位元值；调整所述错误位元的值以取得所述已校正位元的值，其中所述已校正位元的值为所述校正位元值；以及根据所述已校正位元获取所述多个已解码子数据单元。6.根据权利要求1所述的解码方法，其特征在于，倘若所述已校正位元符合所述可靠度条件，将所述已校正位元的值回复为所述原始位元值的步骤包括：将所述已校正位元的值回复为所述原始位元值，并且根据所述已校正位元的值更新所述多个已解码子数据单元。7.根据权利要求1所述的解码方法，其特征在于，所述错误检查与校正码组包括多个第一方向错误校正码与多个第二方向错误校正码，所述多个第一方向错误校正码是分别地对应以矩阵形式排列的所述多个子数据单元之中的多个第一方向数据段，所述多个第二方向错误校正码是分别地对应以所述矩阵形式排列的所述多个子数据单元之中的多个第二方向数据段，其中以所述第一解码演算法对所述多个子数据单元至少部份进行解码以获取所述多个已解码子数据单元的步骤包括：根据所述多个第一方向错误校正码解码所述多个第一方向数据段以获取所述多个已解码子数据单元。8.根据权利要求7所述的解码方法，其特征在于，还包括：根据所述多个第二方向错误校正码解码所述多个第二方向数据段以获取多个更新已解码子数据单元；以及根据所述多个更新已解码子数据单元获取对应所述使用者数据的一已校正数据串。9.根据权利要求7所述的解码方法，其特征在于，所述多个第一方向数据段为以所述矩阵形式排列的所述多个子数据单元的多个行数据段，并且所述多个第二方向数据段为以所述矩阵形式排列的所述多个子数据单元的多个列数据段。10.根据权利要求7所述的解码方法，其特征在于，所述多个第一方向错误校正码对应第一最大可校正错误位元数，所述多个第二方向错误校正码对应第二最大可校正错误位元数，并且所述第一最大可校正错误位元数小于所述第二最大可校正错误位元数。11.一种存储器控制电路单元，其特征在于，用于控制可复写式非挥发性存储器模块，所述可复写式非挥发性存储器模块具有多个存储单元，所述存储器控制电路单元包括：主机接口，用以电性连接至主机系统；存储器接口，用以电性连接至所述可复写式非挥发性存储器模块；存储器管理电路，电性连接至所述主机接口与所述存储器接口；以及，错误检查与校正电路，电性连接至所述存储器管理电路，其中所述存储器管理电路发送读取指令序列以根据第一电压从所述存储单元中读取数据，其中所述数据包括使用者数据串与错误检查与校正码组，所述使用者数据串包括多个子数据单元，其中所述错误检查与校正电路以第一解码演算法对所述多个子数据单元至少部份进行解码以获取多个已解码子数据单元，其中所述多个已解码子数据单元包括已校正位元，并且所述已校正位元的值从原始位元值被解码成校正位元值，其中所述错误检查与校正电路判断所述已校正位元是否符合可靠度条件，其中倘若所述已校正位元符合所述可靠度条件，所述错误检查与校正电路将所述已校正位元的值回复为所述原始位元值。12.根据权利要求11所述的存储器控制电路单元，其特征在于，所述错误检查与校正电路根据第二解码演算法对包含所述原始位元值的数据串进行解码。13.根据权利要求11所述的存储器控制电路单元，其特征在于，所述错误检查与校正电路根据所述第一电压决定预设区域，在判断所述已校正位元是否符合所述可靠度条件的运作中，所述错误检查与校正电路判断存储所述已校正位元的存储单元的临界电压是否落在所述预设区域之内，倘若存储所述已校正位元的存储单元的临界电压落在所述预设区域之内，所述错误检查与校正电路判定所述已校正位元不符合所述可靠度条件，倘若存储所述已校正位元的存储单元的临界电压值非落在所述预设区域之内，所述错误检查与校正电路判定所述已校正位元符合所述可靠度条件。14.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元，其特征在于，所述错误检查与校正电路计数迭代次数，所述错误检查与校正电路判断所述迭代次数是否达到预设次数，倘若所述迭代次数非达到所述预设次数，所述错误检查与校正电路根据所述第一电压重新决定所述预设区域。15.根据权利要求11所述的存储器控制电路单元，其特征在于，在以所述第一解码演算法对所述多个子数据单元至少部份进行解码以获取所述多个已解码子数据单元的运作中，所述错误检查与校正电路根据所述第一解码演算法获取所述多个子数据单元中的一错误位元，其中所述错误位元的值为所述原始位元值，所述错误检查与校正电路调整所述错误位元的值以取得所述已校正位元的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纬，王天庆，赖国欣，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71