用于高欧姆电路的系统和方法技术方案

本公开的实施例涉及用于高欧姆电路的系统和方法。一种高欧姆电路，包括并联耦合在第一节点与第二节点之间的多个高欧姆支路。多个高欧姆支路中的每个高欧姆支路包括形成从第一节点到第二节点的第一串联路径的第一多个串联连接的电阻性元件，第一多个串联连接的电阻性元件中的每个电阻性元件包括第一二极管连接的晶体管。多个高欧姆支路中的每个高欧姆支路还包括形成从第一节点到第二节点的第二串联路径的第二多个串联连接的电阻性元件，第二多个串联连接的电阻性元件中的每个电阻性元件包括第二二极管连接的晶体管。高欧姆电路还包括多个开关，每个开关耦合在多个高欧姆支路中的对应的高欧姆支路与第二节点之间。

System and method for high ohm circuits

Embodiments of the present disclosure relate to systems and methods for high ohmic circuits. A high ohm circuit includes a plurality of high ohmic branches that are coupled in parallel between the first node and the second node. Each branch high ohmic multiple high ohmic branch includes forming a series resistive element connected from the first node to the first node of the path of the second series of the first plurality, each of the first plurality of resistive elements connected in series in the first resistive element includes a diode connected transistor. Each branch high ohmic multiple high ohmic branch also formed from the first node to the second node second tandem path article more than 2 series resistive element connected, the more than 2 each resistive element resistive element connected in series in the second diode connected transistor. The high ohm circuit also includes a plurality of switches, each of which is coupled between the corresponding high ohm branches in the plurality of high ohm branches and the second node.

【技术实现步骤摘要】
用于高欧姆电路的系统和方法
本公开总体上涉及电路，并且在特定实施例中涉及用于高欧姆电路的系统和方法。
技术介绍
换能器将信号从一个域转换到另一个域，并且经常用于在传感器中。用作在日常生活中看到的传感器的常见的换能器是麦克风，其本质上是将声波转换为电信号的音频信号换能器。构造麦克风的一种方式是通过使用基于微机电系统(MEMS)的传感器，其通过响应于机械运动测量电参数的变化来收集来自环境的信息。例如，MEMS麦克风可以具有可移动膜片，可移动膜片具有随物理偏转而变化的电容。附接到MEMS的电子设备然后处理从传感器导出的信号信息。可以使用与用于集成电路的微加工制造技术类似的微加工制造技术来制造MEMS器件。音频麦克风通常用于各种消费者应用，诸如蜂窝电话、数字音频记录器、个人计算机和电话会议系统。在MEMS麦克风中，压敏膜片直接设置在集成电路上。因此，麦克风被包含在单个集成电路上，而不是由单独的分立部件来制造。MEMS器件可以被形成为振荡器、谐振器、加速度计、陀螺仪、压力传感器、麦克风、微型扬声器、微反射镜和其他设备，并且经常使用电容性感测技术来测量所测量的物理现象。在这样的应用中，使用接口电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高欧姆电路，包括：并联耦合在第一节点与第二节点之间的多个高欧姆支路，所述多个高欧姆支路中的每个高欧姆支路包括：第一多个串联连接的电阻性元件，形成从所述第一节点到所述第二节点的第一串联路径，所述第一多个串联连接的电阻性元件中的每个电阻性元件包括第一二极管连接的晶体管，以及第二多个串联连接的电阻性元件，形成从所述第一节点到所述第二节点的第二串联路径，所述第二多个串联连接的电阻性元件中的每个电阻性元件包括第二二极管连接的晶体管；以及多个开关，所述开关中的每个开关耦合在所述多个高欧姆支路中的对应的高欧姆支路与所述第二节点之间。

【技术特征摘要】
2016.03.07 US 15/063,0671.一种高欧姆电路，包括：并联耦合在第一节点与第二节点之间的多个高欧姆支路，所述多个高欧姆支路中的每个高欧姆支路包括：第一多个串联连接的电阻性元件，形成从所述第一节点到所述第二节点的第一串联路径，所述第一多个串联连接的电阻性元件中的每个电阻性元件包括第一二极管连接的晶体管，以及第二多个串联连接的电阻性元件，形成从所述第一节点到所述第二节点的第二串联路径，所述第二多个串联连接的电阻性元件中的每个电阻性元件包括第二二极管连接的晶体管；以及多个开关，所述开关中的每个开关耦合在所述多个高欧姆支路中的对应的高欧姆支路与所述第二节点之间。2.根据权利要求1所述的高欧姆电路，还包括：耦合在第三节点与所述第二节点之间的低阻抗支路，所述低阻抗支路包括：第一晶体管，具有耦合至所述第三节点的漏极端子；以及第二晶体管，具有耦合至所述第二节点的源极端子，所述第一晶体管的源极端子耦合至所述第二晶体管的漏极。3.根据权利要求2所述的高欧姆电路，还包括耦合在所述第三节点与所述第一节点之间的低寄生支路。4.根据权利要求2所述的高欧姆电路，其中所述第一晶体管是PMOS晶体管，并且所述第二晶体管是NMOS晶体管。5.根据权利要求4所述的高欧姆电路，其中所述PMOS晶体管的本体端子耦合至所述PMOS晶体管的源极端子。6.根据权利要求4所述的高欧姆电路，其中所述PMOS晶体管的本体端子耦合至所述PMOS晶体管的漏极端子。7.根据权利要求1所述的高欧姆电路，其中所述第一二极管连接的晶体管和所述第二二极管连接的晶体管是二极管连接的PMOS晶体管。8.根据权利要求7所述的高欧姆电路，其中所述第一二极管连接的晶体管包括：耦合至第一二极管节点的漏极端子；以及耦合至第二二极管节点的源极端子、栅极端子和本体端子。9.根据权利要求8所述的高欧姆电路，其中所述第一多个串联连接的电阻性元件中的每个电阻性元件还包括耦合至所述第一二极管连接的晶体管的附加的二极管连接的晶体管，所述附加的二极管连接的晶体管的源极端子耦合至所述第一二极管连接的晶体管的漏极端子，所述附加的二极管连接的晶体管的栅极端子耦合至所述第一二极管连接的晶体管的栅极端子，并且所述附加的二极管连接的晶体管的本体端子耦合至所述第一二极管连接的晶体管的本体端子。10.根据权利要求7所述的高欧姆电路，其中所述第二二极管连接的晶体管包括：耦合至第一二极管节点的漏极端子和栅极端子；以及耦合至第二二极管节点的源极端子和本体端子。11.根据权利要求10所述的高欧姆电路，其中所述第二多个串联连接的电阻性元件中的每个电阻性元件还包括耦合至所述第二二极管连接的晶体管的附加的二极管连接的晶体管，所述附加的二极管连接的晶体管的源极端子耦合至所述第二二极管连接的晶体管的漏极端子，所述附加的二极管连接的晶体管的栅极端子耦合至所述第二二极管连接的晶体管的栅极端子，并且所述附加的二极管连接的晶体管的本体端子耦合至所述第二二极管连接的晶体管的本体端子。12.一种感测电路，包括：电容性传感器，被配置成生成信号输出电压；放大器，耦合至所述电容性传感器并且被配置成接收所述信号输出电压；以及高欧姆电路，耦合至所述电容性传感器和所述放大器，所述高欧姆电路包括：耦合在第一节点与第二节点之间的高欧姆支路，所述高欧姆支路包括多个串联连接的电阻性元件，所述多个串联连接的电阻性元件中的每个电阻性元件包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·巴法，E·巴赫，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE